Продукція > 2N5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5089 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 36987
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 Гранична частота fT: 50 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 25 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 30 В Струм колектора Ic, А: 0,05 А Коефіцієнт передачі струму h21: 1200 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5089 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | на замовлення 6757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | на замовлення 13399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5089 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5089 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 300...900 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz | на замовлення 580 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5089 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 25V 0.05A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 3943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5089 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 25Vceo 4.5Vebo 50mA 625mW | на замовлення 4298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089BU | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089RLRA | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089RLRAG | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089TA | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089TA | Fairchild | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5089TAR | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089TA_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN 25V 100mA HFE/12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089TF | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089TFR | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5089_J18Z | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N508A | MOTOROLA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N509 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5090 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5091 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5091 | MOT | CAN | на замовлення 329 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5092 | MOT | CAN | на замовлення 841 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5092 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5093 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5093 | MOT | CAN | на замовлення 657 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5094 | MOT | CAN | на замовлення 295 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5094 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5095 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 500V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 4 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5095 | MOT | CAN | на замовлення 336 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5096 | MOT | CAN | на замовлення 655 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5096 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5097 | MOT | CAN | на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5097 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5098 | MOT | CAN | на замовлення 328 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5098 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5099 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 1A TO5 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-5 Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 4 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5099 | MOT | CAN | на замовлення 687 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5099 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5099A | MOTOROLA | на замовлення 560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N509A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N50E | PH | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N51 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N510 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5103 | MOTOROLA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5104 | MOTOROLA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5105 | MOTOROLA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5106 | MOTOROLA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5106A | MOTOROLA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5107 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5108 | MOTOROLA | на замовлення 15500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5109 | MICROSEMI | кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5109 | Centralsemi | TO-5 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5109 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Gain: 12dB Power - Max: 2.5W Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V Frequency - Transition: 1.2GHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5109 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5109 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 31239
Додати до обраних
Обраний товар
| Central Semiconductor | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-39 Гранична частота fT: 1,2 ГГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 20 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 40 В Струм колектора Ic, А: 0,4 А Коефіцієнт передачі струму h21: 120 Примітка: 1Wt | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5109 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO-39 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-39 Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Frequency - Transition: 1.2GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Power - Max: 1W Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5109 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Wide Bd AM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5109 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN RF 40Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 400mA 1.0W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5109JAN | IR | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5109JANTX | IR | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5109UB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5109UB BK | Central Semiconductor Corp | Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 11dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V Frequency - Transition: 1.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 200MHz Supplier Device Package: UB Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N510A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N511 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5110 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5111 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5112 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5113 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5114 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5114 | InterFET | JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise | на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5114 | Vishay Semiconductors | JFETs 30V 10pA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5114 | Microchip Technology | Description: JFET P-CH 30V TO18 Qualification: MIL-PRF-19500 Grade: Military Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA Resistance - RDS(On): 75 Ohms Power - Max: 500 mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V FET Type: P-Channel Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5114 | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5114 | Microchip Technology | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5114 | MOT | CAN3 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5114 TO-18 3L | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: P-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5114 TO-18 3L ROHS | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: JFET P-CH 30V TO18-3 Resistance - RDS(On): 75 Ohms Power - Max: 500 mW Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18-3 Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V FET Type: P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5114-E3 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5114-E3 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5114E3 | Microsemi | Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5114JAN02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5114JTVL02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5114JTX02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5114JTXL02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5114JTXV02 | Vishay Siliconix | Description: JFET P-CH TO206AA Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Tube Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5114UB | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5114UB | Microsemi | Trans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

