Продукція > 2SA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 57 58 59 60 61 62 63 64 65  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SAR533P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
521+27.13 грн
540+26.15 грн
1000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SAR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 3A MPT3
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.11 грн
10+30.30 грн
100+22.64 грн
500+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SAR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
521+27.13 грн
540+26.15 грн
1000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -50V Vceo -3A Ic MPT3
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 3A MPT3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.27 грн
2000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 3A MPT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PFRAT100ROHMDescription: ROHM - 2SAR533PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP SOT-89 -3A 180 to 450hFE -50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 3A MPT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.15 грн
12+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PFRAT100ROHMDescription: ROHM - 2SAR533PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SAR533PHZGT100 - Transistor, Bipolar, PNP, 50 V, 3 A, SOT-89, AEC-Q101, 180 hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+70.00 грн
16+50.04 грн
100+34.71 грн
500+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT-89 PNP 50V 3A MID-PWR
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
529+26.69 грн
549+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 529 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 3A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+50.04 грн
407+34.71 грн
500+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SAR533PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, PNP, 50V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 180hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
736+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 736 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 3A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 3A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR533PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50V 2A Transistor
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542DTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
521+27.13 грн
540+26.15 грн
1000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542DTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542DTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 3A 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+38.25 грн
385+36.72 грн
500+35.39 грн
1000+33.01 грн
2500+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 3A HUML2020L3
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 240MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 3A 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+38.25 грн
385+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 3A HUML2020L3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.76 грн
10+35.07 грн
100+22.70 грн
500+16.30 грн
1000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542F3TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT 4.5-5.5V 1ch Nch FET LDO Controllers
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542PFRAT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
495+28.54 грн
497+28.43 грн
538+26.27 грн
1000+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 495 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542PFRAT100ROHMDescription: ROHM - 2SAR542PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 240MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542PFRAT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+36.26 грн
406+34.80 грн
500+33.55 грн
1000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP SOT-89 -5A 200 to 500hFE -30V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 5A MPT3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 240MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542PFRAT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+36.26 грн
406+34.80 грн
500+33.55 грн
1000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542PFRAT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542PFRAT100ROHMDescription: ROHM - 2SAR542PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 240MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 240MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.62 грн
10+38.34 грн
100+26.57 грн
500+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT PNP 30V 5A
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542PT100ROHMDescription: ROHM - 2SAR542PT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+41.40 грн
381+37.09 грн
500+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.64 грн
10+47.80 грн
100+31.30 грн
500+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+42.70 грн
361+39.11 грн
362+38.99 грн
500+30.54 грн
1000+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR542PT100ROHMDescription: ROHM - 2SAR542PT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR543DTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+55.92 грн
263+53.68 грн
500+51.74 грн
1000+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR543DTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 4A CPT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR543DTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT PNP 50V 3A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR543RHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, SOT-346T, -50V -3A, Driver Transistor
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR543RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SAR543RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR543RTLROHMDescription: ROHM - 2SAR543RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR543RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 3A TSMT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR543RTLROHMDescription: ROHM - 2SAR543RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR543RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Linear Constant Current VCM Driver
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR543RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 3A TSMT3
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.80 грн
10+42.22 грн
100+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544DTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
557+25.36 грн
578+24.45 грн
1000+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 2.5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -80V Vceo -2.5A Ic MPT3
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 2.5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.52 грн
10+34.70 грн
100+24.12 грн
500+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
639+22.12 грн
662+21.32 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP SOT-89 -2.5A 120 to 390hFE -80V
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 2.5A MPT3
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 2.5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.43 грн
10+32.24 грн
100+24.05 грн
500+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 2.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.05 грн
10+51.22 грн
100+33.82 грн
500+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SAR544PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 2.5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -80V -2.5A, Middle Power Transistor for Automotive
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SAR544PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2.5A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80V 2.5A Transistor
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 2.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 2.5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544RDIOTECTrans GP BJT PNP 80V 2.5A 1000mW T/R ODPOWIEDNIK: 2SAR544R-DIO; 2SAR544R T2SAR544R DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544RDiotec SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2.5A 1000mW T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544RDiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 80V, 2500mA, PNP
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544RDiotec SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 2.5A SOT23-3
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+35.66 грн
1500+18.25 грн
3000+10.00 грн
6000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Non-isolated AC/DC Converter
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 2.5A TSMT3
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.39 грн
10+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR544RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 2.5A TSMT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR552P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SAR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR552P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 3A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 330MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.66 грн
10+31.42 грн
100+21.84 грн
500+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR552P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SAR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR552P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 3A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 330MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR552P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -3A Ic MPT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR552PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 3A MPT3
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.52 грн
10+35.07 грн
100+26.22 грн
500+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR552PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP SOT-89 -3A 200 to 500hFE -30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR552PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 3A MPT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR552PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -30V -3A, Middle Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR552PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SAR552PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, PNP, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR552PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 3A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.45 грн
10+44.37 грн
100+29.08 грн
500+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR552PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SAR552PHZGT100 - Transistor, Bipolar, PNP, 30 V, 3 A, SOT-89, AEC-Q101, 200 hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR552PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 3A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR552PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 3A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR552PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR552PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT I2C BUS 1Kbit EEPROM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 57 58 59 60 61 62 63 64 65  [ Наступна Сторінка >> ]