НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AOE6930Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A/85A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOE6930Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A/85A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOE6930Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 24W, 75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
AOE6930ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 22/85A; 9.6/30W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22/85A
Power dissipation: 9.6/30W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 4.3/0.83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: asymmetric
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+139.57 грн
3+ 121.81 грн
10+ 102.53 грн
11+ 89.41 грн
30+ 84.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOE6930Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A/85A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOE6930Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A/85A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
AOE6930Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 24W, 75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.26 грн
10+ 112.45 грн
100+ 89.51 грн
500+ 71.08 грн
1000+ 60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOE6930ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 22/85A; 9.6/30W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22/85A
Power dissipation: 9.6/30W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 4.3/0.83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: asymmetric
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.75 грн
10+ 85.44 грн
11+ 74.51 грн
30+ 70.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOE6932Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 55A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 24W, 52W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.64 грн
10+ 82.92 грн
100+ 66.02 грн
500+ 52.42 грн
1000+ 44.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOE6932
Код товару: 182233
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
AOE6932Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 55A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 24W, 52W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
AOE6932ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 55/85A; 9.6/20W; DFN5x6
Semiconductor structure: asymmetric
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55/85A
On-state resistance: 5/1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 9.6/20W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.46 грн
10+ 64.25 грн
14+ 58.79 грн
38+ 55.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOE6932Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A/85A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
AOE6932Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A/85A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
AOE6932ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 55/85A; 9.6/20W; DFN5x6
Semiconductor structure: asymmetric
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55/85A
On-state resistance: 5/1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 9.6/20W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+90.29 грн
10+ 77.11 грн
14+ 70.54 грн
38+ 66.44 грн
3000+ 63.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOE6936ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 35/67A; 9.6/15W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35/67A
Power dissipation: 9.6/15W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5/2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: asymmetric
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.88 грн
7+ 55.03 грн
10+ 48.67 грн
20+ 41.01 грн
53+ 38.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
AOE6936Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 55A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 24W, 39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V, 2270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
AOE6936Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A/85A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
AOE6936ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 35/67A; 9.6/15W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35/67A
Power dissipation: 9.6/15W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5/2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: asymmetric
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+68.57 грн
10+ 58.4 грн
20+ 49.22 грн
53+ 46.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOE6936Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 55A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 24W, 39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V, 2270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97.25 грн
10+ 76.63 грн
100+ 59.57 грн
500+ 47.39 грн
1000+ 38.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOE6936 транзистор
Код товару: 199060
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній