Продукція > NGT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NGTD14T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 bare die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD15R65F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 650V DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD15R65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 650V/50A CC15 FAST RECTIF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD15R65F2WPonsemiDescription: DIODE GEN PURP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: Standard
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD15R65F2WPonsemiIGBT Transistors 650V/50A CC15 FAST RECTIFIER UNSAWN WAFER SALES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17R120F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17R120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/40A CJ61 FAST RECTI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17R120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/40A CJ61 FAST REC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17R120F2WPON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17T65F2SWKonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17T65F2WPonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 600V 40A FS2 bare die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD20T120F2SWKonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD20T120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/25A CN35 FAST IGBT
на замовлення 19069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD20T120F2WPonsemiIGBT Transistors 1200V/25A CN35 FAST IGBT UNSAWN WAFER SALES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD20T120F2WPonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD21T65F2SWKON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
на замовлення 17461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD21T65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 650V 45A FS2 bare die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD21T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 650V 45A FS2 bare die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD21T65F2WPON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD23T120F2SWKON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD23T120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/30A CJ52 FAST IGBT DIE SALES
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD23T120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/30A CJ52 FAST IGBT UNSAWN WAFER SALES
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD28T65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 650V 75A FS2 bare die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD28T65F2SWKON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD28T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 650V 75A FS2 bare die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD28T65F2WPON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD30T120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/50A CJ57 FAST IGBT
на замовлення 7721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD30T120F2SWKON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD30T120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/50A CJ57 FAST IGBT
на замовлення 11254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD5R65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 650V/40A CC87 LOW VF RECT
на замовлення 25376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD5R65F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 650V DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 883 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD5R65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 650V/40A CC87 LOW VF RE
на замовлення 32604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD8R65F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 650V DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 536 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD8R65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 650V/40A CC14 FAST RECTIF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1072 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD8R65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 650V/40A CC14 FAST RECT
на замовлення 36220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD9R120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/85A BR69 VERY FAST
на замовлення 39850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD9R120F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 518 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD9R120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/85A BR69 VERY FAS
на замовлення 49753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG12N60TF1GON SemiconductorDescription: IGBT 600V 24A 54W TO-3PF
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG12N60TF1GonsemiIGBTs 600V 12A IGBT TO-3PF
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2onsemiON Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG15N120FL2WG - IGBT, 30 A, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 294W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WGonsemiIGBT Transistors 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+213.33 грн
500+201.54 грн
1000+190.94 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+213.33 грн
500+201.54 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WGON Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WG.ONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG15N120FL2WG. - IGBT, 30 A, 2 V, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N60S1EGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N60S1EG
Код товару: 55979
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N60S1EGonsemiIGBTs 15A 600V IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N60S1EGonsemiDescription: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/170ns
Switching Energy: 550µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 88 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 117 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N60S1EGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG20N60L2TF1GONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG20N60L2TF1G - IGBT, SINGLE, N CH, 600V, 40A, TO-3PF-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+124.37 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG20N60L2TF1GON SemiconductorIGBT Transistors 600V 20A IGBT TO-3PF
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG20N60L2TF1GON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG20N60L2TF1GonsemiDescription: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG25N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG25N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG25N120FL2WG - IGBT, 1200V 25A SOLAR-UPS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 67378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+238.98 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG25N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 48084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+194.06 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 83ns/170ns
Switching Energy: 700µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FLWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG30N60FLWG - IGBT, 600V, 30A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+182.08 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 83ns/170ns
Switching Energy: 700µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 8160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+161.83 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FLWGonsemiIGBTs 600V/30A IGBT LPT TO-247
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO-247-3
Power - Max: 167 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 170 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FWGonsemiIGBTs 600V/30A IGBT NPT TO-247
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FWGON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.29 грн
10+164.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG35N65FL2WGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 Solar/UPS
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG35N65FL2WGON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG35N65FL2WGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG40N120FL2onsemionsemi 1200V/40A FAST IGBT FSII
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG40N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG40N120FL2WG - IGBT, 1.2KV, 80A, 175DEG C, 535W
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG40N120FL2WGON Semiconductor
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG40N120FL2WGON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG40N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Power - Max: 535 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 313 nC
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWG
Код товару: 83454
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+320.59 грн
500+306.44 грн
1000+289.94 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG50N60FLWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+259.30 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
на замовлення 4314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+230.33 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWGonsemiIGBTs IGBT, PFC, High Frequency, 50 A, 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG50N60FWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+249.54 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 117ns/285ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FWGON Semiconductor
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 117ns/285ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+221.60 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5