Продукція > NTD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTD32N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06LT4G
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06T4G
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N65S3HONN
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD360N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.296 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.296ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.28 грн
10+139.81 грн
100+102.42 грн
500+89.06 грн
1000+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 916 pF @ 400 V
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.66 грн
10+143.64 грн
100+99.62 грн
500+75.84 грн
1000+74.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 360MOHM DPAK
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD360N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.296 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.296ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.42 грн
500+89.06 грн
1000+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 916 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.27 грн
10+115.03 грн
25+113.88 грн
50+108.72 грн
100+85.44 грн
250+76.93 грн
500+70.01 грн
1000+58.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N65S3HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 296mΩ
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 17.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.35 грн
500+87.56 грн
1000+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V
на замовлення 6891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.74 грн
10+179.41 грн
100+126.07 грн
500+99.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.2A; Idm: 32.5A; 96W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 32.5A
Power dissipation: 96W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZON Semiconductor
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.46 грн
10+134.12 грн
100+98.35 грн
500+87.56 грн
1000+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+89.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZonsemiMOSFETs SF3 800V 360MOHM DPAK
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3808N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
на замовлення 7275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 1158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3808N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3808N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3808N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3808N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3808N-35G - NTD3808N-35G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1275+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 1275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3808NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3808NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3808NT4G - NTD3808NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 59025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3808NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Vgs (Max): ±16V
на замовлення 59025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3813N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3813N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 963 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3813N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 963 pF @ 12 V
на замовлення 11550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3813NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3817N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3817N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 12 V
на замовлення 15525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3817N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3817NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A DPAK
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03G
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RON07+ SOT-252
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RonsemiMOSFET 25V 45A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R (Транзистори польові N-канал)
Код товару: 45586
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD40N03R-001 - MOSFET N-CH 25V 45A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1514+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 1514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-1onsemiMOSFET 25V 45A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 350178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
956+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 956 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-1GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RGONTO-252/D-PAK
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD40N03RT4 - NTD40N03RT4, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4onsemiMOSFET 25V 45A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1514+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 1514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4GONTO252
на замовлення 16377 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4GonsemiMOSFET 25V 45A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4GOSonsemiMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302onsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302ON07+ SOT-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302-001onsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
Packaging: Bulk
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4302-001 - NTD4302-001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1575+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 1575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302-1GonsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
на замовлення 34404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4302-1G - NTD4302-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1530+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 1530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302GONTO-252/D-PAK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302GonsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
на замовлення 35125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4302T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.31 грн
10+109.73 грн
100+82.10 грн
500+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4GonsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
426+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.82 грн
10+128.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4G**********
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4404N1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4404NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4404NT4G - NTD4404NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD452AP
Код товару: 94294
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD452AP
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804Nonsemi NFET DPAK 30V 117A 4MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-1onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-35onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+63.07 грн
1000+58.16 грн
10000+51.85 грн
Мінімальне замовлення: 561 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-35GON Semiconductor
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]