Продукція > SPB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPB22-55PSW | Amphenol Aerospace | Circular MIL Spec Connector SPB 55C 55#20 PIN/SKT RECP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB228-D-1 | H&D Wireless | Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules Description: Module: IoT; Bluetooth: 5.0; 16dBm; WiFi; SMD; 16x12x1.7mm Type of communications module: IoT Bluetooth version: 5.0 Transmitter output power: 16dBm Kind of network: WiFi Supply voltage: 3...3.47V DC Interface: GPIO; JTAG; PCIe 3.0; SDIO; UART; USB 3.0 Transfer rate: 800Mbps Mounting: SMD Dimensions: 16x12x1.7mm Ciphering: WEP; WPA2; WPA Connection: I-PEX (u.FL) x2 Receiver sensitivity: -100dBm Number of terminals: 96 Operating system: Android; Linux Operating temperature: -40...85°C | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||
| SPB228-D-2 | H&D Wireless | WLAN+BT Module 2400MHz/5000MHz SMD Module T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB22MT | CARLO GAVAZZI | Category: Resistive Magnetic Sensors Description: Sensor: magnetic field Type of sensor: magnetic field | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB232ACT | на замовлення 155 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB25MVW | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB300A | на замовлення 110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB300ABA0PBK | на замовлення 28500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB300ABA0PBK-L | на замовлення 507 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB300ABAOPBK | TI | 07+ | на замовлення 810 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB300AEA0PBK | на замовлення 652 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB30N03 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB30N03L | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB32/10M | ABB Installation Products | Conduit Fittings & Accessories 32MM GS-PVC COND GS BRD 10M-BL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB32N03-L | SIEMENS | 99 | на замовлення 495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB32N03L | INFINEON | 00+ TO263; | на замовлення 997 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB32N03LE3045A | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB35N10 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB35N10 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 26.4A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB35N10 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 26.4A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB35N10T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 26.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB42N03S2L-13 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 37µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB42N03S2L-13 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 37µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB42N03S2L-13 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB42N03S2L-13 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 37µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB42N03S2L13T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB460N03L | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB46N03 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB46N03L | XI.M.Z | 2002 TO-263 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB46N03L E3045A | INFINEON | TO263/2.5 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB46N03L-E3045A | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB47N10 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB47N10 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB47N10C | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB47N10L | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB47N10L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB47N10LE3045A | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB56N03-L | на замовлення 464 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB602 | MARATHON SPECIAL PRODUCTS | Description: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - SPB602 - STRADDLE PLATE, 2POS, 12.7MM, BRASS tariffCode: 85369010 Art des Zubehörs: Straddle Plate Anzahl der Positionen: 2-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 12.7mm euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 Zur Verwendung mit: Terminal Blocks usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| SPB64S | HITACHI | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| SPB70N10C | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB70N10L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB70N10L | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB73N03S2L-08 | INF | TO-263 | на замовлення 127000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB73N03S2L-08 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB73N03S2L-08 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB73N03S2L-08 G | INF | TO-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB73N03S2L-08G | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB73N03S2L08T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB77N06S2-12 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB77N06S2-12 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB7N60 | INFINEON | TO-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB8-98PS | Amphenol Industrial | Circular MIL Spec Connector SPB 3C 3#20 PIN/ SKT RECP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB800-BCP1 | H&D Wireless AB | Description: RF TXRX MODULE WIFI CHIP SMD Part Status: Active Serial Interfaces: UART RF Family/Standard: WiFi Modulation: 16QAM, 64QAM, BPSK, CCK, DBPSK, DQPSK, OFDM Antenna Type: Integrated, Chip Current - Transmitting: 186mA Current - Receiving: 77mA Protocol: 802.11b/g Data Rate: 54Mbps Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Module Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| SPB800P-BMP1 | H&D Wireless | Surface Mount Wi-Fi 802.11b/g Board | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03L | на замовлення 770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB80N03L(INFINEO | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB80N03L(INFINEON). | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB80N03L. | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB80N03LE3045A | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB80N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2-03 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2-03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S203GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| SPB80N03S203GATMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPB80N03S203GATMA1 - SPB80N03S2 OPTLMOS, 80A, 30V, 0.0072OHM tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| SPB80N03S203GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-03 | INF | TO-263 | на замовлення 44000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-03 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-03G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-03G | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| SPB80N03S2L-04 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-04 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-04 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-04 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-05 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-05 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V | на замовлення 75780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| SPB80N03S2L-05 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-05 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPB80N03S2L-05 - SPB80N03 - OPTLMOS, 80A, 30V, 0.0072OHM, tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 51750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| SPB80N03S2L-05 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-05G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-06 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-06 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-06 G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-06 G | INF | TO-263 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-06 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L-06G | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB80N03S2L05 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPB80N03S2L05 - SPB80N03 - OPTLMOS, 80A, 30V, 0.0072OHM, tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 72559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| SPB80N03S2L05 | Infineon Technologies | Description: 80A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TO263-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V | на замовлення 72559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| SPB80N03S2L05T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L05T | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N03S2L06T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N04S2- | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SPB80N04S2-04 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6980 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N04S2-04 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N04S2-H4 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N04S2-H4 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SPB80N04S2L-03 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

