Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 108 126 144 162 180 181  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MMBT5551Diotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 12598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 4153
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 250
Монтаж: SMD
на замовлення: 150 шт
  • 150 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 G1WEJTransistor NPN; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ; Bipolar tranzistor MMBT5551 G1 WEJ TMMBT5551 G1 WEJ
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 14995 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1500+0.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 G1N/ASOT-23 05+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551(G1)
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551(RANGE:200-300)JSCJTRANS NPN 160V 600mA SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-13PMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-13PMicro Commercial ComponentsNPN Plastic Encapsulate Transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7DIODES07+ SOT-23
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 11015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
29+10.64 грн
35+8.76 грн
50+7.13 грн
100+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+16.70 грн
71+10.65 грн
73+10.43 грн
81+9.05 грн
135+5.03 грн
3000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS NPN 300mW
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.66 грн
9000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2513+5.63 грн
4286+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 2513 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDIOTECDescription: DIOTEC - MMBT5551-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100...300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDIOTECDescription: DIOTEC - MMBT5551-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+17.31 грн
1500+8.42 грн
3000+4.33 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AQDiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AU-R1-000A1PanjitBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN HV SOT23 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AU-R1-000A2PanjitBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN HV SOT23 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AU_R1_000A2Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AU_R1_000A2PanjitBipolar Transistors - BJT NPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE160V IC600mA SOT-23 AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AU_R1_000A2Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-AU_R1_005A1Panjit Automotive Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-B
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: NPN TRANS 160V 0.6A SOT-23-3L
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
24+13.06 грн
100+6.91 грн
500+4.26 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: NPN TRANS 160V 0.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-GComchip TechnologyRF Bipolar Transistors VCEO=160V IC=600mA
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-G1
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-HFComchip TechnologyGeneral Purpose Transistors
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-HFComchip TechnologyDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 6404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.74 грн
100+6.04 грн
500+4.15 грн
1000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-HFComchip TechnologyBipolar Transistors - BJT TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
на замовлення 6586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-HFComchip TechnologyDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-MLMOSLEADERDescription: 0.3W 5V 0.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.81 грн
1000+2.47 грн
3000+1.90 грн
6000+1.73 грн
9000+1.67 грн
15000+1.59 грн
30000+1.46 грн
75000+1.33 грн
150000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-R1-00001PanjitBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN HV SOT23 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 25455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.62 грн
58+5.28 грн
100+3.22 грн
500+2.18 грн
1000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.48 грн
6000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - MMBT5551-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.22 грн
6000+1.90 грн
9000+1.78 грн
15000+1.54 грн
21000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5704+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 5704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - MMBT5551-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12500+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-TP-HF-B002Micro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551/3SFAIR
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551/G1MOTO
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551CT1
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551DW1T1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551G-B-AE3-RUTCSOT-23 09+
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551G1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551GSOT-23T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
35+8.76 грн
100+5.40 грн
500+3.71 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HE3-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
44+10.48 грн
71+5.94 грн
104+4.03 грн
500+3.22 грн
1000+2.95 грн
3000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551L
на замовлення 10667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551L(G1L)
на замовлення 26970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LGonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1onsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1/
на замовлення 76800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 128089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GOn SemiconductorNPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 289 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
289+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
46+6.57 грн
100+4.08 грн
500+2.77 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 128089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 158658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+5.22 грн
500+4.14 грн
1000+3.63 грн
3000+1.29 грн
6000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.13 грн
80+5.28 грн
111+3.81 грн
127+3.31 грн
250+2.86 грн
500+2.53 грн
1000+2.21 грн
1500+2.05 грн
3000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 160, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, hFE = 80 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.08 грн
6000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+11.96 грн
83+9.15 грн
103+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7827000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11195+1.26 грн
11279+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 11195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2708+5.22 грн
3417+4.14 грн
3897+3.63 грн
10564+1.29 грн
10639+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 2708 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7827000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.26 грн
6000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G(транзистор)
Код товару: 49592
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G1100
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G1100-200
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1HON SemiconductorMMBT5551LT1H
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1HonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1HonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 108 126 144 162 180 181  Наступна Сторінка >> ]