Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SA970-BL(ROHS)TOSHIBA
на замовлення 48200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA970-BL(T)ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA970-BL(TE2,F,T)TOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA970-BL(TE2FT)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA970-BL(TPE2)ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(09-10),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA970-BL(TPE2,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F TO-92 PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA970-GRYFWPNP 0,1A 120V 0,3W 100MHz 2SA970 T2SA970
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA970-GR(F)TOS08+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA970-GR(FT)(ROHS)TOSHIBA
на замовлення 65350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA970-GR(TE2FT)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA970-GR(TPE2,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F TO-92 PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA970BLToshibaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA970BLTOSHIBA
на замовлення 68250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA970GRTOSHIBATO92
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA970GR/2SC2240GRTOSHIBA
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA970GR2SC2240GR
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA970GRTO92NEC
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA971
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA972
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA973
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA977
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA979
на замовлення 3689 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA98
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA980TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA981TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA982TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA983
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA984SANYOTO-92
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA984-FSANYOTO92 09+
на замовлення 17100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA984KE-AAON Semiconductor2SA984KE-AA
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5455+6.47 грн
10000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA984KE-AAonsemiDescription: BIP PNP 0.5A 80V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3620+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 3620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA984KF-AAonsemiDescription: BIP PNP 0.5A 80V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA984KF-AAON Semiconductor2SA984KF-AA
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3912+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 3912 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA985
Код товару: 85780
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA985NEC00+ TO220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA985A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA987
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA988NECTO-92
на замовлення 36500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA988-T-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA989
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA99
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA990
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA991
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA992
Код товару: 32012
Додати до обраних Обраний товар
SanyoТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
Гранична частота fT, МГц: 100 МГц
Напруга Uке, В: 120 В
Напруга Uкб, В: 120 В
Струм Iк, А: 0,05 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 800
у наявності: 478 шт
  • 460 шт - склад
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
3+7.50 грн
10+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA992NECTO92
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA992 TO92NEC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA992-T-ARenesasBipolar Power Transistor
на замовлення 86513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1191+29.63 грн
10000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 1191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA992-T-ARenesasBipolar Power Transistor
на замовлення 249002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1191+29.63 грн
10000+26.42 грн
100000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 1191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA992-T-ARenesasBipolar Power Transistor
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1191+29.63 грн
10000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 1191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA992-T-ARenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 438015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
791+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 791 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA992-T-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA995
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA999
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAC4181ANECSOT23
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SACT10340SLCTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP 35VCEO 50MA MINI-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SACT10350SLCTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP 55VCEO 50MA MINI-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 513 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A MPT3
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -1A Ic MPT3
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1296+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 1296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+28.61 грн
512+27.57 грн
1000+26.67 грн
2500+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A MPT3
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.66 грн
10+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A MPT3
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP SOT-89 -1A 270 to 680hFE -30V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SAR293PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+44.05 грн
491+28.80 грн
629+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.90 грн
10+32.69 грн
100+21.15 грн
500+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+81.13 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -30V -1A, Middle Power Transistor
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SAR293PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+27.86 грн
577+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
725+19.47 грн
753+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.05 грн
100+28.80 грн
500+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT PNP 30V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR293PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR340PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR340PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+35.03 грн
420+33.62 грн
500+32.41 грн
1000+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR340PT100PROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -400V Vceo -100mA Ic MPT3
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR340PT100PROHMDescription: ROHM - 2SAR340PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 100 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR340PT100PRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 400V 0.1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR340PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR340PT100PROHMDescription: ROHM - 2SAR340PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 100 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR340PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR340PT100PRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 400V 0.1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.00 грн
10+45.42 грн
100+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR340PT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 400V 0.1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.45 грн
10+44.37 грн
100+29.04 грн
500+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR340PT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+84.67 грн
198+71.62 грн
294+48.10 грн
295+46.15 грн
500+33.39 грн
1000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR340PT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 400V 0.1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR340PT100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -400V Vceo -100mA Ic MPT3
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR340QTRRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 400V 0.1A TSMT6
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.36 грн
10+42.51 грн
100+27.69 грн
500+20.00 грн
1000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR340QTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -100mA Ic -400V TSMT6
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR340QTRRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 400V 0.1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -0.7A -120V Middle Power Transistor
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+92.27 грн
14+56.72 грн
100+36.69 грн
500+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65  Наступна Сторінка >> ]