Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL3705Z Код товару: 99526
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 55 V Струм стоку Idd, A: 75 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 8 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2880/40 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||
| IRL3705ZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3705ZLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRL3705ZLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl | на замовлення 959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3705ZLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3705ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3705ZPBF Код товару: 113435
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, V: 55 V Струм стоку Idd, A: 75 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 8 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2880/40 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT | у наявності: 11 шт
очікується: 100 шт
|
| ||||||||||
| IRL3705ZPBF | International Rectifier | HEXFET Power MOSFET N-канальный, 75A, 55V, 130W, TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3705ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3705ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 8516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRL3705ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL3705ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 86 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRL3705ZS | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3705ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3705ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3705ZSPBF | Infineon / IR | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 40nC | на замовлення 409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3705ZSPBF Код товару: 26657
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, V: 55 V Струм стоку Idd, A: 75 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 8 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2880/40 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||
| IRL3705ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRL3705ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl | на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRL3705ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 86A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3705ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713 | International Rectifier | N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRL3713 | International Rectifier | N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRL3713 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713L(94-2390) | на замовлення 7095 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRL3713PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log LvlAB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713PBF Код товару: 198923
Додати до обраних
Обраний товар
| VBsemi | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 260 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 5890/110 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||
| IRL3713PBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713PBF Код товару: 35005
3
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 260 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 5890/110 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT | у наявності: 55 шт
|
| ||||||||||
| IRL3713PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 46500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRL3713SHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713SPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 75nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713SPBF Код товару: 28823
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRL3713STRL | IOR | на замовлення 97 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRL3713STRL | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713STRLHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713STRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log Lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713STRR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713STRRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3713STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 75nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714 | на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRL3714L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714L | на замовлення 5950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRL3714LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714STR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714STRL | на замовлення 11300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRL3714STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714STRR | на замовлення 2422 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRL3714STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714STRRPBF | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRL3714TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714ZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 350 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714ZLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 650 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714ZS | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714ZSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3714ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715 | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRL3715L | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 54A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715L | IOR | D-PAK | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715LPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 54A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715S | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715S | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 54A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 1171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRL3715SPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715STRL | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715STRLPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |

