Продукція > PMV
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMV6DW3BYEL | E-Switch | Description: SWITCH PB SPST 2A 24V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV74EPER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA | на замовлення 10985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMV74EPER | Nexperia | MOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET | на замовлення 3988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV74EPER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMV75UP | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV75UP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMV75UP,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | на замовлення 811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMV75UP,215 | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.5A | на замовлення 2713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV75UP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV75UP,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV75UP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMV75UP/S500R | Nexperia USA Inc. | Description: PMV75UP - 20 V, P-channel Trench Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMV88ENEAR | Nexperia | MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV88ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV88ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV88ENEAR | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1.6A; Idm: 8.9A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 8.9A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 254mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV88ENEAR | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV88ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV88ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV88ENE/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V | на замовлення 2638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMV88ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMV88ENER | Nexperia | MOSFET PMV88ENE/SOT23/TO-236AB | на замовлення 28441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV88ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV88ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV88ENE/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV90EN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.09W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV90EN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.09W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV90ENE215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7797 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV90ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMV90ENER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 460mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm | на замовлення 8405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMV90ENER | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.9A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 0.118Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD Gate charge: 5.5nC Pulsed drain current: 12A | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMV90ENER | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 30V 3A | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV90ENER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V | на замовлення 1279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMV90ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMV90ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMV90ENER Код товару: 215730
Додати до обраних
Обраний товар
| Nexperia | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 3,7 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 54 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 160/3,6 Примітка: 30 V, N-channel Trench MOSFET Монтаж: SMD | у наявності: 25 шт
|
| ||||||||||||||
| PMV90ENER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMV90ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMV95NA575NFC | LOVATO ELECTRIC | Category: Monitoring Relays Description: Voltage monitoring relay Type of automation module: voltage monitoring relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMVCIR-3-850-PM-L-10-NE | Ascentta | Description: PM circulator, 850nm, 3 port, PM Packaging: Tape & Box (TB) Type: Optical Circulator, 3 Port | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMVF30D048 | LOVATO ELECTRIC | Category: Monitoring Relays Description: Voltage monitoring relay Type of automation module: voltage monitoring relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMVIS-532-PM-L-10-FA | Ascentta | Description: 532nm PM Isolator, Polarization Part Status: Active Packaging: Retail Package | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

