Продукція > SQ4

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 2 3 4 5 6

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SQ4949EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 45414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	157.55 грн
10+	97.74 грн
100+	66.56 грн
500+	49.95 грн
1000+	48.65 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SQ4961EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 25482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4961EY-T1_GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SQ4961EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SQ4961EY-T1_GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	57.46 грн

Мінімальне замовлення: 247 шт

В кошику од. на суму грн.

SQ4961EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

2P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1140 @ 25, Qg, нКл = 40, Rds = 85 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 5 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SQ4961EY-T1_GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	85.29 грн
11+	73.75 грн
25+	73.33 грн
100+	61.67 грн
250+	56.53 грн
500+	49.25 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

SQ4961EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	163.03 грн
10+	100.61 грн
100+	68.29 грн
500+	51.10 грн
1000+	46.93 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SQ4D01200B2

на замовлення 6000 шт: