Продукція > B2M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
B2M-E3/45Vishay General SemiconductorBridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.90 грн
10+52.29 грн
100+31.18 грн
500+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B2M-E3/45VISHAYB2M-E3/45 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.74 грн
80+13.68 грн
220+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
B2M-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 1P 200V 500MA MBM
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
B2M-E3/45VishayDiode Rectifier Bridge Single 200V 0.5A 4-Pin Case MBM Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120YBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1226.28 грн
2+837.16 грн
3+791.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120YBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1471.53 грн
2+1043.22 грн
3+949.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M035120YPBASiC SEMICONDUCTORB2M035120YP THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+936.61 грн
2+737.98 грн
3+709.72 грн
5+671.58 грн
30+645.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+780.51 грн
2+592.21 грн
3+591.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120RBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+929.60 грн
2+718.67 грн
5+653.91 грн
30+628.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120RBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+774.67 грн
2+576.71 грн
5+544.93 грн
30+524.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120ZBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+894.54 грн
2+680.99 грн
5+619.49 грн
30+595.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120ZBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+745.45 грн
2+546.48 грн
5+516.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-DPanduitWire Labels & Markers Marker Tie, Metal Barb, 8.0L (203mm), St
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.62 грн
10+122.37 грн
100+104.18 грн
250+103.44 грн
500+97.48 грн
1000+92.27 грн
2500+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-DPanduit CorpDescription: MARKER TIE NATURAL 50LB 8"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg)
Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie
Width: 0.185" (4.70mm)
Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm)
Part Status: Active
Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00")
Length - Approximate: 8"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-D0PanduitCable Ties MKR Tie Metal Barb 8.0L (203mm) S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-D0Panduit CorpDescription: MARKER TIE BLACK 50LB 8"
Packaging: Bulk
Features: Weather Resistant
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg)
Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie
Width: 0.185" (4.70mm)
Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm)
Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00")
Length - Approximate: 8"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2MA4.5ZNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.