Продукція > 2SJ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SJ282 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ283 | SANYO | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ284 | SANYO | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ284/AM | SANYO | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ285 | SANYO | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ286 | NEC | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ287 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ288 | SANYO | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ289 | SANYO | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ29 | TOS | 01+ TO-3 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ290 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ291 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ292 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ293 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ293-E | Rochester Electronics, LLC | Description: 15A, 60V, P-CHANNEL MOSFET | на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 87 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ294 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ295 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ295-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ296 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ296STL | HIT | TO263/2.5 | на замовлення 865 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ296STL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SJ296STL-E | Renesas | SILICON P-CHANNEL MOS FET | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SJ297 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ298 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ299 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ300 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ302 | NEC | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ302-AZ | Rochester Electronics, LLC | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 134 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ302-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ302-Z | NEC | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ302-Z-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SJ302-Z-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ302-Z-E1 | NEC | SOT263/2.5 | на замовлення 826 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ302-Z-E1-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ303 | NEC | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ304 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ304 Код товару: 144762
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ304 | Toshiba | MOSFETs 220NIS2 PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),DISCON-->2010-02-03 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ304 (F) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ304(F) | Toshiba | MOSFET MOSFET P-Ch 60V 14A Rdson 0.12 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ304(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ305 | TOSHIBA | 09+ | на замовлення 357018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ305(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SJ305(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 4 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SJ305(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SJ305(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 4 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SJ305/KN | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SJ305TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 50mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 3 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SJ305TE85LF | Toshiba | MOSFETs P-Ch Vth -0.5 -1.5V RDS 2.4Ohm 200mW | на замовлення 5131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SJ305TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 50mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 3 V | на замовлення 11230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SJ305TE85LF MOSF P CH 30V 200MA транзистор Код товару: 63269
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ306 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 250V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SJ306 | Sanyo | 3 A, 250 V, 2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220ML Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ306 Код товару: 84930
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні Примітка: Ізольований корпус | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||
| 2SJ306 | Rochester Electronics, LLC | Description: 3A, 250V, 2ohm, P-Channel MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ306 | SANYO | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ307 | --- | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ307 Код товару: 84929
Додати до обраних
Обраний товар
| Sanyo | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220ML Напруга сток-витік Uds, V: 250 V Струм стоку Id, A: 6 A Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 1250/ Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| 2SJ308 | SANYO | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ312 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ312(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO-220FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ313 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ313-Y | Toshiba | MOSFET 220NIS1 PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ313-Y (Q) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ3132SK2013 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SJ313Y | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ314 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ314-01J314 | 97+ 252 | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ314-01S | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SJ314-01S-TB16R | FUJITSU | SOT252 | на замовлення 7929 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ314-01S-TB16R SOT252 | FUJITSU | на замовлення 7929 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ315 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ316 | SANYO | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ316-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ316-TD-E - 2SJ316 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SJ316-TD-E | onsemi | Description: PCH 4V DRIVE SERIES Packaging: Bulk | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SJ316-TD-E | ON Semiconductor | 2SJ316-TD-E | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SJ317 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ317NYTL | HITACHI | 04+ | на замовлення 828 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ317NYTL SOT89-NY | RENESAS | на замовлення 732 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ317NYTL-E | Renesas Electronics America Inc | Description: P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 489 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ317NYTL-E | Renesas | 2SJ317NYTL-E | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SJ317NYTR | Renesas | Trans MOSFET P-CH Si 12V 2A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SJ317NYTR | HITACHI | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ317NYTR | Renesas Electronics America Inc | Description: P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 525 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ317NYTR-E | Renesas Electronics America Inc | Description: P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 489 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ317NYTR-E | Renesas | Trans MOSFET P-CH Si 12V 2A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R | на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SJ318 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ318-01 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SJ318LS | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SJ319 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ319-OISTL | HITACHI | 99+ SOT-223 | на замовлення 3999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ319L | на замовлення 8900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SJ319STL-E | Renesas Electronics America Inc | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ320 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ320 | Sanyo | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 4226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SJ321 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ322 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ323 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ324 | NEC | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SJ324-Z-E1 | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SJ324-Z-E1-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ325 Код товару: 34285
Додати до обраних
Обраний товар
| NEC | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: I-Pak Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Id, A: 4 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,083 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 800/28 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
|

