Продукція > mmb

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 72 90 108 126 144 162 180  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MMBF170ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.18 грн
6000+4.96 грн
12000+4.73 грн
27000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-13-FDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBF170-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7-FDiodesSOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 60V 225mW
на замовлення 5942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBF170-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 0.8A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 20858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.36 грн
28+11.05 грн
50+9.01 грн
100+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBF170-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.01 грн
9000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7-F-WDiodes Incorporated 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7-F-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7-F-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.19 грн
26+11.74 грн
50+9.55 грн
100+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-7F
на замовлення 120676 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-GKGOODWORKDescription: 60V 340mA 5.3@4.5V SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170-NL
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170Lonsemionsemi NFET SOT23 60V 500MA 5.0O
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1OnsemiSOT23
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1onsemiMOSFETs 20V 500mA N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1-6ZT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1/7ESVY
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1GOn SemiconductorN-кан. 60V, 0,5A, SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6091 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
33+12.92 грн
37+11.57 грн
57+7.36 грн
100+5.85 грн
250+4.50 грн
500+3.89 грн
1000+3.51 грн
1500+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.36 грн
56+13.60 грн
100+8.51 грн
500+6.05 грн
1000+4.91 грн
3000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.90 грн
6000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.84 грн
6000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.48 грн
6000+5.32 грн
12000+5.20 грн
27000+4.91 грн
51000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7937+4.46 грн
10000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 7937 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1GON-SemiconductorN-MOSFET 0.5A 60V 60W 225mW 5Ω MMBF170, MMBF170LT1G, MMBF170-7-F, MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R) MMBF170 ONS TMMBF170lt1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5514 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 88849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.08 грн
50+8.63 грн
100+7.06 грн
500+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1GonsemiMOSFETs 60V 500mA N-Channel
на замовлення 81005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.90 грн
6000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT3ONSOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT3GONSOT-23
на замовлення 6570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170Q-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170Q-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170Q-13-FDiodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
на замовлення 5190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170Q-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 0.8A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170Q-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+15.93 грн
25+13.22 грн
50+10.80 грн
100+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170Q-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170Q-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170Q-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBF170Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170Q-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 0.8A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.19 грн
28+15.35 грн
34+12.48 грн
100+8.77 грн
500+6.25 грн
1000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170Q-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 714000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.82 грн
6000+3.51 грн
9000+3.29 грн
15000+3.04 грн
21000+3.02 грн
30000+2.89 грн
75000+2.56 грн
150000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170Q-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170Q-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBF170Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170Q-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170Q-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 717848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
24+12.68 грн
100+6.17 грн
500+5.33 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch Enhance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201MOT
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NMOT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1onsemiMOSFET 20V 300mA N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1MOTOROLASOT323-N1
на замовлення 424229 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1 SOT323-N1ON
на замовлення 134927 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBF2201NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.88 грн
30+25.90 грн
35+22.07 грн
100+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBF2201NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.23 грн
6000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.31 грн
6000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+21.21 грн
50+15.35 грн
100+12.62 грн
500+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1GOn SemiconductorMOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1GonsemiMOSFETs 20V 300mA N-Channel
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 750A
Gate charge: 1.4nC
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.32 грн
21+20.88 грн
50+14.76 грн
100+12.75 грн
500+9.39 грн
1000+8.30 грн
1500+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2201NT1SOT323-N1ON
на замовлення 544222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
mmbf2202
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2202PLT1
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2202PT1ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.3A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 652275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5455+6.49 грн
10000+5.79 грн
100000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2202PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT-323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
на замовлення 653235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3620+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2202PT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMBF2202PT1 - MMBF2202PT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1257742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2202PT1(P3)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF2202PT1GON05+06+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4091
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4091onsemi / FairchildJFET N-Channel Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4091onsemiDescription: JFET N-CH 40V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4091-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4091_Qonsemi / FairchildJFET N-Channel Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4092Fairchild SemiconductorDescription: JFET N-CH 40V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4092
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 72 90 108 126 144 162 180  [ Наступна Сторінка >> ]