Продукція > 2SK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 72 80  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SK3814-Z-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFET MP-3Z PoTr-MOSFET Low
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815SANYO05+
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815-DL-ESanyoDescription: 2SK3815 - N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+64.44 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815-DL-ESanyo Electric2SK3815-DL-E
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.57 грн
500+79.71 грн
1000+73.51 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3815-E - 2SK3815 - N-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815-EON Semiconductor2SK3815-E
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.57 грн
500+79.71 грн
1000+73.51 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3815-EonsemiDescription: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-1EonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+110.30 грн
500+99.26 грн
1000+91.55 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-DL-1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263-2
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-DL-1EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3816-DL-1E - 2SK3816-DL-1E, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+110.30 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-DL-1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263-2
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+57.76 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-DL-1EXonsemiDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3816-DL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMP-FD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3817-DL-EonsemiMOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3817-DL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A SMP-FD
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMP-FD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3818-DL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) SMP-FD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.53 грн
1000+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3818-DL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3818-DL-E - 2SK3818-DL-E, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3818-DL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) SMP-FD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.53 грн
1000+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3818-DL-ESanyoDescription: N-CHANNEL SILICON MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3819-DL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) SMP-FD
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+131.71 грн
500+118.78 грн
1000+109.58 грн
10000+94.21 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3819-DL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) SMP-FD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+131.71 грн
500+118.78 грн
1000+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3819-DL-EonsemiDescription: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3819-DL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) SMP-FD
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+131.71 грн
500+118.78 грн
1000+109.58 грн
10000+94.21 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3819-DL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3819-DL-E - 2SK3819 - N-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK382
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3820-DL-1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 26A TO263-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263-2
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3820-DL-1EXONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3820-DL-1EX - 2SK3820 - N-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3820-DL-1EXonsemiDescription: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+91.64 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3820-DL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc)
Supplier Device Package: SMP-FD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3820-DL-EonsemiMOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3820-EonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3821-DL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A SMP-FD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SMP-FD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3821-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3821-E - 2SK3821 - MOSFET N-CHANNEL 100V 40A SMP
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3821-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A SMP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3821-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A SMP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
на замовлення 18594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+237.98 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3823onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3824onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3826onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3826onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 26A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3827onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK383
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK384
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3842ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3842(TE24L,Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 60V 75A Rdson=0.0058Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3842(TE24L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 75A SC-97
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3843(TE24LQ)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3844(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220NIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3845(Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 60V 70A Rdson=0.0058Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3845(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 70A TO-3PN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3847(SM,Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK384K
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK384L
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK384S
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK385
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3850-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 0.7A 3-Pin(3+Tab) TP
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.33 грн
25+33.02 грн
100+23.14 грн
500+21.50 грн
1000+19.15 грн
2500+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3850-TL-EON Semiconductor2SK3850-TL-E
на замовлення 39900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.32 грн
1000+52.86 грн
10000+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3850-TL-EonsemiDescription: NCH 10V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 39900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3850-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3850-TL-E - 2SK3850 - N-CHANNEL 10V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3856-5-TB-EonsemiDescription: NCH 30MA 15V MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3806+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3806 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3856-5-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3856-5-TB-E - 2SK3856 - N-CHANNEL 30MA 15V MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3857TV-BTOSHIBAVESM2
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK386
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3863
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3863(TE16L1,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3868 (Q)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3868 (Q,M)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3868(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3868(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch, 500V, 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3868(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3868,LS1FJQ(JToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3868,LS1FJQ(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3868,S5Q(JToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK387
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,4Ohm; 9A; 270W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); 2SK3878 JSMICRO T2SK3878 JSM
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878
Код товару: 56955
2 Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SC-65
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/2200
Монтаж: THT
у наявності: 84 шт
  • 65 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+60.50 грн
10+54.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,4Ohm; 9A; 270W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); 2SK3878 JSMICRO T2SK3878 JSM
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878ToshibaN-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 9 А, Rds = 1 Ом, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-3PN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+260.01 грн
10+165.11 грн
100+141.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878(F)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878(F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SK3878(F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.3 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878(STA1,E,S)ToshibaTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 222 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+152.22 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878(STA1,E,S)Toshiba2SK3878(STA1,E,S) 2SK3878STA1.E.S 900V 9A 1O@10V,4A 150W 4V@1mA N Channel SC-65 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878FTOSHIBA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878[F]ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 9A TO-3PN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3879(TE24L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220SM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK388
Код товару: 149150
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK388
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3880TOSHIBA09+
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3880(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3880(SNKD,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3889(01)-ZK-E1-AY/JMNECTO263
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK389
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK389-BLToshibaMOSFETs Pb ZIP-FET(LF),DISCON(02-04)/PHASE-OUT(04-07)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK389-GRToshibaMOSFETs Pb ZIP-FET(LF),DISCON(02-04)/PHASE-OUT(04-07)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3892Panasonic Electronic ComponentsDescription: MOSFET N-CH 200V 22A TO220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3177 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3899(0)-ZK-E1-AYRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3899(0)-ZK-E1-AYRenesasSwitching N-Channel Power MOS FET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+542.14 грн
100+515.09 грн
500+488.04 грн
1000+444.53 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 72 80  [ Наступна Сторінка >> ]