Продукція > 2Sk
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK4177-DL-E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 1500V 2A SMP-FD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Supplier Device Package: SMP-FD Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4177-DL-E | onsemi | MOSFET POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4177-E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 1500V 2A SMP-FD Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SMP-FD Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4178-ZK-E1-AY | Renesas | Description: 2SK4178 - SWITCHING N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4178-ZK-E1-AY | Renesas | Switching N-Channel Power MOSFET | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK418 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK4180-T1-A | Renesas | 2SK4180-T1-A | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4180-T1-A | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4181-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | Description: MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4181-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | Description: MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4181-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | Description: MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK419 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK4196LS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220FI Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FI(LS) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4196LS-1E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3FS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Supplier Device Package: TO-220F-3FS Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4196LS-1E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4197FS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 30 V | на замовлення 59238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4197FS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube | на замовлення 15077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4197FS | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK4197FS - 2SK4197FS, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4197FS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube | на замовлення 2819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4197FS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4197FS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube | на замовлення 692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4197FS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube | на замовлення 40650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4197LS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FI Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FI(LS) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4198FS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube | на замовлення 54340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4198FS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.34Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4198FS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube | на замовлення 1349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4198FS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.34Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 30 V | на замовлення 56300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4198FS | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK4198FS - 2SK4198 - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4198FS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4198LS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FI Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.34Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FI(LS) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK41C | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK41D | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK41E | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK41F | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK41G | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK41NP | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK41NPC | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK41NPD | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK41NPE | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK41NPF | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK41NPG | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK42 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK420 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK4201-S19-AY | Renesas | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4201-S19-AY | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4201-S19-AY | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4202-S19-AY | Renesas | Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4202-S19-AY | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4202-S19-AY | Renesas | Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4207 | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4207 | TOSHIBA | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SK4207(Q) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4207(Q) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4209 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB Packaging: Tray Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.08Ohm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK421 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK4210 | Sanyo Electric | 2SK4210 | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4210 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB Packaging: Tray Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 190W (Tc) Supplier Device Package: TO-3PB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4210 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK4210 - 2SK4210, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4210 | onsemi | MOSFETs POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4210 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB Packaging: Tray Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 190W (Tc) Supplier Device Package: TO-3PB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4210 | Sanyo | Description: N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 190W (Tc) Supplier Device Package: TO-3PB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1.5 pF @ 30 V | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4212A-ZK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 738160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4212A-ZK-E1-AY | Renesas | Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 738160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4213-ZK-E1-AY | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4213A-ZK-E1-AY | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK422 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK4221 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO3PB Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PB Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 220W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tray Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4221 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-3PB Tray | на замовлення 8578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4221 | Sanyo | Description: N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 220W (Tc) Supplier Device Package: TO-3PB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2.25 pF @ 30 V | на замовлення 8578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4221 | onsemi | MOSFETs POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4221 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO3PB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PB Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 220W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tray | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4221 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK4221 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.18 ohm, TO-3PB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Bauform - Transistor: TO-3PB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4222 | onsemi | MOSFETs POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK4222 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PB Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 220W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tray | на замовлення 6504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4222 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3PB Tray | на замовлення 10092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK4222 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PB Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 220W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK423 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK4237 | TOSHI | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SK424 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK425 | NEC | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SK425-T1B | NEC | SOT23 | на замовлення 540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK425-T1B-A | Renesas | Trans JFET N-CH 50V 30mA Si 3-Pin Mini-Mold Tray | на замовлення 9972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK425-T1B-A | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SK426 | NEC | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SK426X21 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK426X22 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK426X23 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK426X24 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK426X25 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK426X26 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK426X27 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK426X28 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK427P | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK427Q | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK427R | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK427S | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK427T | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK427U | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK428 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK429 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

