Продукція > BFP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.1V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT343 Current gain: 110...270 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 42GHz | на замовлення 2607 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon | RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT-343 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Frequency - Transition: 37GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 500mW Gain: 10.5dB ~ 21.5dB Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP650 | INFINEON | SOT343 05+ | на замовлення 6580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP650 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP650(транзистор) Код товару: 55576
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP650E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 37GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP650E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT-343 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Frequency - Transition: 37GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 500mW Gain: 10.5dB ~ 21.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP650F | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP650F | INFINEON | 08+ QFN | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP650FH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; TSFP-4 Mounting: SMD Case: TSFP-4 Kind of package: reel; tape Frequency: 42GHz Kind of transistor: RF Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 13V Polarisation: bipolar | на замовлення 1430 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP Part Status: Active Supplier Device Package: 4-TSFP Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Frequency - Transition: 42GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 500mW Gain: 11dB ~ 21.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 900000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon | RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ TSFP-4 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 900000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP Part Status: Active Supplier Device Package: 4-TSFP Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Frequency - Transition: 42GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 500mW Gain: 11dB ~ 21.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 17172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 3956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343 Mounting: SMD Case: SOT343 Kind of package: reel; tape Frequency: 42GHz Kind of transistor: RF Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 13V Polarisation: bipolar | на замовлення 2573 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 37GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 21345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 37GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 21387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP67-GS08 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP67-GS08 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP67-GS08 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT RF Transistor, NPN, SOT-143 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP67-GS08 | Vishay | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP67R-GS08 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP67R-GS08 | VISHAY | SOT143 | на замовлення 129000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP67R-GS08 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT RF Transistor, NPN, SOT-143 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP67W-GS08 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP67W-GS08 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT RF Transistor, NPN, SOT-343 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP67W-GS08/W67 | VISHAY | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP67W-GS08SOT343-W67 | VISHAY | на замовлення 2588 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP7022 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: SPRAY CAN RAL7022 400 ML Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP7030 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: SPRAY CAN RAL7030 400 ML Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP7032 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: SPRAY CAN RAL7032 400 ML Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP7035 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: SPRAY CAN RAL7035 400 ML Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP720 транзистор Код товару: 102404
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP720ESDH6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11dB ~ 30.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V Frequency - Transition: 43GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 148726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP720ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 43GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11dB ~ 30.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V Frequency - Transition: 43GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP720ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 181900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP720ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP720ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 43 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 30mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 43GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP720ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP720ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 43GHZ SOT-343 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Power - Max: 100mW Gain: 11dB ~ 30.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz Frequency - Transition: 43GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP720ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP720ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 43 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 30mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 43GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP720ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 126226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP720FE6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 28dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP720FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 202513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP720FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4-TSFP Part Status: Active Supplier Device Package: 4-TSFP Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz Frequency - Transition: 45GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Power - Max: 100mW Gain: 10dB ~ 29dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP720FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 158970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP720FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4-TSFP Part Status: Active Supplier Device Package: 4-TSFP Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz Frequency - Transition: 45GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Power - Max: 100mW Gain: 10dB ~ 29dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP720FH6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP720FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4-TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 4-TSFP Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz Frequency - Transition: 45GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Power - Max: 100mW Gain: 10.5dB ~ 28dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, Flat Leads | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP720FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP720FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP720FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP720FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, TSFP Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 160 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: 45 Bauform - HF-Transistor: TSFP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.7 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP720FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP720FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4-TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 28dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP720FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP720FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP720FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, TSFP Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 160 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: 45 Bauform - HF-Transistor: TSFP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.7 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP720H6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 28.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 4517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP720H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 100mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 25mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP720H6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |

