Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMNH6042SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6042SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 2459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6042SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMNH6042SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH6042SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6042SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6042SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH6042SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6042SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 8212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6042SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMNH6042SPD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6042SPDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 2611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6042SPDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET NCH 60V 5.7A POWERDI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMNH6042SPDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET NCH 60V 5.7A POWERDI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMNH6042SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 76005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMNH6042SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6042SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6042SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMNH6042SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6042SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6042SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMNH6042SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6042SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6042SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs Enhanced FET 41V 60V SO-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6042SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMNH6042SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 2755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6042SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMNH6065SPDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6065SPDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 27A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6065SPDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6065SPDWQ | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6065SPDWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6065SPDWQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 27A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6065SPDWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMNH6065SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6065SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60 V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6065SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6065SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6069SFVW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNH6069SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 2K | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNIAD01SLVBT | Intel | Description: INTEL QUARK MICROCONTROLLER D100 Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 204000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMNIAD01SLVBT SLKMJ | Intel | 32-bit Microcontrollers - MCU Quark D1000 32-Bit MCU 33MHz | на замовлення 3661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMNISS01 | BASSER | Category: MDF Mounting Accessories Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Nissan; impregnated; 2pcs. Application - car brand: Nissan Application - car model: Nissan Almera 1995->2000 Quantity in set/package: 2pcs. Material: MDF Loudspeaker size: 165mm Thickness: 8mm Car Audio features: impregnated Application - loudspeaker localisation: Nissan Almera front doors Type of car audio accessories: spacer ring | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMNISS02 | BASSER | Category: MDF Mounting Accessories Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Nissan; impregnated; 2pcs. Car Audio features: impregnated Application - car brand: Nissan Application - car model: Nissan Navara 2 1997->2005; Nissan Patrol V 1997->2013 Application - loudspeaker localisation: Nissan Navara front doors; Nissan Patrol front doors Type of car audio accessories: spacer ring Thickness: 32mm Loudspeaker size: 165mm Quantity in set/package: 2pcs. Material: MDF | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMNISS03 | BASSER | Category: MDF Mounting Accessories Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Nissan; impregnated; 2pcs. Type of car audio accessories: spacer ring Material: MDF Loudspeaker size: 165mm Application - car brand: Nissan Application - car model: Nissan NV300 2014->; Nissan NV400 09/2010->; Nissan Primera (P12) 2001->2007 Application - loudspeaker localisation: Nissan NV300 front doors; Nissan NV400 front doors; Nissan Primastar front doors Thickness: 26mm Car Audio features: impregnated Quantity in set/package: 2pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |