Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL3715STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715STRR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715TR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715TRL | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715TRPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715TRR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715TRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715Z | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3715ZCLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZCS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZCS | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZCSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZCSTRL | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZCSTRL | IOR | 2003 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZCSTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZCSTRLP | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZCSTRR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZCSTRRP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZCSTRRP | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO262 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 20V 50A 11mOhm 7nC Log Lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 20V 50A 7nC 11mOhm Qg log lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 350 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZS | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZSPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 20V 50A 11mOhm 7nC Qg Log Lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3715ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716L | International Rectifier | N-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l кількість в упаковці: 11 шт | на замовлення 11 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IRL3716LPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 180A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL3716PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 180 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 210 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716PBF Код товару: 98084
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IRL3716PBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716SHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716SPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716STRL | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716STRLHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716STRLPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716STRR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716STRRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3716STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3717S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 9600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803LPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803LPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 140A TO-262 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IRL3803PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL3803PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803PBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803PBF Код товару: 28690
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 140 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 5000/140 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT | у наявності: 29 шт
|
| ||||||||
| IRL3803PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803PBF | IRL3803PBF Транзисторы HEXFET | на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IRL3803PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IRL3803PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803S | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803S smd TIRL3803s кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IRL3803S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803SPB | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3803SPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803SPBF | IR | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IRL3803STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803STRL | IR | 04+ TO-263 | на замовлення 389 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IRL3803STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IRL3803STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IRL3803STRLPBF | International Rectifier | Description: IRL3803 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IRL3803STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl | на замовлення 734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| IRL3803STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803STRRPBF | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3803STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IRL3803STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IRL3803STRRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL3803STRRPBF - IRL3803STR - PLANAR <40V tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 114 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803VL | на замовлення 1622 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRL3803VPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 140A 50.7nC 5.5mOhm LogLvAB | на замовлення 1259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803VPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803VPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRL3803VPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL3803VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 0.0055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 140 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |