Продукція > PDT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTA114YM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 37800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YM,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YM/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 47800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 14988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YM-QYL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTA114YM-Q/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA114YM-Q/SOT883/XQFN3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 152783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YMB,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YMB/SOT883B/XQFN3 | на замовлення 359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YMB,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 9730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQA147 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQA147 | NXP | Description: NXP - PDTA114YQA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 124966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 180 MHz Power - Max: 280 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN1010D-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YQAZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YQA/SOT1215/DFN1010D-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YQAZ | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 124966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 180 MHz Power - Max: 340 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1110D-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YQB-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 420mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 19935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 180 MHz Power - Max: 340 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1110D-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQB-QZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YQB-Q/SOT8015/DFN1110D- | на замовлення 14935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQBZ | Nexperia | PDTA114YQBZ | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YQBZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 180 MHz Power - Max: 340 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DFN1110D-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YQBZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YQB/SOT8015/DFN1110D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YQBZ | Nexperia | PDTA114YQBZ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YQC-QZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YQC-Q/SOT8009/DFN1412D- | на замовлення 14900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQC-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQCZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQCZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YQCZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YQC/SOT8009/DFN1412D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YQCZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TO-92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YT | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YT(P29) | на замовлення 41370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTA114YT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100 Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 180MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YT,215 | Nexperia | Tranzystor PNP; 100; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTA114YT,215; PDTA114YT.215; PDTA114YT TPDTA114yt кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YT/SOT23/TO-236AB | на замовлення 601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YT,215 Код товару: 172265
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PDTA114YT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA114YT-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YU | NXP USA Inc. | Description: PDTA114Y SERIES - PNP RESISTOR-E Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YU | PHILIPS | 2004 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 433000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YU,115 | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 18799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 180MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kohm, R2 = 47 kohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YU-QX | Nexperia | PNP Resistor-Equipped Transistor Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YU/L115 | NXP USA Inc. | Description: PDTA114Y SERIES - PNP RESISTOR-E Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A SOT323 Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 180 MHz Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YUF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YUF - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 230000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YUF | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 3339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA114YUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA114YUF | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC75 Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 96437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115EE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EK | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTA115EK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EM,315 | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 10210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115EM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 449600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115EM,315 Код товару: 174379
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PDTA115EM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EM,315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA115EM-Q/SOT883/XQFN3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EM-QYL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTA115EM-Q/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 199970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115EMB,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA115EMB/SOT883B/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 88776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115EMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA115EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115ES,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115ET | Nexperia | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA115ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 4414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA115ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

