Продукція > R60

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R6011625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE STD REV 1600V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 1600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011630XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011825XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011830XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.10 грн
10+204.54 грн
100+164.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 22A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 720mΩ
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 124W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011END3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 11A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.84 грн
10+154.02 грн
100+101.48 грн
500+96.65 грн
1000+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+77.49 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.48 грн
10+238.94 грн
100+195.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENJTLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+191.42 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+309.87 грн
100+220.06 грн
500+192.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.21 грн
50+98.70 грн
100+98.02 грн
500+88.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.00 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.65 грн
100+175.03 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 8034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.53 грн
10+141.31 грн
100+111.84 грн
500+100.79 грн
1000+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.82 грн
10+134.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.55 грн
100+182.44 грн
250+178.74 грн
500+168.78 грн
1000+146.36 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 11A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.84 грн
10+154.02 грн
100+101.48 грн
500+82.84 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.80 грн
10+170.29 грн
100+135.57 грн
500+107.65 грн
1000+91.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 720mΩ
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 124W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+57.32 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNJTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 11A Si MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.76 грн
10+143.69 грн
100+89.74 грн
500+71.11 грн
1000+65.31 грн
2000+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+304.69 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.37 грн
10+124.60 грн
100+85.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXROHMDescription: ROHM - R6011KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.24 грн
10+120.00 грн
100+73.94 грн
500+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 11A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6011KNX Rohm Semiconductor TR6011knx
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+110.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 11A Si MOSFET
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.85 грн
10+119.08 грн
100+71.11 грн
500+65.31 грн
1000+60.54 грн
2500+57.99 грн
5000+56.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXC7Rohm Semiconductor600V / 11A HV MOS, TO220FP, LT:12Weeks
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+181.44 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.60 грн
50+133.78 грн
100+121.32 грн
500+93.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.84 грн
10+142.11 грн
100+111.84 грн
500+91.82 грн
1000+86.98 грн
2000+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 53W; TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 720mΩ
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 53W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+137.27 грн
107+132.61 грн
250+128.60 грн
500+120.62 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012025XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012030XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 2.6KV 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+264.20 грн
56+254.13 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012ANJTLROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET NCH 600V 12A 3PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+265.20 грн
56+255.09 грн
100+246.44 грн
250+230.43 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012ANX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6012ANXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 12A MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012ANXFU7C7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNJTLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+248.54 грн
60+239.07 грн
100+230.95 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.11 грн
10+184.95 грн
100+149.60 грн
500+124.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNXROHMDescription: ROHM - R6012FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.39 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.39
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNXROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 12A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.46 грн
66+216.87 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.45 грн
60+236.44 грн
100+220.28 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.24 грн
10+185.17 грн
100+130.97 грн
500+113.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.39 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 12A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.80 грн
10+211.18 грн
100+131.16 грн
500+113.22 грн
1000+107.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.39 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.44 грн
10+139.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.36 грн
128+110.85 грн
132+107.83 грн
500+98.41 грн
1000+90.37 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 12A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 1723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+145.28 грн
100+120.81 грн
500+112.53 грн
1000+104.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6013Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIB .5"DI 1=242'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BBP®11, BBP®12 Label Printer, THT 1" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 4" x 242'
Part Status: Active
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7127.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6013W.H. BradyBlack 6000 Series Thermal Transfer Printer Ribbon
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11313.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6013-00HarwinStandoffs & Spacers 12.7 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.24 грн
13+26.12 грн
100+19.74 грн
200+18.78 грн
500+17.81 грн
1000+16.78 грн
2000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6013-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"
Between Board Height: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Material: Nylon
Mounting Type: Snap Lock
Packaging: Bulk
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Holding Type: Snap Fit
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
10+32.61 грн
11+27.22 грн
25+24.03 грн
50+23.01 грн
100+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 650V 39A N-CH MOSFET
на замовлення 5047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.02 грн
10+122.26 грн
100+90.43 грн
500+88.36 грн
1000+86.98 грн
2500+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+113.02 грн
132+107.72 грн
148+96.14 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.75 грн
10+120.33 грн
25+109.97 грн
100+92.51 грн
250+87.42 грн
500+84.35 грн
1000+80.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6013VND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 131W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.56 грн
500+88.25 грн
1000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6013VND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 131W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.26 грн
10+149.80 грн
100+113.56 грн
500+88.25 грн
1000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VNXC7GROHMDescription: ROHM - R6013VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.25 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.92 грн
10+191.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 39A N-CH MOSFET
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.07 грн
10+131.79 грн
100+103.55 грн
500+99.41 грн
1000+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.60 грн
10+84.66 грн
50+72.45 грн
100+64.44 грн
250+60.68 грн
500+58.42 грн
1000+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6014YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.27 грн
10+132.89 грн
100+96.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 650V 42A N-CH MOSFET
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.23 грн
10+173.86 грн
100+108.38 грн
500+93.20 грн
1000+91.12 грн
2500+86.29 грн
5000+80.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 14A, TO-252, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+138.57 грн
108+131.34 грн
124+114.46 грн
200+105.26 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6014YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 14A, TO-252, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.35 грн
10+181.88 грн
100+127.61 грн
500+98.03 грн
1000+91.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6014YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.26 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.65 грн
10+209.40 грн
100+144.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 14A, TO-220AB, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.83 грн
50+171.20 грн
100+155.68 грн
500+120.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]