Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RJK1536DPE-00#J3Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 89960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+557.76 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1555DPA-00#J0Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 150V, WPAK, Pb-F, HF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1555DPA-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1555DPA-WS#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1557DPA
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1557DPA-00#J0Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 150V, WPAK, Pb Free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1557DPA-00#J0
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1557DPA-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1560DPP-M0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 150V 20A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 4V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 25 V
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+173.87 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1562DJE-00#Z0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 150V 1A TO92MOD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Supplier Device Package: TO-92MOD
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Bulk
на замовлення 102357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+66.30 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1575DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 150V 25A WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 4418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.93 грн
10+186.81 грн
100+132.00 грн
500+101.92 грн
1000+94.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1575DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 150V 25A 48mohm SON-8 5x6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1575DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 150V 25A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1576DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 150V 25A 58mohm SON-8 5x6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1576DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 150V 25A WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 5977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.93 грн
10+186.81 грн
100+132.00 грн
500+101.92 грн
1000+94.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1576DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 150V 25A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2006DPE-00#J3Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LDPAK
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-83
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2009RENEAS
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2009DPMRENESAS06+ SOT565
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2009DPM-00#T0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PFM
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2009DPM-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2009DPM-01SE
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2017RENEASTO220/3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2017DPE-00#J3Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+176.13 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2017DPE-WS#J3Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+176.13 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2017DPP-00#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2017DPP-90#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+167.33 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2017DPP-90#T2FRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 72100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+167.33 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2017DPP-B1#T2FRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+167.33 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2017DPP-M0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs 200V, 36mOhm, TO-220FN
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2017DPP-M0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2055DPA
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2055DPA-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2055DPA-00#J0Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 200V, WPAK, Pb Free
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2055DPA-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2055DPA-00-J0RENESAS09+ QFN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2055DPA-WS#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2057DPA
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2057DPA-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2057DPA-00#J0Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 200V, WPAK, Pb Free
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2057DPA-WS#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2075DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFETs MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2075DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2075DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2076DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.63 грн
10+193.22 грн
100+136.68 грн
500+118.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2076DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+106.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2076DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFETs POWER TRANSISTOR SINGLE POWER MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2506
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2508DPK
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2508DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2508DPK-00#T0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2511DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET - Lead Free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2511DPK-00#T0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2555DPA-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2557DPA-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2557DPK-E
на замовлення 335 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2916
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK3008DPK
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4002DJE-00#Z0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 3A TO92MOD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 100 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-92MOD
Power Dissipation (Max): 2.54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4002DJE-00#Z0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4002DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 400V 3A 2900mohm TO-252 / DPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4002DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 3A MP3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
на замовлення 8989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.14 грн
10+91.33 грн
100+61.76 грн
500+46.10 грн
1000+42.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4002DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.43 грн
6000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4002DPP-M0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4002DPP-M0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 400V 3A TO220FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4006DPD-00#J2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MP-3A
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4006DPD-00#J2Renesas Electronics America IncDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MP-3A
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+188.12 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4006DPD-WS#J2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MP-3A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4006DPP-G1#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 8032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+124.63 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4006DPP-M0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4006DPP-M0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 400V 8A TO220FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4007DPP-00#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4007DPP-G2#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4007DPP-L1#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+202.55 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4007DPP-M0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 7.6A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4007DPP-M0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4012
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4012DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 400V 15A LDPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4013
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4013DPE-00#J3Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 17A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4013DPE-00#J3Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4015DPK-00#T0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 400V 30A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4018DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4018DPK-00#T0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 400V 43A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4034DJE-00#Z0Renesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4502DJE-00#Z0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 450V 2.8A TO92
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4512DPE-00#J3Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 450V 14A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4512DPP-00#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4512DPP-E0#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 3936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+305.82 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4512DPP-E0#T2RenesasTrans MOSFET N-CH 450V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+482.06 грн
100+458.49 грн
500+433.73 грн
1000+395.51 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4512DPP-E0#T2RenesasTrans MOSFET N-CH 450V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+482.06 грн
100+458.49 грн
500+433.73 грн
1000+395.51 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4512DPP-K0#T2RenesasRJK4512DPP-K0#T2
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+301.73 грн
500+285.23 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4512DPP-K0#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+201.43 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4513
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4513DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 450V 16A LDPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4514
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4514DPE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4514DPK
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4514DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4514DPK-00#T0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 450V 22A TO3P
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  Наступна Сторінка >> ]