Продукція > MJE
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MJE350 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 | STM | PNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20.8Вт, TO-126 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20.8 W | на замовлення 10093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 1091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1091 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 | ST | PNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 20W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 20W Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube | на замовлення 2236 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | STM | PNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20.8Вт, SOT-32 (компл. MJE340) Транзистори | на замовлення 2619 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | EVVO | Description: PNP PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSIST | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 1091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | On Semiconductor | PNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20Вт, TO-225AA (комплем. MJE340) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power | на замовлення 8504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 | ST | PNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 Код товару: 34450
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-126 Напруга Uке, В: 300 В Напруга Uкб, В: 300 В Струм Iк, А: 0,5 А | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 | ON Semiconductor | Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126 Од. вим: шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 37 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 | Good-Ark Semiconductor | Description: TRANS PNP 260V 0.5A TO-126 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V Power - Max: 20 W | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 69768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 20.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 | On Semiconductor | Power 0.5A 300V PNP Silicon Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 69745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 = KSE350STU Код товару: 30696
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-127 Напруга Uке, В: 300 В Напруга Uкб, В: 300 В Струм Iк, А: 0,5 А | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE350G | JSMicro Semiconductor | Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP | на замовлення 9107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350G | On Semiconductor | PNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20Вт, TO-225AA Pb Free Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350G | ON-Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350G | ON Semiconductor | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350G Код товару: 112488
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE350G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 20W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Current gain: 30...240 | на замовлення 607 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350G | onsemi | Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W | на замовлення 3944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350MJE340 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE350STU | onsemi | Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350STU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1920 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350STU-FS | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 /MJE340 | ON | 09+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE371 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE371 - TRANS PNP 40V 4A TO225AA tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE371 | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE371 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP GP | на замовлення 512 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE371 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE371(транзистор) Код товару: 92550
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE371G Код товару: 131917
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE371G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE371G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE371G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 40 W | на замовлення 581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE371G | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE371G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE371G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 40V 40W PNP | на замовлення 1991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE371G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE371G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3O55T | на замовлення 8658 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE4343 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE4343 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343 | onsemi | Description: TRANS NPN 160V 16A SOT-93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 750µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V Frequency - Transition: 1MHz Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343G | ON Semiconductor | Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, Pd=125W, TO–218 (CASE 340D–02)-(20.35x15.2x4.9, Rm=5.5)mm, t= -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO–218 Од. вим: шт кількість в упаковці: 30 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1020 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343G | onsemi | Description: TRANS NPN 160V 16A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 750µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V Frequency - Transition: 1MHz Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE4353 | onsemi | Description: TRANS PNP 160V 16A SOT-93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 750µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V Frequency - Transition: 1MHz Supplier Device Package: SOT-93 Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4353 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4353 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE4353 - TRANSISTOR, PNP TO-218 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4353 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4353G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4353G Код товару: 106227
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4353G | onsemi | Description: TRANS PNP 160V 16A SOT-93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 750µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V Frequency - Transition: 1MHz Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5050 | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE520 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE520 | на замовлення 1402 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE520 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE520 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W | на замовлення 2530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE520 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126 Packaging: Tube Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE520 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE521 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 40V 4A SOT-32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE521 | ON | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE521 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE521 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE521 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE521(транзистор) Код товару: 92551
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE521G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE521G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE521G - MJE521G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5730 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5730 | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE5730 | onsemi | Description: TRANS PNP 300V 1A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5730G | ON Semiconductor | Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=1A, F=10MHz).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5730G | onsemi | Description: TRANS PNP 300V 1A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 40 W | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5730G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5730G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP | на замовлення 3959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5730G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5730G Код товару: 171586
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE5731 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5731 | на замовлення 1556 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

