Продукція > mmb

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 108 126 144 162 180 181  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MMBT5551LT3onsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 20051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.70 грн
20000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.95 грн
30000+2.49 грн
50000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GOn SemiconductorNPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2484+5.70 грн
3624+3.90 грн
4717+3.00 грн
5536+2.46 грн
6049+2.09 грн
15000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 2484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G
Код товару: 107209
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+12.93 грн
87+8.68 грн
88+8.63 грн
132+5.55 грн
250+5.08 грн
500+3.35 грн
1000+2.57 грн
3000+2.19 грн
6000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 22791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
46+6.57 грн
100+4.08 грн
500+2.77 грн
1000+2.43 грн
2000+2.14 грн
5000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14852+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 14852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LTI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
41+7.40 грн
100+4.54 грн
500+3.10 грн
1000+2.72 грн
2000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2181+6.49 грн
3000+4.71 грн
3686+3.84 грн
5017+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 2181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.06A; 0.64W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.64W
Case: SOT723
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 MMBT5551M3T5G TMMBT5551m3
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS
на замовлення 39706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.97 грн
72+10.56 грн
117+6.49 грн
500+4.55 грн
1000+3.43 грн
2000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551QYangjie Electronic TechnologyNPN General Purpose Amplifier
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 8242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551QYangjie TechnologyDescription: SOT-23 NPN 0.3W 0.6A 180V Transi
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.80 грн
15000+1.66 грн
30000+1.59 грн
60000+1.35 грн
120000+1.28 грн
300000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Frequency: 100...300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Q-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor SOT23 T&R 3K
на замовлення 24087 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Q-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Q-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Q-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551TGOODWORKDescription: NPN600mA 160V 200mW SOT-523
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W-AU-R1PanjitBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: TRANS 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.96 грн
6000+2.55 грн
9000+2.39 грн
15000+2.08 грн
21000+1.99 грн
30000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W-AU_R1_007A1PanjitBipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified
на замовлення 26542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W-R1-00701PanjitBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 21563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
36+8.45 грн
100+5.22 грн
500+3.57 грн
1000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701PanJit SemiconductorCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701PanjitBipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
на замовлення 14081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.86 грн
6000+2.46 грн
9000+2.31 грн
15000+2.01 грн
21000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551_NLonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
31+9.96 грн
100+6.18 грн
500+4.25 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE160V IC600mA SOT-23
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551_R1_00001PanJitTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551_R2_00001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE160V IC600mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5571-NL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT560TC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT56WT1G
на замовлення 3284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT571LT1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5770Fairchild SemiconductorDescription: TRANSISTOR RF NPN SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5770
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5770(3T)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5771ON SemiconductorDescription: TRANS PNP 15V 0.2A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5771ON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/ 15V/ 200mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5771ON SemiconductorDescription: TRANS PNP 15V 0.2A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5771FAIRCHIL10+ DO-214
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5771ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 15V 0.2A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5817LT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT581910+ SOD-323
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5819LT1
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5819T1GON09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
31+9.81 грн
100+6.09 грн
500+4.19 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 310MW 100@1MA,2V 1A PNP SOT-
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
55+5.51 грн
100+3.37 грн
500+2.29 грн
1000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 310MW 100@1MA,2V 1A PNP SOT-
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 30V 1A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589Lonsemionsemi SS SOT23 LS XSTR PNP 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Switching PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1ONSOT-23
на замовлення 13089 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1(G3)ON
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1/G3ON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 32976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.28 грн
100+13.53 грн
500+9.52 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.51 грн
6000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.42 грн
18+24.66 грн
20+21.72 грн
50+18.87 грн
100+18.20 грн
500+17.19 грн
1000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Switching PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.76 грн
100+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5962onsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5962FAIRCHILDSOT-23
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5962onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5962ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5962onsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5962ONS/FAITRANS NPN 45V 0.1A SOT-23 Транзистори
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+195.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5962_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5P03H
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT619Good-Ark SemiconductorDescription: TRANSISTOR, NPN, 2A, 50V, SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
13+24.23 грн
100+12.85 грн
500+7.93 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT619Good-Ark SemiconductorDescription: TRANSISTOR, NPN, 2A, 50V, SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6248LT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT624LT1
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 108 126 144 162 180 181  [ Наступна Сторінка >> ]