Продукція > mmb
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 16 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 211131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 171126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ON-Semiconductor | Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1726 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G Код товару: 164531
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Гранична частота fT: 100 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В Струм колектора Ic, А: 0,5 А | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN | на замовлення 314635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 211131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 9711 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3288000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3288000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | On Semiconductor | NPN, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 100МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори | на замовлення 2680 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 171126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ON-Semiconductor | Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A | на замовлення 12454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - MMBTA06LT1HTSA1 - MMBTA06 - TRANSISTOR NPN 80V 0.5A tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 80V 0.5A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1XT | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A | на замовлення 2635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT3 | на замовлення 5212 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA06LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN | на замовлення 88501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 76000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTA06LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 | на замовлення 877974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 76000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06Q | Yangjie Electronic Technology | MMBTA06Q | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06Q | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06Q-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06Q-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 350 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06Q-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06Q-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06Q-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBTA06Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 16117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06Q-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06Q-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 350mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry Manufacturer standard package: 3000pcs. Pulsed collector current: 1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06Q-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 350 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06Q-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN Small Sig Trans 60Vcbo 60Vceo 4.0V | на замовлення 31699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06Q-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06Q-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBTA06Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 16117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06Q-7-F-52 | Diodes Incorporated | Description: General Purpose Transistor SOT23 Power - Max: 310 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06Q-7-F-52 | Diodes Zetex | NPN Small Signal Surface Mount Transistor Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06R-R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA06R2 00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT SOT23 80V .5A NPN BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06W-R1-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT SOT-323/TRA/SOT/GPT-03TAN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06WT1 | On Semiconductor | NPN, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 100МГц, 0.15Вт, SC-70 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06WT1 | на замовлення 2740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA06WT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06WT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 29685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06WT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 304 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06WT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06WT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN | на замовлення 21732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 29685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06WT1G | ONN | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBTA06W_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE80V IC500mA SOT-323 | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06W_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06W_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06W_R1_00001 | PanJit | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 225mW 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06W_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06W_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE80V IC500mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06_D87Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06_L98Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06_R1 | PanJit | MMBTA06_R1 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06_R1_00001 | PanJit | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE80V IC500mA SOT-23 | на замовлення 5614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06_R1_00001 | PanJit | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 8688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA06_R1_00301 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT High Voltage Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06_R1_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE80V IC500mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE80V IC500mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA06_R2_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE80V IC500mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA12LT1 | ON | 09+ | на замовлення 1828 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA12LT1G | на замовлення 220000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA13 Код товару: 107665
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBTA13 | ONSEMI | Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.35W Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |

