Продукція > RS6

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RS6N120BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.
на замовлення 7361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6N120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.23 грн
10+164.01 грн
50+126.62 грн
100+107.54 грн
500+88.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6N120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 135A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6N120BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6N120BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 3300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6N120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 135A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6N120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6N120BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6N120BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 3300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6P060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+256.47 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.48 грн
10000+58.91 грн
15000+54.82 грн
20000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 50 V
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.55 грн
10+134.43 грн
50+102.98 грн
100+87.15 грн
500+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6P060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HS0P8 100V 60A N CHAN
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+262.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.52 грн
10+141.97 грн
100+98.45 грн
500+74.93 грн
1000+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 100V 100A
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+170.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 50 V
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.66 грн
10+182.05 грн
50+141.14 грн
100+120.11 грн
500+100.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+237.48 грн
67+212.53 грн
100+180.03 грн
250+163.95 грн
500+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.18 грн
100+146.06 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+237.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+259.30 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6R035BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.19 грн
15000+48.61 грн
22500+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 75 V
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.93 грн
10+129.45 грн
100+89.56 грн
500+70.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+188.50 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6R035BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSMT8 150V 35A N CHAN
на замовлення 4873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+133.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET
на замовлення 3866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+353.59 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.47 грн
10+175.86 грн
100+123.82 грн
500+104.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+218.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R060BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R085CHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 150V 85A
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.