Продукція > 2N4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N4124G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4124TA | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4124TAR | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4124TF | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 300MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4124TFR | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4124_J18Z | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4124_S00Z | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO-92-3 Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125 | Harris Corporation | Description: TRANS PNP 30V 0.2A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N4125 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT PNP 30V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N4125 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N4125 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N4125 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 200mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125 TRE PBFREE | Central Semiconductor | 2N4125 TRE PBFREE | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N4125 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125BU | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.2A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125RLRA | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125RLRM | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N4125RLRM - 2N4125RLRM, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125RLRM | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125TA | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125TAR | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125TF | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.2A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125TFR | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125_D11Z | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125_D29Z | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4125_S00Z | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.2A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 25V 0.2A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 75151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N4126 | ON Semiconductor | 2N4126 | на замовлення 62651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N4126 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126 | ONS/FAI | PNP, Uкэ=25V, Iк=0.2A, h21=60...360, 0.625Вт, 250МГц, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126 | NTE ELECTRONICS | Description: NTE ELECTRONICS - 2N4126 - BJT, -25V, -200MA, TO-92 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 120 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 625 Übergangsfrequenz ft: 250 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126 | на замовлення 62500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N4126 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126 APM PBFREE | Central Semiconductor | 2N4126 APM PBFREE | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N4126 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS | на замовлення 7195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 25V TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V | на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N4126 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 200mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 200mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126BU | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.2A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126TA | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126TAR | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.2A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126TF | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.2A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126TFR | ON Semiconductor | 2N4126TFR | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N4126TFR | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4126TFR | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 25V 0.2A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N4126_S00Z | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.2A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N412A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N413 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4130 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4131 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4132 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4133 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4134 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4135 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4136 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4137 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS 20V 0.2A TO-18 Packaging: Box Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 500MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 360 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4137 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4138 | MOTOROLA | на замовлення 28500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4138 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4139 | MOTOROLA | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N413A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N414 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4140 | MOTOROLA | на замовлення 3850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4141 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4142 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4143 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4144 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4145 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4146 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4147 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4148 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4149 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N414A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N414B | MOT | CAN | на замовлення 987 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N414C | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N415 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4150 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 70 V Power BJT | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4150 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 70V 10A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N4150 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N4150 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 70V 10A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Power - Max: 1 W | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

