Продукція > GSF

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 2 3 4 5 6

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

GSFQ6806

Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFQ6808

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A/10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.47W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.54 грн
10+	35.32 грн
25+	33.18 грн
100+	25.42 грн
250+	23.61 грн
500+	20.10 грн
1000+	15.81 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFQ6808

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A/10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.47W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFQ6R803

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.70 грн
16+	19.78 грн
100+	12.51 грн
500+	8.81 грн
1000+	7.86 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFQ6R803

Good-Ark Semiconductor

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFR0308

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V

на замовлення 2515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.87 грн
20+	15.47 грн
50+	11.14 грн
100+	9.12 грн
500+	6.77 грн

Мінімальне замовлення: 13 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFR0308

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.57 грн
9000+	4.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFR0603

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFR0603

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V

на замовлення 2917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.27 грн
15+	21.28 грн
50+	15.40 грн
100+	12.65 грн
500+	9.49 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFR0603

Good-Ark

Trans MOSFET P-CH 60V 3.3A 6-Pin SOT-23

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 30000 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFR15D03-B

JBC TOOLS

Category: Soldering accessories others
Description: Solder wire guide; without solder wire perforation; 1.5mm
Type of Soldering accessories: solder wire guide
Soldering equipment features: without solder wire perforation
Related items: JBC-SFR-B
Solder wire diameter: 1.5mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GSFR15V03-B

JBC TOOLS

Category: Soldering accessories others
Description: Solder wire guide; solder wire perforation; 1.5mm
Type of Soldering accessories: solder wire guide
Soldering equipment features: solder wire perforation
Related items: JBC-SFR-B
Solder wire diameter: 1.5mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GSFT06130

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	103.98 грн
1600+	94.21 грн

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFT06130

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V

на замовлення 489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.61 грн
10+	177.45 грн
25+	153.25 грн
100+	118.31 грн
250+	105.92 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFT06150

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.11 грн
10+	79.55 грн
25+	67.45 грн
100+	50.45 грн
250+	44.19 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFT06150

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	41.77 грн

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFT10020

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 106.00A, 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 100 V

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	297.85 грн
10+	189.30 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFT10020

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 106.00A, 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 100 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	109.16 грн
1600+	101.14 грн

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFT1060

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 50 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.71 грн
10+	78.87 грн
25+	74.90 грн
100+	57.74 грн
250+	53.97 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFT1060

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 50 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	52.78 грн
1600+	40.12 грн

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFT3R110

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

на замовлення 1599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.93 грн
10+	136.24 грн
100+	98.34 грн
800+	73.04 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFT4R010

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.09 грн
10+	89.67 грн
100+	71.36 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFT4R010

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
FET Type: N-Channel

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	62.71 грн
1600+	51.24 грн

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFT60R099

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 36.00A, 60
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3231 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 261W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	319.80 грн
10+	258.44 грн
100+	209.07 грн
500+	174.40 грн

В кошику од. на суму грн.

GSFT60R190

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V

на замовлення 1525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	204.58 грн
10+	127.56 грн
100+	87.80 грн
800+	62.86 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFT7R515

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 175.00A, 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 376W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	279.82 грн
10+	186.43 грн
100+	136.62 грн
800+	106.23 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFT9R706

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.89 грн
10+	36.61 грн
100+	25.34 грн
800+	19.87 грн
1600+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFTL2R710

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	83.61 грн
4000+	76.18 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFTL2R710

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GSFU2016

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 18.00A, 20
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

на замовлення 880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.54 грн
50+	45.18 грн
100+	40.16 грн
500+	29.40 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFU250N06

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 64A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051 pF @ 30 V

на замовлення 1125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.57 грн
10+	35.63 грн
50+	26.12 грн
100+	21.61 грн
500+	16.52 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFU6008

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7.00A, 600
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.30 грн
50+	51.14 грн
100+	45.60 грн
500+	33.67 грн
1000+	30.74 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFU60R190

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V

на замовлення 941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.12 грн
50+	103.83 грн
100+	93.60 грн
500+	71.01 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFU60R360

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 100 V

на замовлення 889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.55 грн
50+	59.39 грн
100+	53.05 грн
500+	39.34 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFU6513

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 13.00A, 65
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1746 pF @ 25 V

на замовлення 2366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.60 грн
10+	64.76 грн
100+	43.23 грн
500+	31.91 грн
1000+	29.12 грн
2000+	26.78 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFU8005

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 800
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 677.1 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.27 грн
50+	42.13 грн
100+	37.44 грн
500+	27.37 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFU80R280

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 17.00A, 80
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.98 грн
50+	95.96 грн
100+	87.50 грн
500+	67.96 грн
1000+	63.35 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFU9504

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 50 V

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	243.77 грн
10+	153.60 грн
100+	107.34 грн
500+	82.19 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFU95R500

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 10A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 50 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	290.01 грн
10+	234.36 грн
100+	189.63 грн
500+	158.19 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFW02009

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	1.53 грн
20000+	1.43 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFW02009

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V

на замовлення 8970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	7.05 грн
103+	2.94 грн
118+	2.57 грн
142+	2.00 грн
250+	1.81 грн
500+	1.69 грн
1000+	1.57 грн
2500+	1.47 грн
5000+	1.41 грн

Мінімальне замовлення: 45 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFW0501

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -130MA, -5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 20 V

на замовлення 9995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	14.89 грн
23+	13.51 грн
25+	12.86 грн
100+	6.89 грн
250+	5.11 грн
500+	4.24 грн
1000+	2.85 грн
2500+	2.42 грн
5000+	2.18 грн

Мінімальне замовлення: 22 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFW0501

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -130MA, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 20 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.13 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFW3004

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.40A, 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72.9 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GSFW3004

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.40A, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72.9 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.11 грн
6000+	2.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFX65R220

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 65
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1718 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GSFX65R220

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 65
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1718 pF @ 100 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	93.23 грн
5000+	88.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

GSFYR01616A2D

TBI Motion

Description: BALL SCREW NUT 16MM DIA 16MM LEA

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	10996.14 грн

В кошику од. на суму грн.

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 2 3 4 5 6