Продукція > mmb

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 108 126 144 162 180  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AU-R1-000A1PanjitBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN HV SOT23 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AU-R1-000A2PanjitBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN HV SOT23 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AU_R1_000A1PanJitCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AU_R1_000A2Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AU_R1_000A2Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AU_R1_000A2PanjitBipolar Transistors - BJT NPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE160V IC600mA SOT-23 AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AU_R1_005A1Panjit Automotive Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-B
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: NPN TRANS 160V 0.6A SOT-23-3L
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
24+13.06 грн
100+6.91 грн
500+4.26 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: NPN TRANS 160V 0.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-GComchip TechnologyRF Bipolar Transistors VCEO=160V IC=600mA
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-G1
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-HFComchip TechnologyDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-HFComchip TechnologyBipolar Transistors - BJT TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
на замовлення 6381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-HFComchip TechnologyDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 5904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.59 грн
100+5.91 грн
500+4.06 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-HFComchip TechnologyGeneral Purpose Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-MLMOSLEADERDescription: 0.3W 5V 0.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.81 грн
1000+2.47 грн
3000+1.90 грн
6000+1.73 грн
9000+1.67 грн
15000+1.59 грн
30000+1.46 грн
75000+1.33 грн
150000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-R1-00001PanjitBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN HV SOT23 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - MMBT5551-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 25455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.62 грн
58+5.28 грн
100+3.22 грн
500+2.18 грн
1000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - MMBT5551-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.22 грн
6000+1.90 грн
9000+1.78 грн
15000+1.54 грн
21000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12500+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TP-HF-B002Micro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551/3SFAIR
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551/G1MOTO
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551CT1
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551DW1T1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551G-B-AE3-RUTCSOT-23 09+
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551G1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551GSOT-23T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HE3-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
43+10.60 грн
70+6.01 грн
103+4.08 грн
500+3.26 грн
1000+2.99 грн
3000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
35+8.76 грн
100+5.40 грн
500+3.71 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551L
на замовлення 10667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551L(G1L)
на замовлення 26970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LGonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1onsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1/
на замовлення 76800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11949000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11279+1.25 грн
11364+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 11279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GOn SemiconductorNPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 289 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
289+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2847+4.97 грн
3615+3.91 грн
4425+3.20 грн
11195+1.22 грн
11279+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 2847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 224905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11949000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.25 грн
6000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 484501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
47+6.49 грн
100+3.99 грн
500+2.71 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4121+3.43 грн
9147+1.55 грн
27000+1.53 грн
51000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 4121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 160, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, hFE = 80 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+12.70 грн
99+7.64 грн
152+4.97 грн
500+3.77 грн
1000+2.85 грн
3000+1.08 грн
6000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.29 грн
6000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9346+3.78 грн
10490+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 9346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G(транзистор)
Код товару: 49592
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G1100
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G1100-200
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1HonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1HON SemiconductorMMBT5551LT1H
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1HonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3onsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+13.59 грн
86+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 11424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G
Код товару: 107209
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GOn SemiconductorNPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 19566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
47+6.49 грн
100+3.99 грн
500+2.71 грн
1000+2.38 грн
2000+2.09 грн
5000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.53 грн
30000+2.45 грн
50000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2484+5.70 грн
3624+3.90 грн
4717+3.00 грн
5536+2.46 грн
6049+2.09 грн
15000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 2484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+12.93 грн
87+8.68 грн
88+8.63 грн
132+5.55 грн
250+5.08 грн
500+3.35 грн
1000+2.57 грн
3000+2.19 грн
6000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14852+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 14852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LTI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.06A; 0.64W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.64W
Case: SOT723
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 MMBT5551M3T5G TMMBT5551m3
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
42+7.25 грн
100+4.45 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
2000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS
на замовлення 41669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551QYangjie TechnologyDescription: SOT-23 NPN 0.3W 0.6A 180V Transi
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.80 грн
15000+1.66 грн
30000+1.59 грн
60000+1.35 грн
120000+1.28 грн
300000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551QYangjie Electronic TechnologyNPN General Purpose Amplifier
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 8242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Q-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Q-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Q-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor SOT23 T&R 3K
на замовлення 24076 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 108 126 144 162 180  [ Наступна Сторінка >> ]