Продукція > DXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DXTP3C60PS-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 3A; 5W; PowerDI®5060-8
Type of transistor: PNP
Case: PowerDI®5060-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 5W
Quantity in set/package: 2500pcs.
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PS-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PSQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Frequency - Transition: 135MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.76 грн
23+35.92 грн
100+24.56 грн
500+16.23 грн
1000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PSQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.19 грн
10+46.28 грн
100+26.16 грн
500+20.09 грн
1000+18.09 грн
2500+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PSQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Frequency - Transition: 135MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+36.20 грн
100+23.52 грн
500+16.94 грн
1000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP3C60PSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.56 грн
500+16.23 грн
1000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.52 грн
500+23.41 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP - 500 -150mA IC VCEO - 500 ICM - 500
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.18 грн
10+53.11 грн
100+30.38 грн
500+23.54 грн
1000+19.54 грн
5000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.52 грн
10000+16.58 грн
15000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.79 грн
15+54.53 грн
100+35.52 грн
500+23.41 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP560BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+47.04 грн
100+30.90 грн
500+22.50 грн
1000+20.40 грн
2000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
11+27.45 грн
100+20.49 грн
500+15.11 грн
1000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP58100CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Power - Max: 690 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Frequency - Transition: 135MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP58100CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
11+28.98 грн
100+16.15 грн
500+12.36 грн
1000+11.05 грн
3000+9.46 грн
6000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5820CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 20V 6A UDFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 61630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
11+27.30 грн
100+17.52 грн
500+12.48 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5820CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 13835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
11+28.98 грн
100+16.15 грн
500+12.29 грн
1000+11.05 грн
3000+8.22 грн
6000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5820CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 20V 6A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 4.8A UDFN2020-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 30mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 690 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4.8 A
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Frequency - Transition: 135MHz
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
11+27.22 грн
100+17.51 грн
500+12.48 грн
1000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5840CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 4.8A UDFN2020-3
Power - Max: 690 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4.8 A
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Frequency - Transition: 135MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 30mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5840CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5840CFJAWQ-7Diodes Incorporated Pwr Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.36 грн
14+24.21 грн
100+15.74 грн
500+12.36 грн
1000+9.73 грн
3000+8.70 грн
6000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5860CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5860CFDB-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.34 грн
12+28.18 грн
100+18.29 грн
500+14.43 грн
1000+11.18 грн
3000+10.15 грн
6000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP5860CFDB-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP78030DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 325mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 315MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.4 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP78030DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.91 грн
16+20.80 грн
100+14.64 грн
500+13.88 грн
1000+13.39 грн
2000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP78030DFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 325mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 315MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.4 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.56 грн
100+25.76 грн
500+18.59 грн
1000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP78060DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.91 грн
16+20.80 грн
100+14.64 грн
500+13.88 грн
1000+13.39 грн
2000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP78100CFG-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP78100CFG-7Diodes Incorporated Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP78100CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.4 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.20 грн
4000+13.27 грн
6000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP78100CFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.91 грн
16+20.80 грн
100+14.64 грн
500+13.88 грн
1000+13.39 грн
2000+12.84 грн
4000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP78100CFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.4 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
14+21.54 грн
25+19.24 грн
100+15.67 грн
250+14.54 грн
500+13.86 грн
1000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP80030DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.36 грн
14+24.29 грн
100+16.43 грн
500+14.57 грн
1000+13.94 грн
2000+13.46 грн
4000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP80060DFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 3867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.36 грн
15+21.75 грн
100+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP80100CFGQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.36 грн
14+24.29 грн
100+16.43 грн
500+14.57 грн
1000+13.94 грн
2000+13.46 грн
4000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTV6Phoenix ContactPhoenix Contact D XTV 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5