Продукція > 2V7
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2V7002K | onsemi | onsemi NFET SOT23 60V 115MA 7MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
2V7002KT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002KT1G | onsemi | MOSFETs NFET 60V 115MA 7MO | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002KT1G | ONSEMI | 2V7002KT1G SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
2V7002KT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002KT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002KT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002KT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2V7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 295715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002KT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002KT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002KT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2V7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 295840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002KT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002KT1G 704 | ON-Semicoductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SOT-23 2V7002KT1G T2V7002K кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002LT1 | ON Semiconductor | Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
2V7002LT1G Код товару: 154370
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
2V7002LT1G | ONSEMI | 2V7002LT1G SMD N channel transistors | на замовлення 3430 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
2V7002LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 7553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2V7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 25236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002LT1G | onsemi | MOSFET NFET 60V 115MA 7.5O | на замовлення 206323 шт: термін постачання 747-756 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002LT1G | ON-Semicoductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 2V7002LT1G T2V7002 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2V7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 25226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002LT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
2V7002LT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
2V7002LT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
2V7002LT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET 60V 115MA 7.5O | на замовлення 26128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
2V7002LT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002W | onsemi | onsemi NFET SC70 60V 115MA 7OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
2V7002WT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2V7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.19 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 17083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002WT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
2V7002WT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002WT1G | onsemi | MOSFETs NFET 60V 115MA 7OHM | на замовлення 80004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002WT1G | ONSEMI | 2V7002WT1G SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
2V7002WT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
2V7002WT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002WT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2V7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.19 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 17083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
2V7002WT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 17730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|