Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 95nC On-state resistance: 0.68mΩ Dimensions: 5x6mm Power dissipation: 195W Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16570Q5BT . | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 195 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 195 Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 490 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 85 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 2257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V | на замовлення 12928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V | на замовлення 17413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V | на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 1805 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V | на замовлення 4770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 3381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3420 @ 15, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 2,4 мОм, Ugs(th) = 1,6 В, Р, Вт = 3,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: VSON-CLIP-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт | на замовлення 1398 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Description: CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17303Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V | на замовлення 2698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 7502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17305Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 3.1W; VSONP8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 3.1W Case: VSONP8 On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 3466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17306Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.2 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.1 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 2524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V | на замовлення 3588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17306Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1 Verlustleistung: 3.2 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Rds(on)-Prüfspannung: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | на замовлення 165396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 165396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | на замовлення 4073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Gate-source voltage: ±10V Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Case: VSON-CLIP8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 3.9nC On-state resistance: 12.5mΩ Dimensions: 3.3x3.3mm Power dissipation: 2.7W Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Drain-source voltage: 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; CSD17308Q3T CSD17308Q3 TCSD17308q3 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | на замовлення 31592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD17308Q3T | на замовлення 15171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 14 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 15, Qg, нКл = 5,1 @ 4,5 В, Rds = 10,3 мОм @ 10 A, 8 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 44 A,... Транзистори Корпус: TDFN-8 Од. вим: кількість в упаковці: 2500 шт | на замовлення 804 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17308Q3 . | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 47 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3 Verlustleistung: 2.7 Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 44 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 28 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3 Verlustleistung: 28 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082 Rds(on)-Prüfspannung: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | MOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 | на замовлення 885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc) | на замовлення 2692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 44 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 28 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3 Verlustleistung: 28 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082 Rds(on)-Prüfspannung: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17308Q3T Код товару: 133334
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Case: VSON-CLIP8 Polarisation: unipolar Gate charge: 3.9nC Dimensions: 3.3x3.3mm On-state resistance: 9.4mΩ Power dissipation: 2.7W Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A | на замовлення 139 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17309Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 4200 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 4844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17309Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 4200 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V | на замовлення 8258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17310Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |

