Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 108 126 144 162 180  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MMBT5551Q-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551TGOODWORKDescription: NPN600mA 160V 200mW SOT-523
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W-AU-R1PanjitBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W-AU_R1_007A1PanJitCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: TRANS 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.90 грн
6000+2.49 грн
9000+2.34 грн
15000+2.04 грн
21000+1.94 грн
30000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W-AU_R1_007A1PanjitBipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified
на замовлення 26382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W-R1-00701PanjitBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701PanJitCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.80 грн
6000+2.41 грн
9000+2.26 грн
15000+1.97 грн
21000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 21563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
37+8.30 грн
100+5.10 грн
500+3.49 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701PanjitBipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
на замовлення 13971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551_NLonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE160V IC600mA SOT-23
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.74 грн
100+6.05 грн
500+4.16 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551_R1_00001PanJitCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551_R1_00001PanJitTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551_R2_00001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE160V IC600mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5571-NL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT560TC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT56WT1G
на замовлення 3284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT571LT1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5770Fairchild SemiconductorDescription: TRANSISTOR RF NPN SOT-23
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5770
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5770(3T)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5771ON SemiconductorDescription: TRANS PNP 15V 0.2A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5771ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 15V 0.2A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5771ON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/ 15V/ 200mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5771ON SemiconductorDescription: TRANS PNP 15V 0.2A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5771FAIRCHIL10+ DO-214
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5817LT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT581910+ SOD-323
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5819LT1
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5819T1GON09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 310MW 100@1MA,2V 1A PNP SOT-
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
31+9.81 грн
100+6.09 грн
500+4.19 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 310MW 100@1MA,2V 1A PNP SOT-
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
55+5.51 грн
100+3.37 грн
500+2.29 грн
1000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 30V 1A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589Lonsemionsemi SS SOT23 LS XSTR PNP 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Switching PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1ONSOT-23
на замовлення 13089 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1(G3)ON
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1/G3ON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.24 грн
6000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Switching PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.42 грн
18+24.66 грн
20+21.72 грн
50+18.87 грн
100+18.20 грн
500+17.19 грн
1000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.76 грн
100+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 10841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.83 грн
100+13.21 грн
500+9.30 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5962ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5962onsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5962ONS/FAITRANS NPN 45V 0.1A SOT-23 Транзистори
на замовлення 4 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
4+195.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5962FAIRCHILDSOT-23
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5962onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5962onsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5962_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5P03H
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT619Good-Ark SemiconductorDescription: TRANSISTOR, NPN, 2A, 50V, SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
13+24.23 грн
100+12.85 грн
500+7.93 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT619Good-Ark SemiconductorDescription: TRANSISTOR, NPN, 2A, 50V, SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6248LT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT624LT1
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT64
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6426LT1G
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427onsemiDescription: TRANS NPN DARL 40V 1.2A SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14000 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427onsemiDarlington Transistors NPN Transistor Darlington
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427onsemiDescription: TRANS NPN DARL 40V 1.2A SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14000 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427ON SemiconductorSOT23 DARL XTR-MARK 1V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427ONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 1.2A; 0.35W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427onsemi / FairchildDarlington Transistors NPN Transistor Darlington
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427(1V)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427(1V*)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427-7-FDiodes IncorporatedDarlington Transistors 40V 300mW
на замовлення 7451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT6427-7-F - Darlington-Transistor, NPN, 40 V, 300 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 14000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427-7-FDiodes ZetexTrans Darlington NPN 40V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427-7-FDiodes ZetexTrans Darlington NPN 40V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3677+3.85 грн
6000+3.09 грн
9000+2.92 грн
24000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3677 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 0.5A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.84 грн
55+7.63 грн
86+4.90 грн
106+3.96 грн
500+2.58 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
35+8.76 грн
100+5.40 грн
500+3.71 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT6427-7-F - Darlington-Transistor, NPN, 40 V, 300 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 14000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 14000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427-7-FDiodes ZetexTrans Darlington NPN 40V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.98 грн
6000+2.57 грн
9000+2.41 грн
15000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427CTDiodes IncorporatedDarlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN DARL 40V SMD SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427LT1ON09+
на замовлення 405018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427LT1onsemiDescription: TRANS SS DARL NPN 40V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427LT1onsemiDarlington Transistors 500mA 40V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427LT1On SemiconductorNPN Дарлингтон, Uкэ=40V, Iк=0.5A, 0.3Вт, SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427LT1-1VMOTO
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427LT1/1V9
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427LT1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4630+3.05 грн
6000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 4630 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT6427LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427LT1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.05 грн
6000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427LT1GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 0.5A; 0.225W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 108 126 144 162 180  [ Наступна Сторінка >> ]