Продукція > SI9

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI9407BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.14 грн
18+44.03 грн
25+43.88 грн
100+39.13 грн
250+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI9407BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.69 грн
10+91.85 грн
100+62.02 грн
500+45.66 грн
1000+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.71 грн
5000+36.53 грн
7500+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 60504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3
Код товару: 183584
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+44.01 грн
345+41.03 грн
352+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 22662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.80 грн
50+79.01 грн
100+52.51 грн
500+38.42 грн
1000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3VishayP-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 8117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3SiliconixP-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 8927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+72.61 грн
100+48.53 грн
500+35.87 грн
1000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3Vishay BC ComponentsP-канальний ПТ, Udss, В = -60, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 600 @ 30, Qg, нКл = 22 @ 10 В, Rds = 120 мОм @ 3,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 1 Од
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 22662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.51 грн
500+38.42 грн
1000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.71 грн
5000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3SiliconixP-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.52 грн
5000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC N T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407DYVISHAY09+
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407DY-TSILICONIX09+ SO-8
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407DY-T1
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407DY-T1-E3
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407EYT1E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410SISOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410-5
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410ADY
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410B
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410BDY
Код товару: 45001
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410BDY
на замовлення 3651 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410BDY-T1
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410BDY-T1-E3VISHAY0602+
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410BDYT1E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410DYVISHAY
на замовлення 66200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410DYVishay / SiliconixMOSFETs 30V 7A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410DYonsemiMOSFETs 30V N-Ch FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410DY,518NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V SOT96-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410DY-T1VISHAY02+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410DY-TI
на замовлення 893 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9410DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9411-T1
на замовлення 9733 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9411DLSI02+ SOT-323-6
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9412SISOP-8
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9412DY-T1-E3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9412DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9413DY-T1SILICONIX96+
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI94145SITSSOP-16
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9415SIEMENS01+ SOP
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9420SISOP-8
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9420DYVISHAY09+
на замовлення 40018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9420DY-T1VISHAY07+ SOP-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9420DY-T1-E3
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9420DY-T1SOP-8
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9420DYT1
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9420DYT1E3VISHAY
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9422SI09+ SOP8
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9422ADY
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9422BDY
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9422DYSILICONIX00+ SOP-8
на замовлення 585 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9422DY-T1
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9422DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9422DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9423SISOP-8
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424SI07+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424B-T1-E3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424BDYSOP8
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424BDY-T1-E3
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424BDYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424BOY-T1-E3-10
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424DSI98
на замовлення 530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424DGSI00+ SOP8
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424DG-T1
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424DT-T1
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424DYonsemi / FairchildMOSFET Single P-Ch 20V/10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424DYFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424DYonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424DYVishay / SiliconixMOSFET 20V 7.7A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424DYonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424DYFAIRCHILD09+
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424DY-1
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424DY-T1VISHAYSOP8
на замовлення 196490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424DY-T1 SOP-8VISHAY
на замовлення 248700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424DY-T1 SOP8VISHAY
на замовлення 16200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]