Продукція > BD2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BD239BTUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1083+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 1083 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
50+22.44 грн
100+19.77 грн
500+14.15 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Pwr Transistors
на замовлення 8461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.41 грн
13+25.40 грн
100+19.47 грн
500+14.84 грн
1000+13.32 грн
2000+12.36 грн
5000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CONS/FAITO-220, Vceo=100V, Ic=2A,-55...+125 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+34.93 грн
410+34.58 грн
468+30.32 грн
598+22.89 грн
1000+19.04 грн
2000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CARKNPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C CDIL TBD239c c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 325 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.96 грн
50+34.62 грн
100+30.34 грн
500+22.92 грн
1000+19.06 грн
2000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CSTMNPN, Vceo=100V, Ic=2A, 30W, TO-220, -55...+125 Транзистори
на замовлення 173 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
17+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C
Код товару: 161416
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CONSEMIDescription: ONSEMI - BD239C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.62 грн
11+77.56 грн
100+46.71 грн
500+42.48 грн
1000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
на замовлення 6765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
559+63.46 грн
1000+58.52 грн
Мінімальне замовлення: 559 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239ConsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+71.50 грн
200+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CSTNPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C TBD239c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CSTMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 2A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 115V
Collector current: 2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.13 грн
50+17.96 грн
100+17.36 грн
500+15.36 грн
1000+13.64 грн
2000+12.70 грн
5000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C-SBournsBipolar Transistors - BJT 100V 2A NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
638+55.57 грн
1000+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTUONSEMIDescription: ONSEMI - BD239CTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 31265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.79 грн
10+32.55 грн
100+24.02 грн
500+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
638+55.57 грн
1000+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTUONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
638+55.57 грн
1000+51.25 грн
10000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTUonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
50+43.54 грн
100+38.75 грн
500+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239DBournsBipolar Transistors - BJT 30W NPN Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239D-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 120V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239D-SBournsBipolar Transistors - BJT 120V 1A NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239E-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 140V 2A TO220
Power - Max: 2 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239F-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 160V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239TUonsemiDescription: TRANS NPN 45V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 30 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD24Amphenol FCIStandard Circular Connector 1X BRAID
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240BournsBipolar Transistors - BJT 30W PNP Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240-SBournsBipolar Transistors - BJT 45V 2A PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240-SBourns Inc.Description: TRANS PNP 45V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240A
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD240Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240AonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240AInfineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240AREBipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 30W Through Hole TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240ABournsBipolar Transistors - BJT 30W PNP Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240A-SBournsBipolar Transistors - BJT 60V 2A PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240BonsemiDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240BONS/FAITO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240B
Код товару: 162498
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240BBournsBipolar Transistors - BJT 30W PNP Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240BARKPNP 2A 80V 30W 3MHz BD240B TBD240b
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD240BON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.88 грн
27+28.34 грн
29+26.30 грн
50+24.13 грн
100+21.31 грн
500+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD240BMotorolaTO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240BONSEMIDescription: ONSEMI - BD240B - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD240Bonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240B-SBournsТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240B-SBournsBipolar Transistors - BJT 80V 2A PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240B-SBourns Inc.Description: TRANS PNP 80V 2A TO220
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240BTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240BTUonsemiDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240BTUONS/FAITO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240CimportPNP 2A 100V 30W 3MHz Replacement: TIP30C BD240C TBD240c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD240Consemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/2A/100V TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240CMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD240C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.23 грн
25+32.78 грн
100+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD240CBournsBipolar Transistors - BJT 30W PNP Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240C
Код товару: 31527
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240CHarris CorporationDescription: PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD240C-SBourns Inc.Description: TRANS PNP 100V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240C-SBournsBipolar Transistors - BJT 100V 2A PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240C.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD240C. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.29 грн
10+177.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD240CTUonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240CTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
974+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 974 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD240CTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/2A/100V/TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240CTUONSEMIDescription: ONSEMI - BD240CTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Verlustleistung Pd: 30
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240CTUONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD240CTU-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+79.98 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD240TUonsemiDescription: TRANS PNP 45V 2A TO220-3
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241BournsBipolar Transistors - BJT 40W NPN Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 45V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241AST99+
на замовлення 14821 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD241ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-220
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD241A
Код товару: 133026
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241ABournsBipolar Transistors - BJT 40W NPN Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241A-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD241A-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN POWER TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241A-AonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241A-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241A-SBournsBipolar Transistors - BJT 60V 3A NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241ATUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241ATUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD241BSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241BBournsBipolar Transistors - BJT 40W NPN Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241BSTTO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD241B-SBournsBipolar Transistors - BJT 80V 3A NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241B-SInfineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241B-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 80V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241BFISTMNPN, 80V, 3A, TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241BFI
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD241BTUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241BTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241BTUONSEMIDescription: ONSEMI - BD241BTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1336+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD241BTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]