Продукція > SP8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SP8J2TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J2TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC | на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J2TB | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SP8J3 | ROHM | 07+ SOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J3-TB | на замовлення 1850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SP8J3FU6TB | ROHM Semiconductor | MOSFET 30V 3.5A P-CHAN DUAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J3FU6TB | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SP8J3FU6TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J3TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J3TB | на замовлення 132 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SP8J3TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J4 | ROHM | 07+ SOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J4FU6TB | на замовлення 2652 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SP8J4TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J4TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J4TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J5 | ROHM | SO-8 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J5FRATB | Rohm Semiconductor | Description: 4V DRIVE PCH+PCH MOSFET (CORRESP | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J5FRATB | ROHM | Description: ROHM - SP8J5FRATB - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8J5FRATB | Rohm Semiconductor | Description: 4V DRIVE PCH+PCH MOSFET (CORRESP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J5FRATB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4V Drive Pch+Pch MOSFET (AEC-Q101 Qualified) | на замовлення 1028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J5FRATB | ROHM | Description: ROHM - SP8J5FRATB - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8J5FU6TB | ROHM Semiconductor | MOSFET -30V, -7A;DC-DC Conv. Switch, Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J5FU6TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J5TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J5TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J65TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J65TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET -30V -7A PCH DUAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J66FRATB | ROHM | Description: ROHM - SP8J66FRATB - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A tariffCode: 85364190 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8J66FRATB | ROHM | Description: ROHM - SP8J66FRATB - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A tariffCode: 85364190 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8J66TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8J66TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET -30V -9A PCH DUAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K1 | ROHM Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K1 | ROHM | на замовлення 16197 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SP8K1-TB | на замовлення 6900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SP8K10 | ROHM | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SP8K10S | ROHM | 07+ SOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K10S(мікросхема) Код товару: 45797
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SP8K10SFD5TB Код товару: 165035
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Ключі інтелектуальні, мультиплексори аналогові | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SP8K10SFD5TB | ROHM | 0942+ SOP-8 | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K10SFU6TB | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SP8K10SFU7TB | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SP8K1FRATB | ROHM | Description: ROHM - SP8K1FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.051 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K1FRATB | Rohm Semiconductor | Description: 30V NCH+NCH POWER MOSFET - SP8K1 | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K1FRATB | ROHM | Description: ROHM - SP8K1FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.051 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K1FRATB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET | на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K1FRATB | Rohm Semiconductor | Description: 30V NCH+NCH POWER MOSFET - SP8K1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K1FU6TB | ROHM Semiconductor | MOSFET RECOMMENDED ALT 755-SP8K1TB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K1FU6TB | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SP8K1FU6TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K1TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K1TB | на замовлення 2143 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SP8K1TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K1TB | ROHM Semiconductor | MOSFET TRANS MOSFET NCH 30V 5A 8PIN | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K1TB1 | на замовлення 2290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SP8K2 | ROHM | 07+ SOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K2 FU6TB | ROHM | SOP8 | на замовлення 2263 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K2 TB | ROHM | на замовлення 4410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SP8K2-TB | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SP8K22 | ROHM | 07+ SOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K22-TB | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SP8K22FRATB | Rohm Semiconductor | Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K22FRATB | ROHM | Description: ROHM - SP8K22FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K22FRATB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch+Nch 45V Vds 4.5A 0.046Rds(on) 6.8Qg | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K22FRATB | Rohm Semiconductor | Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP | на замовлення 2442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K22FRATB | ROHM | Description: ROHM - SP8K22FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K22FU6TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K22FU6TB | ROHM Semiconductor | MOSFET 45V, 4V; DC-DC Conv. Switch, Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K22HZGTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 45V 4.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K22HZGTB | ROHM | Description: ROHM - SP8K22HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K22HZGTB | ROHM Semiconductor | MOSFET AECQ | на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K22HZGTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 45V 4.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R | на замовлення 2328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K22HZGTB | ROHM | Description: ROHM - SP8K22HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K22TB | на замовлення 1408 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SP8K24 | ROHM | SOP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K24-TB | на замовлення 21760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SP8K24FRATB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch+Nch 45V Vds 6A 0.036Rds(on) 15.4Qg | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K24FRATB | Rohm Semiconductor | Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP | на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K24FRATB | Rohm Semiconductor | Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K24FRATB | Rohm Semiconductor | Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP | на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K24FU6TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K24FU6TB | ROHM Semiconductor | MOSFET 45V, 6V; DC-DC Conv. Switch, Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K24HZGTB | ROHM | Description: ROHM - SP8K24HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K24HZGTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 45V 6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K24HZGTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs AECQ | на замовлення 11628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K24HZGTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOP Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K24HZGTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 45V 6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K24HZGTB | ROHM | Description: ROHM - SP8K24HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K24HZGTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOP Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K24HZGTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 45V 6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K2FTB | на замовлення 2484 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SP8K2FU6TB | ROHM Semiconductor | MOSFET 30V, 6A; DC-DC Conv. Switch, Dual | на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K2FU6TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K2HZGTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.4W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA | на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K2HZGTB | ROHM | Description: ROHM - SP8K2HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K2HZGTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K2HZGTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs AECQ | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K2HZGTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.4W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SP8K2HZGTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SP8K2TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

