Продукція > RN4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN4902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4902FE,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 7815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4902FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4902FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT563) | на замовлення 7265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4902FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4902FE,LXHF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4903 | TOSHIBA | на замовлення 24200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN4903(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4903(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4903(TE85L) | TOSHIBA | SOT363 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4903,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4903,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4903,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors PNP + NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A | на замовлення 9312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4903,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT Q1BS Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4903,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT 22kOhm 22kOhm 22kOhm 22kOhm -50V (SOT-363) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4903,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT Q1BS Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4903FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4903FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4903FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4903FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT563) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4903FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Part Status: Active Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4903FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Part Status: Active Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 7998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4904(F) | TOSHIBA | N/A | на замовлення 2227 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT26 | на замовлення 12394 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4904,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4904,LF | Toshiba | Digital Transistors US6-PLN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 5940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 5940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6 Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW | на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4904,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6 Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP + NPN , R1=47kOhm, R2=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363) | на замовлення 7260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4904/VD | TOSHIBA | на замовлення 78200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN4904FE | TOSHIBA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN4904FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 7600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 7600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904FE,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN4904FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 3426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4904FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4904FE,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4904FE,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN4904FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 3426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4904FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4904FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4904FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4904FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT563) | на замовлення 7880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4904T5RSN(VD) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN4905 | TOSHIBA | SOT363 | на замовлення 446000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4905(TE85L) | TOSHIBA | SOY363-VE | на замовлення 8370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4905(TE85L) SOT363-VE | TOSHIBA | на замовлення 5370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN4905(TE85L) SOY363-VE | TOSHIBA | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN4905(TE85L) SOT363-VE | TOSHIBA | на замовлення 5370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN4905(TE85L) SOY363-VE | TOSHIBA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN4905(TE85L)SOT363-VE | на замовлення 5370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN4905(TE85L)SOY363-VE | TOSHIBA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN4905(TE85LF) | Toshiba | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4905,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4905,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V | на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4905,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4905,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4905,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP + NPN , R1=2.2kOhm, R2=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363) | на замовлення 5230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4905,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4905FE(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors Gen Trans PNP x 2 ES6, -50V, -100A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4905FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4905FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4905FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 3880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4905FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4905FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6 Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4905FE,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 6286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4905FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A SOT563 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4905FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4905T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4905T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4905T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4905TE85L(VE) | на замовлення 936000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN4906 | TOSHIBA | 09+ | на замовлення 45018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906,LF | Toshiba | Digital Transistors US6-PLN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4906,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 5860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 5860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP + NPN , R1=4.7kOhm, R2=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363) | на замовлення 5370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4906,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4906FE | TOSH | SOT26/ | на замовлення 2035 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906FE(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors Gen Trans PNP x 2 ES6, -50V, -100A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

