Продукція > B2M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
B2M-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 1P 200V 500MA MBM
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
B2M-E3/45VishayDiode Rectifier Bridge Single 200V 0.5A 4-Pin Case MBM Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M-E3/45Vishay General SemiconductorBridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.75 грн
10+53.02 грн
100+31.62 грн
500+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B2M-E3/45VISHAYB2M-E3/45 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+25.09 грн
80+13.87 грн
220+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120YBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 375W
Case: TO247PLUS-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1211.36 грн
2+852.86 грн
3+806.48 грн
30+805.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120YBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 375W
Case: TO247PLUS-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1453.63 грн
2+1062.80 грн
3+967.78 грн
30+966.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M035120YPBASiC SEMICONDUCTORB2M035120YP THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+925.41 грн
2+752.28 грн
3+723.48 грн
5+684.80 грн
30+658.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+771.17 грн
2+603.68 грн
3+602.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120RBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+917.28 грн
2+729.75 грн
3+701.78 грн
5+664.05 грн
30+637.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120RBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+764.40 грн
2+585.60 грн
3+584.82 грн
5+553.38 грн
30+531.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120ZBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+736.47 грн
2+556.52 грн
5+526.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120ZBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+883.76 грн
2+693.51 грн
5+631.98 грн
30+607.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-DPanduitWire Labels & Markers Marker Tie, Metal Barb, 8.0L (203mm), St
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.41 грн
10+124.09 грн
100+105.64 грн
250+104.89 грн
500+98.85 грн
1000+93.57 грн
2500+92.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-DPanduit CorpDescription: MARKER TIE NATURAL 50LB 8"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg)
Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie
Width: 0.185" (4.70mm)
Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm)
Part Status: Active
Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00")
Length - Approximate: 8"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-D0PanduitCable Ties MKR Tie Metal Barb 8.0L (203mm) S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-D0Panduit CorpDescription: MARKER TIE BLACK 50LB 8"
Packaging: Bulk
Features: Weather Resistant
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg)
Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie
Width: 0.185" (4.70mm)
Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm)
Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00")
Length - Approximate: 8"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2MA4.5ZNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.