Продукція > MMB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBT3904FZ-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 925mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904G-AE3-R | UTC | на замовлення 99000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBT3904G-BLISTER | On Semiconductor | SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904GSOT-23T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904GSOT-323T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904H RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 | на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904H RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN TRANSISTO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904H RFG | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-23, 60V, 0.2A, NPN Transistor | на замовлення 12695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904H RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904H RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN TRANSISTO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904H RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 | на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904HE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS 40V 0.2A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904HE3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904HE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 6Vebo 200mA 350mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904HE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS 40V 0.2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904HLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904HRFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MMBT3904HRFG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904K | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904K | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904L | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-23, 60V, 0.2A, NPN Bipolar Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904L | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN BIPOLAR T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904L | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904L | onsemi | SS SOT23 GP XSTR NPN 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904L | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN BIPOLAR T | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904L RF | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 0,3mW NPN Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904L RF | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904L RFG | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V, 0.2A, NPN Bipolar Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904L RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 110927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904L RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904L RFG | Taiwan Semiconductor | TRANS NPN 40V 0.2A SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904L RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904L-T1 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904L-UA RF | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TAIWAN Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904L-UA RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TAIWAN Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904L3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 3-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904L3-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS NPN 40V 0.2A DFN1006-3 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1006-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904L3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7 | Diodes | TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO | на замовлення 487599 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 200mA; 1W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 1W Case: X1-DFN1006-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 3000pcs. | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7B | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7B | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K | на замовлення 119200 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7B | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 1W Case: X1-DFN1006-3 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A Quantity in set/package: 10000pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 17709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7B | Diodes INC. | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: DFN1006-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 10000 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7B | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 200mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 17709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 985 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1 SOT23-1AM | ON | на замовлення 3013 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1(1AM) | на замовлення 11241 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1(1AM*) | на замовлення 14940 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1(ZA) | на замовлення 30247 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1/1AM | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1100-30 | на замовлення 579000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1100-300 | на замовлення 69009 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904LT11AM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT3904LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1012782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | On Semiconductor | NPN 40V SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1605000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE | на замовлення 527294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | ON-Semiconductor | NPN 200mA 40V 330mW 300MHz Possible substitute: PMBT3904,215 MMBT3904LT1G ONS TMMBT3904lt кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 105468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 844872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1605000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT3904LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1012782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | NPN 40V, 0.2A, general purpose transistor SOT-23-3 | на замовлення 955 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz | на замовлення 48419 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.3 @ 5 мА, 50 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 4 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 24 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 844865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G SOT23-1AM P | ON | на замовлення 1938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G /ONS Код товару: 58026
1
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uceo,V: 40 V Ucbo,V: 60 V Ic,A: 0,2 A Монтаж: SMD | у наявності: 2300 шт
|
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G(1AM) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1G-ON | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1GSOT23-1AMPB-FREE | на замовлення 1938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1H | onsemi | Description: MMBT3904 - NPN SILICON SWITCHING Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 59079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 40V 0.2A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.2A | на замовлення 202703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 40V 0.2A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 54000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1J | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1S | на замовлення 1375 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1SOT23-1AM | на замовлення 3013 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT3904LT1XT | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.2A | на замовлення 91429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT3904LT3 | MOTOROLA | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBT3904LT3 | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 200MA SOT23 Part Status: Obsolete Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

