Продукція > 2SK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK384 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3842 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3842(TE24L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 75A SC-97 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3842(TE24L,Q) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch 60V 75A Rdson=0.0058Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3843(TE24LQ) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3844(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220NIS Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3845(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO-3PN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3845(Q) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch 60V 70A Rdson=0.0058Ohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3847(SM,Q) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 58 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK384K | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK384L | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK384S | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK385 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3850-E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.7A 3-Pin(3+Tab) TP | на замовлення 2681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SK3850-TL-E | onsemi | Description: NCH 10V DRIVE SERIES Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 39900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SK3850-TL-E | ON Semiconductor | 2SK3850-TL-E | на замовлення 39900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SK3850-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK3850-TL-E - 2SK3850 - N-CHANNEL 10V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 39900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3856-5-TB-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK3856-5-TB-E - 2SK3856 - N-CHANNEL 30MA 15V MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3856-5-TB-E | onsemi | Description: NCH 30MA 15V MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SK3857TV-B | TOSHIBA | VESM2 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK386 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3863 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3863(TE16L1,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 500V 5A DP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3868 (Q) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3868 (Q,M) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3868(Q,M) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch, 500V, 5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3868(Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3868(STA4,A,Q) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3868,LS1FJQ(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3868,LS1FJQ(M | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3868,S5Q(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK387 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3878 Код товару: 56955
2
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SC-65 Напруга сток-витік Uds, В: 900 В Струм стоку Idd, А: 9 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/2200 Монтаж: THT | у наявності: 62 шт
очікується: 10 шт
|
| ||||||||||||
| 2SK3878 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,4Ohm; 9A; 270W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); 2SK3878 JSMICRO T2SK3878 JSM кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SK3878 | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SK3878 | Toshiba | N-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 9 А, Rds = 1 Ом, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-3PN Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SK3878 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,4Ohm; 9A; 270W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); 2SK3878 JSMICRO T2SK3878 JSM кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SK3878(F) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3878(F) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3878(F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SK3878(F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.3 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3878(STA1,E,S) | Toshiba | Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 47 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SK3878(STA1,E,S) | Toshiba | 2SK3878(STA1,E,S) 2SK3878STA1.E.S 900V 9A 1O@10V,4A 150W 4V@1mA N Channel SC-65 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3878F | TOSHIBA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SK3878[F] | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A TO-3PN Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3879(TE24L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220SM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK388 Код товару: 149150
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SK388 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3880 | TOSHIBA | 09+ | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3880(F) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 58 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3880(SNKD,F) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3889(01)-ZK-E1-AY/JM | NEC | TO263 | на замовлення 1001 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK389 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK389-BL | Toshiba | MOSFETs Pb ZIP-FET(LF),DISCON(02-04)/PHASE-OUT(04-07)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK389-GR | Toshiba | MOSFETs Pb ZIP-FET(LF),DISCON(02-04)/PHASE-OUT(04-07)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3892 | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 200V 22A TO220D-A1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220D-A1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3177 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3899(0)-ZK-E1-AY | Renesas | Switching N-Channel Power MOS FET | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SK3899(0)-ZK-E1-AY | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3899(0)-ZK-E1-AY | Renesas | Description: 2SK3899K - Nch Single Power Mosf Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) , 146W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3899(0)-ZK-E1-AZ | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3899(0)-ZK-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: TRANSISTOR Part Status: Obsolete Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3899(01)-ZK-E1-AY | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3899(01)-ZK-E1-AY | Renesas Electronics America Inc | Description: TRANSISTOR Part Status: Obsolete Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3899-ZK-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3899-ZK-E1-AY | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3899-ZK-E1-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK389BL | TOSHIBA | 01+ SOP | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK389GR | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK389V | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK38A | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK38K | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK39 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK390 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3900(0)-ZP-E1-AY | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3900(0)-ZP-E1-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3900-ZP-E1-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3900-ZP-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SK3901(0)-ZK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | Description: TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3902(0)-ZK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | Description: TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3902-ZK | на замовлення 1280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3902-ZK-E1-AY | Renesas | Description: 2SK3902-ZK-E1-AY - SWITCHING N-C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SK3903(F) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3905(F) | Toshiba | Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SK3906(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3907 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3907(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO-3PN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK391 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3917-ZK-E1-AZ | NEC | 10+ DIP јМµзЖч | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3918 | NEC | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SK3918 Код товару: 40761
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SK3918 | Renesas Electronics | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3918-2K-E1 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3918-AY | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3918-AZ | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3918-S15-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3918-ZK-E1 | NEC | 07+ SOP-14 | на замовлення 110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3918-ZK-E1 | Toshiba | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3918-ZK-E1 Код товару: 172606
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > ВЧ | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SK3918-ZK-E1-AZ | NEC | 07/06P | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3918-ZK-E1-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3918-ZK00099 | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

