Продукція > 2V7

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2V7002Konsemionsemi NFET SOT23 60V 115MA 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1430+8.57 грн
1444+8.49 грн
1715+7.15 грн
2738+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 1430
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.31 грн
46+8.69 грн
67+5.99 грн
100+5.24 грн
291+3.20 грн
799+3.03 грн
2000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.04 грн
30+10.92 грн
100+6.80 грн
500+4.68 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2V7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 291300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.54 грн
1000+3.75 грн
5000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+14.66 грн
47+12.94 грн
56+10.92 грн
105+5.61 грн
250+5.14 грн
500+4.89 грн
1000+3.56 грн
3000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.69 грн
6000+3.18 грн
9000+3.00 грн
15000+2.62 грн
21000+2.50 грн
30000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2V7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 291300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+18.80 грн
82+10.56 грн
157+5.49 грн
500+4.54 грн
1000+3.75 грн
5000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3068+4.00 грн
9000+3.12 грн
24000+3.11 грн
45000+2.76 грн
99000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 3068
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.71 грн
9000+3.07 грн
24000+3.02 грн
45000+2.62 грн
99000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1GonsemiMOSFETs NFET 60V 115MA 7MO
на замовлення 55471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+19.29 грн
33+10.74 грн
100+5.28 грн
500+4.21 грн
1000+3.98 грн
3000+2.83 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+19.57 грн
28+10.83 грн
50+7.19 грн
100+6.29 грн
291+3.85 грн
799+3.64 грн
2000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1G 704ON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SOT-23 2V7002KT1G T2V7002K
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT1ON SemiconductorSmall Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT1GONSEMI2V7002LT1G SMD N channel transistors
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.10 грн
216+5.19 грн
594+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 7553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.46 грн
14+24.47 грн
100+12.98 грн
500+8.01 грн
1000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2V7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.94 грн
1000+3.16 грн
5000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT1GonsemiMOSFETs NFET 60V 115MA 7.5O
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.64 грн
28+12.67 грн
100+5.51 грн
3000+4.59 грн
6000+3.37 грн
9000+3.06 грн
24000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.44 грн
6000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT1GON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 2V7002LT1G T2V7002
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2V7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+21.38 грн
73+11.85 грн
148+5.83 грн
500+4.98 грн
1000+4.18 грн
5000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT1G
Код товару: 154370
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT3GON SemiconductorMOSFET NFET 60V 115MA 7.5O
на замовлення 26128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.63 грн
16+20.17 грн
100+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002Wonsemionsemi NFET SC70 60V 115MA 7OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002WT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002WT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.51 грн
6000+3.90 грн
9000+3.68 грн
15000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002WT1GonsemiMOSFETs NFET 60V 115MA 7OHM
на замовлення 58912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+16.16 грн
35+10.30 грн
100+5.13 грн
3000+2.76 грн
6000+2.68 грн
9000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002WT1GONSEMI2V7002WT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002WT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002WT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2V7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.19 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+15.88 грн
78+11.08 грн
154+5.61 грн
500+4.93 грн
1500+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002WT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.52 грн
25+12.84 грн
100+8.00 грн
500+5.53 грн
1000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2V7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.19 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.93 грн
1500+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.