Продукція > S29
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S29GL512S12TFBV20 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 910 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S12TFBV20 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S12TFIV10 | Cypress / Spansion | NOR Flash 512Mb 3V 120ns Parallel NOR Flash | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S12TFIV10 | Infineon Technologies | NOR Flash 512Mb 3V 120ns Parallel NOR Flash | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S12TFIV10 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 182 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S12TFIV20 | Infineon Technologies | NOR Flash 512 MBIT 3V 120NS Parallel NOR Flash | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S12TFIV20 | Spansion | Description: IC FLASH 512MBIT 120NS 56TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 91 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S12TFVV20 | Spansion | Description: IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 56TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 91 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S12TFVV20 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHA010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns Automotive 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHA010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHA010 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHA013 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHA013 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHA020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHA020 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHI010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHI010 | INFINEON | Description: INFINEON - S29GL512T10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel tariffCode: 85423261 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit | на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHI010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHI010 | Spansion | Description: FLASH, 32MX16, 100NS, PBGA64 DigiKey Programmable: Not Verified Packaging: Bulk | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHI010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHI010 | Spansion | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | на замовлення 503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHI013 | onsemi | Description: S29GL5512-MB(MBYTE3.0GLECLIPFLAM Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHI013 | Cypress Semiconductor | NOR Flash | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHI020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHI020 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHI020 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHI023 | Cypress Semiconductor | NOR Flash NOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10DHI023 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FAI010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FAI010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FAI010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FAI010 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FAI013 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FAI020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FAI020 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FAI023 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FAI023 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 900 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI010 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | на замовлення 965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI010 | INFINEON | Description: INFINEON - S29GL512T10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s) tariffCode: 85423261 IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI013 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA T/R | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI013 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI013 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI013 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI013 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI013 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | на замовлення 2621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI013 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI013 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI013 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI013 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI013 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI020 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI020 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI020 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI020 | INFINEON | Description: INFINEON - S29GL512T10FHI020 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel tariffCode: 85423261 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI020 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 1192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI020 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI020 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI020 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI020 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI020 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI023 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11) Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI023 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI030 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI030 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI030 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11) Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI030 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI033 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI040 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI040 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI040 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11) Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI040 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI040 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI040 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10FHI040 | Infineon Technologies | NOR Flash IC 512M FLASH MEMORY | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10GHI010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10GHI010 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56FBGA Packaging: Tray Package / Case: 56-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-FBGA (9x7) Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10GHI010Y | Spansion | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56FBGA Packaging: Bulk Package / Case: 56-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-FBGA (9x7) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10GHI020 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56FBGA Packaging: Tray Package / Case: 56-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-FBGA (9x7) Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10GHI020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10GHI020Y | Spansion | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56FBGA Packaging: Bulk Package / Case: 56-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-FBGA (9x7) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10TFA010 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP Packaging: Tray Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-TSOP Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 182 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10TFA010 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 182 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10TFA020 | Infineon Technologies | NOR Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 910 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10TFA020 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 910 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10TFA023 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10TFA023 | Infineon Technologies | NOR Flash IC 512M FLASH MEMORY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512T10TFI010 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP Packaging: Tray Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-TSOP Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512T10TFI010 | INFINEON | Description: INFINEON - S29GL512T10TFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|