Продукція > 2SK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK3455 | NEC | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3455-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3455-S17-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3455B-S17-AY | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3455B-S17-AY | Renesas | Description: 2SK3455B - SWITCHING N-CHANNEL P Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: ITO-220 (MP-45F) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3455B-S17-AY | Renesas | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Isolated Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3456-Z-E | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3456-Z-E2 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3456Z | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3457(2)-AZ | Renesas | 2SK3457(2)-AZ | на замовлення 1608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3457(2)-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3457-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 2189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3457-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3457-S17-AY | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3458 | NEC | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3458-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3458-ZK-E1-AY | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK346 | NEC | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3461 | HITACHI | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3462(T6L1TLT1NQ | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3462(TE16L1,N) | Toshiba | MOSFET MOLD PLN,ACTIVE,DISCON(05-04)/PHASE-OUT(05-07)/OBSOLETE(05-10), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3462(TE16L1,NQ) | Toshiba | MOSFET Pb-FF MOS-PW,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3462(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: PW-MOLD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 267 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2sk3464 | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3465 | HITACHI | 00+ | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3466(TE24L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-97 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 4-TFP (9.2x9.2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3466(TE24L,Q) | Toshiba | MOSFET Discrete Semiconductor Products | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3469 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3471 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3472 | TOSHIBA | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3473 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3473?f? | Toshiba | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3475 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3475 | Toshiba | SOT89 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3475 Код товару: 41878
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3475(TE12L) | Toshiba | RF MOSFET Transistors PW-MINI,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-10)/OBSOLETE(10-01), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3475(TE12L,F) | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW Case: SOT89 Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Electrical mounting: SMT Polarisation: unipolar Output power: 630mW Drain current: 1A Power dissipation: 3W Gate-source voltage: ±10V Open-loop gain: 14.9dB Drain-source voltage: 20V Efficiency: 45% Frequency: 520MHz Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3475/2SK3476/TA3 | TOSHIBA | 10+ 1206-473 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3475TE12LF Код товару: 101000
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3475TE12LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3475TE12LF | Toshiba | RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3476 | TOSHIBA | 10+ QFP | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3476 Код товару: 41879
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3476 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3476 | Toshiba | SOT89 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3476(TE12L,Q) | Toshiba | RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3476(TE12L,Q) | Toshiba | Trans RF MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin PW-X T/R | на замовлення 914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3476(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSF RF N CH 20V 3A PW-X | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3478-22 Код товару: 15251
Додати до обраних
Обраний товар
| Mitsubishi | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-57 | товару немає в наявності
|
| ||||||||
| 2SK3479-AZ | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3479-S-AZ | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3479-Z-AZ | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3479-Z-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3479-Z-AZ | на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3479-Z-E1-AZ | на замовлення 950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3479-Z-E1-AZ | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3479-Z-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 83A TO-263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 42A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3479-Z-E2-AZ | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 100V 83A TO-263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3479-ZJ-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3479-ZJ-E1-AZ | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 100V 83A TO-263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3479-ZJ-E1-AZ | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 100V 83A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3479-ZJ-E1-AZ | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 100V 83A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3479-ZJ-E1-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3479Z | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK347L | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK347LS | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3480(0)-Z-E1-AZ | Renesas | Switching N-Channel Power MOS FET | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3480(0)-Z-E1-AZ | NEC | SOT263/2.5 | на замовлення 1412 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3480(0)-Z-E1-AZ | Renesas | Switching N-Channel Power MOS FET | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3480(0)-Z-E1-AZ | Renesas | Description: 2SK3480 - Nch Single Power Mosfe Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3480-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220AB Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 84W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3480-AZ | Renesas | TO220AB/50 A, 100 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 2SK3480 кількість в упаковці: 200 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3480-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 84W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3480-AZ | Renesas Electronics | MOSFET POWER MOS FET | на замовлення 513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3480-S12-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 5387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3480Z | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3481 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3481(0)-Z-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3481(0)-Z-E1-AZ | Renesas | Switching N-Channel Power MOS FET | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3481-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 56W (Tc) Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3481-Z-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3481Z | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3482-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO251 Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 50W (Tc) Supplier Device Package: TO-251 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3482-AZ | Renesas Electronics | MOSFET MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3482-Z-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3482-Z-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3482-Z-E1 | SOT-252 | на замовлення 1925 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3482-Z-E1-AZ | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3482-Z-E2-AZ | Renesas | Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 6895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3482-Z-E2-AZ | Renesas | Description: 2SK3482 - Nch Single Power Mosfe Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3482-Z-E2-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3482Z | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3483 | NEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3483(0)-Z-E1-AY | Renesas Electronics America | Description: TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3483(0)-Z-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tj) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3483-AZ | Renesas | Description: 2SK3483-AZ - SWITCHING N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: MP-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V | на замовлення 3077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3483-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO251 Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 40W (Tc) Supplier Device Package: TO-251 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3483-AZ | Renesas | Trans MOSFET N-CH 100V 28A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-251 | на замовлення 3077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3483-Z-AZ | Renesas | Description: 2SK3483-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: MP-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V | на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3483-Z-AZ | Renesas | Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-252 | на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

