Продукція > B2M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
B2M-E3/45VISHAYB2M-E3/45 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.46 грн
80+13.53 грн
220+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
B2M-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 1P 200V 500MA MBM
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
B2M-E3/45VishayDiode Rectifier Bridge Single 200V 0.5A 4-Pin Case MBM Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M-E3/45Vishay General SemiconductorBridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.22 грн
10+51.69 грн
100+30.83 грн
500+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120YBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Case: TO247PLUS-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1214.82 грн
2+826.88 грн
3+781.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120YBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Case: TO247PLUS-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1457.78 грн
2+1030.41 грн
3+937.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M035120YPBASiC SEMICONDUCTORB2M035120YP THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+976.48 грн
2+743.92 грн
5+677.75 грн
30+652.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+813.73 грн
2+596.98 грн
5+564.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120RBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+964.59 грн
2+724.82 грн
3+697.06 грн
5+659.35 грн
30+641.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120RBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Mounting: SMD
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+803.83 грн
2+581.65 грн
3+580.88 грн
5+549.46 грн
30+534.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120ZBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120ZBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-DPanduitWire Labels & Markers MKR Tie Metal Barb 8.0L (203mm) S
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.17 грн
10+120.98 грн
100+103.00 грн
250+102.26 грн
500+96.37 грн
1000+91.22 грн
2500+89.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-DPanduit CorpDescription: MARKER TIE NATURAL 50LB 8"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg)
Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie
Width: 0.185" (4.70mm)
Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm)
Part Status: Active
Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00")
Length - Approximate: 8"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-D0PanduitCable Ties MKR Tie Metal Barb 8.0L (203mm) S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-D0Panduit CorpDescription: MARKER TIE BLACK 50LB 8"
Features: Weather Resistant
Packaging: Bulk
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg)
Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie
Width: 0.185" (4.70mm)
Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm)
Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00")
Length - Approximate: 8"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2MA4.5ZNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.