Продукція > 2SA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA970-BL(ROHS) | TOSHIBA | на замовлення 48200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SA970-BL(T) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA970-BL(TE2,F,T) | TOSHIBA | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SA970-BL(TE2FT) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA970-BL(TPE2) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(09-10), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA970-BL(TPE2,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F TO-92 PLN(LF),ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA970-GR | YFW | PNP 0,1A 120V 0,3W 100MHz 2SA970 T2SA970 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA970-GR(F) | TOS | 08+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA970-GR(FT)(ROHS) | TOSHIBA | на замовлення 65350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SA970-GR(TE2FT) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA970-GR(TPE2,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F TO-92 PLN(LF),ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA970BL | Toshiba | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA970BL | TOSHIBA | на замовлення 68250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SA970GR | TOSHIBA | TO92 | на замовлення 4200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA970GR/2SC2240GR | TOSHIBA | на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SA970GR2SC2240GR | на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA970GRTO92 | NEC | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SA971 | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA972 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA973 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA977 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA979 | на замовлення 3689 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA98 | на замовлення 3667 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA980 | TOS | 03+ TO-3 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA981 | TOS | 03+ TO-3 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA982 | TOS | 03+ TO-3 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA983 | на замовлення 3667 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA984 | SANYO | TO-92 | на замовлення 3025 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA984-F | SANYO | TO92 09+ | на замовлення 17100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA984KE-AA | ON Semiconductor | 2SA984KE-AA | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA984KE-AA | onsemi | Description: BIP PNP 0.5A 80V Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA984KF-AA | onsemi | Description: BIP PNP 0.5A 80V Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 6800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA984KF-AA | ON Semiconductor | 2SA984KF-AA | на замовлення 6800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA985 Код товару: 85780
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SA985 | NEC | 00+ TO220 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA985A | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA987 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA988 | NEC | TO-92 | на замовлення 36500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA988-T-A | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA989 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA99 | на замовлення 3557 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA990 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA991 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA992 Код товару: 32012
Додати до обраних
Обраний товар
| Sanyo | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 Гранична частота fT, МГц: 100 МГц Напруга Uке, В: 120 В Напруга Uкб, В: 120 В Струм Iк, А: 0,05 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 800 | у наявності: 478 шт
|
| ||||||||||||
| 2SA992 | NEC | TO92 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA992 TO92 | NEC | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SA992-T-A | Renesas | Bipolar Power Transistor | на замовлення 86513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA992-T-A | Renesas | Bipolar Power Transistor | на замовлення 249002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA992-T-A | Renesas | Bipolar Power Transistor | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA992-T-A | Renesas Electronics Corporation | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 438015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA992-T-A | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA995 | на замовлення 3557 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA999 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SAC4181A | NEC | SOT23 | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SACT10340SLCT | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP 35VCEO 50MA MINI-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SACT10350SLCT | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP 55VCEO 50MA MINI-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR293P | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR293P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR293P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 1A MPT3 Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR293P5T100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -1A Ic MPT3 | на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR293P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR293P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR293P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 1A MPT3 Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR293PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 1A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR293PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 1A MPT3 Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR293PFRAT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP SOT-89 -1A 270 to 680hFE -30V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR293PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR293PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR293PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR293PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 1A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR293PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR293PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -30V -1A, Middle Power Transistor | на замовлення 2648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR293PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR293PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 2W Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR293PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR293PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR293PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR293PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR293PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 258 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR293PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT PNP 30V 1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR293PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR340PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR340PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR340PT100P | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP -400V Vceo -100mA Ic MPT3 | на замовлення 597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR340PT100P | ROHM | Description: ROHM - 2SAR340PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 100 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR340PT100P | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 400V 0.1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR340PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 215 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR340PT100P | ROHM | Description: ROHM - 2SAR340PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 100 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR340PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 41 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR340PT100P | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 400V 0.1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR340PT100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 400V 0.1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR340PT100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR340PT100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 400V 0.1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR340PT100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP -400V Vceo -100mA Ic MPT3 | на замовлення 644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR340QTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 400V 0.1A TSMT6 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR340QTR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP -100mA Ic -400V TSMT6 | на замовлення 2082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR340QTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 400V 0.1A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR372P5T100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP -0.7A -120V Middle Power Transistor | на замовлення 706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR372P5T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 295 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR372P5T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SAR372P5T100Q | ROHM | Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 700mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 71 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SAR372P5T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

