Продукція > 2SB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB1123S-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1123S-TD-E | ONN | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SB1123S-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1123S-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A PCP Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) | на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1123S-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1123S-TD-EX | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB1123S-TD-EX - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1123S-TD-EX | Sanyo | Description: TRANS PNP 50V 2A PCP Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1123S-TD-EX | Sanyo Electric | 2SB1123S-TD-EX | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1123S-TD-EX-ON | onsemi | Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1123SCZ-T-TD-E | onsemi | Description: 2SB1123 - SMALL SIGNAL BIPOLAR T Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1123T | ROHM | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SB1123T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 53920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1123T-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A PCP Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1123T-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V | на замовлення 2042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1123T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1123T-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A PCP Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 500 mW | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1123T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1123T-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A PCP Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1123T-TD-E | SANYO | SOT89 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1123T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 32578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1123T-TD-EX | ON Semiconductor | 2SB1123T-TD-EX | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1123T-TD-EX | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB1123T-TD-EX - 2SB1123 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 2A 50V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1123T-TD-EX | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A PCP Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1124 | SANYO | 09+ | на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1124 | onsemi | BIP PNP 3A 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1124(транзистор) Код товару: 88718
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SB1124S-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 193863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1124S-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1124S-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1124S-TD-E | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V | на замовлення 3357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1124S-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1124S-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 29978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1124S-TD-E | SANYO | 09+ | на замовлення 64218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1124S-TD-E/BG | SANYO | 09+ | на замовлення 10980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1124S-TD-H | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1124S-TD-H | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1124T-TD | SANYO | SOT89 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1124T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 9446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1124T-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1124T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1124T-TD-E | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE | на замовлення 2638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1124T-TD-E | SANYO | SOT89 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1124T-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1124T-TD-H | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1124T-TD-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1124T-TD-H | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1124T-TD-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB1124T-TD-H - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1124T-TD-H | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1125 | KEXIN | 09+ | на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1125(BH) | на замовлення 132440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB1125-TC | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB1125-TD | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB1126 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB1126-TD | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB1126-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 1.5A PCP Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1126-TD-E | ON Semiconductor | 2SB1126-TD-E | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1126-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB1126-TD-E - 2SB1126 - TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB113 | NEC | CAN | на замовлення 329 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1131S | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin Case MP | на замовлення 1745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1131S | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: 3-MP Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | на замовлення 11881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1131S | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin Case MP | на замовлення 21881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1131S | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB1131S - 2SB1131S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 23626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1131S-AE | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB1131S-AE - 2SB1131 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 5A 20V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1131S-AE | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin Case MP | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1131S-AE | onsemi | Description: BIP PNP 5A 20V Supplier Device Package: 3-MP Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1131T | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin Case MP | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1131T | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: 3-MP Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1131T | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB1131T - 2SB1131T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1131T-AE | onsemi | Description: BIP PNP 5A 20V Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: 3-MP Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1131T-AE | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB1131T-AE - 2SB1131 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 5A 20V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1131T-AE | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin Case MP | на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1132 | EVVO | Description: TRANS PNP 32V 1A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-89 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1132 | HT Jinyu Semiconductor | Transistor (PNP) | на замовлення 1191000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1132 | Rohm | PNP, Uкэ=32V, Iк=1A, 0.5Вт, 150МГц, MPT3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132 Код товару: 30149
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-89 Гранична частота fT, MHz: 150 MHz Напруга Uке, V: 32 V Напруга Uкб, V: 40 V Струм Iк, A: 1 A Коефіцієнт підсилення h21, max: 390 | товару немає в наявності
|
| |||||||||
| 2SB1132 | EVVO | Description: TRANS PNP 32V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-89 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1132 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132 T100R | ROHM | SOT89 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132 T100Q | ROHM | SOT89 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132 T100R | ROHM | 09+ | на замовлення 87986 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132(RY) | ROHM | 09+ | на замовлення 16018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132-BA | KEXIN | 09+ | на замовлення 55018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132-P-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 32V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132-Q | KESENES | 09+ | на замовлення 102068 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132-Q-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 32V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132-R | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 32V 500MW 1A PNP SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-89 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132-R | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 32V 500MW 1A PNP SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-89 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1132-R-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 32V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132-RF | ROHM | 09+ | на замовлення 66018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132-T100Q | ROHM | SOT89 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132-T113Q | ROHM | SOT89 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132/Q | ROHM | SOT-89 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132/R | ROHM | SOT-89 | на замовлення 9600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132L | UNISONIC | 09+ | на замовлення 1368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132MHTT100Q | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132MHTT100R | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132MHXT100R | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132Q | ROHM | SOT89 | на замовлення 3390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132R | RCR | 0529+ SOT-89 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132T 100R | ROHM | на замовлення 97000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

