Продукція > SPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPP20N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP20N60S5XKSA1 | Infineon | CoolMOS 20A 600V 208W 0.19Ω Qg=103nC SPP20N60S5 TSPP20n60s5 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 39 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP20N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP20N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP20N60S5XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP20N60S5XKSA1 - SPP20N60S5 - COOLMOS POWER TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP20N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP20N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | на замовлення 977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP20N65C3 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP20N65C3 Код товару: 111595
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SPP20N65C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 37 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP20N65C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP20N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Order Manufacturer Part Number SPP20N65C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP20N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP20N65C3XKSA | Infineon | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SPP20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3 | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP20N65C3XKSA1 Код товару: 144577
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SPP20N65C3XKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB SPP20N65C3HKSA1 SPP20N65C3XKSA1 TSPP20n65c3 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP20N65C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP20N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP20N80C3 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPP21000JLF | IRC (TT electronics) | Res Wirewound 100 Ohm 5% 2W ±300ppm/°C Conformal Coated AXL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP21000JLF | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole 100 OHM 5% 2W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP210R0JTR | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole 10 OHM 5% 2W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP210R0KLF | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP21N10 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 21A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP21N50C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 560V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP21N50C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 21A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP21N50C3 Код товару: 116944
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SPP21N50C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Order Manufacturer Part Number SPP21N50C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP21N50C3HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 21A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP21N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP21N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 560V 21A TO220-3 | на замовлення 382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP21N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP21N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP21N50C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP21N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 560V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34.5W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMos productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP21N50C3XKSA1 SPP21N50C3 | Infineon | MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP21R5JTR | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole 1.5 OHM 5% 2W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP21R80KLF | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole SPP-2-1.8-OHM-10-LF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP21R80KLF | IRC (TT electronics) | Res Wirewound 1.8 Ohm 10% 2W ±300ppm/°C Conformal Coated AXL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP222R0KLF | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP2301AS23RG | SYNCPOWER | SOT23 07+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP2301D | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPP2301DS23RG | на замовлення 306000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPP2301S23RG | SYNC | SOT-23 08+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP2301W | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPP2302S23RG | на замовлення 1315 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPP2303S23RG | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPP2304S23RG | на замовлення 2580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPP2305D | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPP2305S23RG | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPP2305W | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPP233R0JLFTR | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole 33 OHM 5% 2W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP2341S23RG | SYNC | SOT23 04+ | на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP2341S23RGB | на замовлення 3287 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPP23R30JLF | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP24N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 24.3A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP24N60C3 | Infineon | Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP24N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.4A Power dissipation: 240W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 47 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP24N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15.4A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP24N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Order Manufacturer Part Number SPP24N60C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP24N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15.4A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP24N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP24N60C3XKSA1 Код товару: 192845
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SPP24N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 24.3A TO220-3 | на замовлення 191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP24N60C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP24N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24.3 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP24N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP24N60CFD | Infineon technologies | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SPP24N60CFD | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 15.4A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP24N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 21.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 15.4A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP25043M43M1.0M | Amphenol Times Microwave Systems | RF Cable Assemblies SPP-250-LLPL 4.3/10 Male to 4.3/10 Male 1 Meter | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP25043M43M2.0M | Amphenol Times Microwave Systems | RF Cable Assemblies SPP-250-LLPL 4.3/10 Male to 4.3/10 Male 2 Meter | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP25043M43MR1.0M | Amphenol Times Microwave Systems | RF Cable Assemblies SPP250 low PIM jumper, 4.3/10 DIN male to 4.3/10 DIN male right angle, 1 meter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP25043M43MR3.0M | Amphenol Times Microwave Systems | RF Cable Assemblies SPP250 low PIM jumper, 4.3/10 DIN male to 4.3/10 DIN male right angle, 3 meter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP250NFNM1.0M | Amphenol Times Microwave Systems | RF Cable Assemblies SPP-250-LLPL N Male to N Female 1 Meter | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP250NFNM2.0M | Amphenol Times Microwave Systems | RF Cable Assemblies SPP-250-LLPL N Male to N Female 2 Meter | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP250NMNM1.0M | Amphenol Times Microwave Systems | RF Cable Assemblies SPP250 low PIM jumper, N male to N male, 1 meter | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP250NMNM2.0M | Amphenol Times Microwave Systems | RF Cable Assemblies SPP-250-LLPL N Male to N Male 2 Meter | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP250NMNMR17.0F | Amphenol | RF Cable Assemblies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP250NXMNXM1.0M | Amphenol Times Microwave Systems | RF Cable Assemblies SPP-250-LLPL NEX10 Male to NEX10 Male 1 Meter | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP250NXMNXM2.0M | Amphenol Times Microwave Systems | RF Cable Assemblies SPP-250-LLPL NEX10 Male to NEX10 Male 2 Meter | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP250SMSM18.0F | Amphenol | RF Cable Assemblies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP252R | Box Partners | Description: 2-1/2"X2" PLASTIC STRAP GUARDS, Part Status: Active Type: Strap Guards Size / Dimension: 2" x 2-1/2" Color: Red Packaging: Box | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP282R0JLF | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP282R0KLF | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP2N604L | на замовлення 274 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPP2R100JLF | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole SPP-2-.1-OHM-5-LF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP2R100JLF | TT ELECTRONICS | Category: Power resistors Description: Resistor: wire-wound; 100mΩ; 2W; ±5%; axial; L: 14.5mm; Ø: 4.3mm Type of resistor: wire-wound Diameter: 4.3mm Length: 14.5mm Resistance: 0.1Ω Power: 2W Tolerance: ±5% Leads: axial | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP2R100JLF | IRC (TT electronics) | Res Wirewound 0.1 Ohm 5% 2W ±600ppm/°C Conformal Coated AXL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP2R200JLFTR | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole .2 OHM 5% 2W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP2R200JTR | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole .2 OHM 5% 2W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP2UL1000JLF | TT Electronics/IRC | Description: RES 100 OHM 2W 5% AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 2W Tolerance: ±5% Features: Fusible, Moisture Resistant, Safety, Weldable Package / Case: Axial Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.169" Dia x 0.571" L (4.30mm x 14.50mm) Composition: Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: Axial Resistance: 100 Ohms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP2UL1000JLF | TT Electronics/IRC | Description: RES 100 OHM 2W 5% AXIAL Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 2W Tolerance: ±5% Features: Fusible, Moisture Resistant, Safety, Weldable Package / Case: Axial Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.169" Dia x 0.571" L (4.30mm x 14.50mm) Composition: Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: Axial Part Status: Discontinued at Digi-Key Resistance: 100 Ohms | на замовлення 1829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPP2UL10R0JLF | TT Electronics/IRC | Description: RES 10 OHM 2W 5% AXIAL | на замовлення 3472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP2UL10R0JLF | TT Electronics/IRC | Description: RES 10 OHM 2W 5% AXIAL | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP2UL1500JLF | IRC / TT Electronics | Wirewound Resistors - Through Hole | на замовлення 3637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP2UL1500JLF | TT Electronics/IRC | Description: RES 150 OHM 2W 5% AXIAL Power (Watts): 2W Tolerance: ±5% Features: Fusible, Moisture Resistant, Safety, Weldable Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Axial Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.169" Dia x 0.571" L (4.30mm x 14.50mm) Composition: Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: Axial Part Status: Discontinued at Digi-Key Resistance: 150 Ohms | на замовлення 3518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

