НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AOU1N60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 T/R
товар відсутній
AOU1N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товар відсутній
AOU2N60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251
товар відсутній
AOU2N60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3957 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+30.92 грн
25+ 25.55 грн
45+ 21.57 грн
122+ 20.34 грн
2000+ 19.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
AOU2N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товар відсутній
AOU2N60ALPHA&OMEGATransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOU2N60 TAOU2n60
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 40
AOU2N60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+25.76 грн
25+ 20.51 грн
45+ 17.98 грн
122+ 16.95 грн
2000+ 16.41 грн
Мінімальне замовлення: 15
AOU2N60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251
товар відсутній
AOU2N60ALPHA&OMEGATransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOU2N60 TAOU2n60
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
AOU2N60AAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251
товар відсутній
AOU2N60AAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
товар відсутній
AOU2N60_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товар відсутній
AOU3N50Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOU3N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 2.8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.59 грн
10+ 35.41 грн
100+ 24.5 грн
500+ 19.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
AOU3N60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251
товар відсутній
AOU3N60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOU3N60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
AOU3N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO251-3
товар відсутній
AOU3N60_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO251-3
товар відсутній
AOU400AO
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOU404
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOU405
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOU414AO04+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOU436
на замовлення 7340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOU438
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOU448
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOU452
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOU472
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOU4N60
Код товару: 161901
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
AOU4N60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
AOU4N60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 T/R
товар відсутній
AOU4N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 3973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.18 грн
10+ 49.56 грн
100+ 38.55 грн
500+ 30.67 грн
1000+ 24.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOU4N60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOU4S60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 263 pF @ 100 V
товар відсутній
AOU7S60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO251-3
товар відсутній
AOU7S60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251A T/R
товар відсутній
AOU7S65Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
товар відсутній
AOU7S65Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товар відсутній
AOUS66414Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: 40V N-CHANNEL ALPHASGT T
товар відсутній
AOUS66414Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: 40V N-CHANNEL ALPHASGT T
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOUS66416Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 33A/69A ULTRASO8
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+95.12 грн
10+ 81.96 грн
100+ 63.89 грн
500+ 49.52 грн
1000+ 39.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOUS66416Alpha & Omega SemiconductorTrench Power MOSFET
товар відсутній
AOUS66416Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 33A/69A ULTRASO8
товар відсутній
AOUS66416Alpha & Omega SemiconductorTrench Power MOSFET
товар відсутній
AOUS66616Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 92A 3-Pin Ultra SO T/R
товар відсутній
AOUS66616Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8
товар відсутній
AOUS66616Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8
товар відсутній
AOUS66620Alpha & Omega SemiconductorN Channel Trench Power MOSFET
товар відсутній
AOUS66920Alpha & Omega Semiconductor100V N-Channel MOSFET
товар відсутній
AOUS66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 16.5A ULTRASO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: UltraSO-8™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
товар відсутній
AOUS66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 16.5A ULTRASO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: UltraSO-8™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
товар відсутній