Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF9024NTRPBF
Код товару: 171195
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9024NTRPBF
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9110TF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9120HARRISCAN-3
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9122NA03+ TSOP8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9123HAR00+ TO-39;
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9130International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+1884.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9130INFINEONDescription: INFINEON - IRF9130 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 11 A, 0.3 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 75
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9130Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9130(HEXFET P-CH 100V 12A 88W 0.3OM TO-204) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9130IR/MOT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9130CECCInternational RectifierDescription: IRF9100P-CHANNREPETITIAVALANCADV
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9130SMD05TT Electronics - IoT SolutionsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9130SMD05.01DASemelab (TT electronics)IRF9130SMD05.01DA^SEMELAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9130SMD05DSG.01Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFETs PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9131IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9132IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9133International RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Power Dissipation (Max): 88W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+426.40 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9133IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9139IR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9139TRPBFIRSOP8 07+08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9140INFINEONDescription: INFINEON - IRF9140 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 19
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9140IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9140Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9140International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9140PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9140SCXInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9141IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9142IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9143International RectifierDescription: MOSFET P-CH 80V 15A TO204AE
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AE
Power Dissipation (Max): 125W
FET Feature: Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+296.02 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9143IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9150IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9151IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9160A2NA03+ TSOP8
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9204NInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9204NPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9204PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 56A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7676 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9204PBFInternational RectifierMOSFET, P-CHANNEL, -40V, -74A, 19MOHM, 149 NC QG, TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9220IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9221IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9222IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9223IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9230TT Electronics - IoT SolutionsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9230Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9230IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9230Renesas / IntersilMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9230International RectifierDescription: 200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9230International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9231IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9231International RectifierDescription: 6.5A, 150V, 0.8OHM, P-CHANNEL PO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 75W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9232International RectifierDescription: 5.52001.2OHP-CHANNPOWMOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9232IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9233IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9233International Rectifier HiRel ProductsIRF9233
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+221.09 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9233International RectifierDescription: MOSFET P-CH 150V 5.5A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+157.22 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9240International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9240International RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 10243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+435.07 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9240Renesas / IntersilMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9240 транзистор
Код товару: 62851
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9240PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9241IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9242IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9243IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310International RectifierIRF9310PBF MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310
Код товару: 60294
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310PBF
Код товару: 66751
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 4.6mOhms 58nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310PBF-1Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRElecSuperP-Channel 30V 21A 4.2W Surface Mount SOP-8 IRF9310TR(ES); IRF9310TR SOP-8 ELECSUPER TIRF9310 ES
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRElecSuperP-Channel 30V 21A 4.2W Surface Mount SOP-8 IRF9310TR(ES); IRF9310TR SOP-8 ELECSUPER TIRF9310 ES
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TR&-9-VBVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TR&-9 TIRF9310-9 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TR&-9-VBVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TR&-9 TIRF9310-9 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 15, Qg, нКл = 165 @ 10 В, Rds = 4,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,4 В @ 100 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 4 Од. вим
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF
Код товару: 185610
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -30V -20A 4.6mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 6.6mOhms 31nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317PBF транзистор
Код товару: 60246
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10,2mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9317; IRF9317TR; SP001572200; SP001575412; IRF9317TR UMW TIRF9317 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRInfineonP-MOSFET 30V 16A 0.0066ohm IRF9317 TIRF9317
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRSLKORTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 15A; 4,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9317; IRF9317TR; SP001572200; SP001575412; IRF9317TR SLKOR TIRF9317 SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRInternational RectifierP-MOSFET 30V 16A 0.0066ohm IRF9317 TIRF9317
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+102.60 грн
144+98.01 грн
250+94.08 грн
500+87.45 грн
1000+78.33 грн
2500+72.97 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]