Продукція > STN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STN4NF03L | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 30 Volt 6.5 Amp | на замовлення 4849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN4NF03L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN4NF03L | STM | SOT-223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN4NF03L (ST) Код товару: 14725
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-223 Напруга сток-витік Uds, В: 30 В Струм стоку Idd, А: 6,5 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,039 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 330/6,5 Монтаж: SMD | у наявності: 271 шт
на замовлення: 50 шт
|
| ||||||||||||||||
| STN4NF03L-TR | ST | на замовлення 40518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STN4NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN4NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN4NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN4NF06L | STMicroelectronics | MOSFETs N-CH 60V 4A STripFET | на замовлення 9966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN4NF06L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN4NF06L | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN4NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN4NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN4NF06L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN4NF06L | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 3.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN4NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN4NF20L | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II | на замовлення 5997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN4NF20L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN4NF20L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN4NF20L | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 3.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: StripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm | на замовлення 2704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN4NF20L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN4NF20L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN4NF20L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | на замовлення 4225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN4NF20L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN4NF20L | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 3.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: StripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm | на замовлення 2704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN4NF20L | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 1A; 3.3W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 1A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN4NF20L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN4NF20L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN4NF30L | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STN50-G | ABB Installation Products | PVC CTD STR INSUL CONN 1/2IN GRAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN5PF02V | STMicroelectronics | MOSFET P-Ch 20 Volt 4.6 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN5PF02V | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN5PF02V | на замовлення 52500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STN5PF02V | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN5PF02V | STM | SOT223 STM Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN6.2N | ROHM | SOT23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN6.8N | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STN6562 | на замовлення 123800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STN659 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STN690A | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 30V 3A SOT223 | на замовлення 801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN690A | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 30V 3A SOT223 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN690A | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 30V 3A SOT223 | на замовлення 801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN6N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN6N60M2 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.5A; Idm: 8A; 6W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 5.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.25Ω Pulsed drain current: 8A Gate charge: 6.2nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN6N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN6N60M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN6N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN6N60M2 | STM | MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN6NE06-TR | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STN6NF10-TR | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STN715 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN715 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-223 Power - Max: 1.6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Supplier Device Package: SOT-223 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN715 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN724 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN724 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 30V 3A SOT-223 Power - Max: 1.6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Supplier Device Package: SOT-223 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN724 | на замовлення 52500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STN724 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 30V 3A SOT-223 Power - Max: 1.6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Supplier Device Package: SOT-223 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN749 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN749 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 25V 3A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.6 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN749 | на замовлення 52500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STN749 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT LED SINK DRIVER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN749 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 25V 3A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.6 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN790A | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN790A | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STN790A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 3 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN790A | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT POWER MOSFET | на замовлення 6909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN790A | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.6 W | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN790A | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STN790A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 3 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN790A | STM | PNP 60V 3A 1.6W SOT-223, HIGH PERFORMANCE,LOW VOLTAGE Транзистори | на замовлення 7 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN790A | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.6 W | на замовлення 6796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN790A-E | ST | 08+ TO-223 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN790A-TR | на замовлення 115000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STN7NF10 | ST | TO-223 | на замовлення 3855 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN815 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STN817 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STN817A | ST | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STN817A | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223 Power - Max: 1.6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Supplier Device Package: SOT-223 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN817A | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP MEDIUM Pwr TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN8205D | на замовлення 123800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STN83003 | STMicroelectronics | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 1.5A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | на замовлення 1407 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN83003 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STN83003 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN83003 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 400V 1.5A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.6 W | на замовлення 5452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN83003 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN83003 | STM | NPN 400V 1.0A SOT-223 FOR BALLAST Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN83003 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STN83003 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN83003 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT High voltage fast-switching NPN power transistor | на замовлення 6339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN83003 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN83003 | STMicroelectronics | Транзистор NPN, Uceo, В = 400, Ic = 1,5 А, hFE = 16 @ 350 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 500 мА, Р, Вт = 1,6, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN83003 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 400V 1.5A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.6 W | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN83003 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN83003 Код товару: 187367
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STN83003 | ST | NPN 400V 1.5A 1.6W STN83003 ST MICROELECTRONICS TSTN83003 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 174 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN851 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 60V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN851 | JSMicro Semiconductor | Transistor NPN; 350; 1,6W; 60V; 5A; 130MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: STN851 STMicroelectronics; STN851 JSMICRO TSTN851 JSM кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN851 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN851 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 60V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN851 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.6 W | на замовлення 5818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN851 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 60V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN851 Код товару: 86631
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STN851 | ST | Transistor NPN; 350; 1,6W, 60V; 5A; 130MHz, -65°C ~ 150°C; STN851 SOT223 STMicroelectronics TSTN851 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STN851 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 60V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

