Продукція > BCW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCW66HTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN Low Saturation | на замовлення 11017 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW66HTA | Diodes Inc./Zetex | NPN, 45V, 0.8A, 170MHz, SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW66HTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCW66HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW66HTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23-3 Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 1296000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW66HTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW66HTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW66HVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW66HVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66HVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 12825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW66HVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW66HVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 67600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW66HVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66HVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 12825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW66HVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .8A NPN BJ T | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW66HVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW66KE6359HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW66KE6359HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW66KFE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 170MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW66KFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW66KFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 170MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW66KFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW66KGE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW66KGE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 800mA; SC59; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Case: SC59 Current gain: 160 Mounting: SMD Frequency: 170MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW66KGE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW66KGE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW66KGE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW66KGE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW66KH E6327 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW66KHB6327 | INFINEON | 09+ SOT-235 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW66KHB6327HTLA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 170MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA | на замовлення 571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon | Tranzystor NPN; 630; 500mW; 45V; 800mA; 170MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW66KHE6327HTSA1; BCW66KHB6327HTLA1; BCW66KHE6327HTSA-0; BCW66KH TBCW66kh кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1920 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 47314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW67 | INFINEON | 04+ SOT-23 | на замовлення 12100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW67A | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW67A | INFINEON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BCW67AE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS 32V 0.8A PG-SOT23-3-1 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW67AE6327 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW67B | INFINEON | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BCW67BE6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.8A PG-SOT23 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 388951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 351000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.8A PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 14951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW67BE6327HTSA1 | Infineon | PNP 800mA 32V 330mW 200MHz BCW67B TBCW67b кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW67C | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 | на замовлення 167677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW67C | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW67C - BCW67 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 176900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW67C | infineon | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW67C | Infineon Technologies | Description: TRANS 32V 0.8A PG-SOT23-3-1 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 176800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW67CE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz | на замовлення 48 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW67CE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW67CE6327HTSA1 - BCW67 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 49000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW67CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.8A PG-SOT23 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW67CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW67CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 142000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68 | INF | SOT23 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68/D6S | INF | на замовлення 2984 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BCW68E-6359 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68E6327 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68E6359HTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW68E6359HTMA1 - TRANS BJTS SINGLE45V 800MA SOT23-3 TOR R tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68E6359HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANSISTOR AF SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68E6359HTMA1 | Infineon Technologies | BCW68E6359HTMA1^INFINEON | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68F | SMBT | на замовлення 342000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BCW68F | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68F | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68FE-6327DFs | INFINEON | 00+ SOT-23 | на замовлення 15100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68FE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68FE6327/DF | INF | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BCW68FE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68FE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.8A PG-SOT23 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68FE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68FR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68FR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68FR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68FR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 158000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68FR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 6492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68FR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68FR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 68500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68FVL | NXP | PNP, 45V, 0.8A, 200MHz, SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68FVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .8A PNP BJT | на замовлення 8734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68FVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68FVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68FVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68FVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68FVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68G | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BCW68G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT-23-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 40030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68G | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68G | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 209660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 17660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68G | JSMSEMI | Transistor PNP; 400; 330mW; 45V; 800mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BCW68GLT1G; BCW68GLT3G; BCW68GE6327HTSA1; BCW68G-TP; BCW68G JSMICRO TBCW68g JSM кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68G-ON | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 44530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68G-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN Plastic-Encapsulate Transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW68G-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 330mW; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Pulsed collector current: 1A Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 50...400 Frequency: 200MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP | на замовлення 2325 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW68G-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT-23 Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |

