Продукція > B2M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
B2M-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 1P 200V 500MA MBM
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
B2M-E3/45VishayDiode Rectifier Bridge Single 200V 0.5A 4-Pin Case MBM Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M-E3/45Vishay General SemiconductorBridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.13 грн
10+48.99 грн
100+29.21 грн
500+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+770.96 грн
3+646.23 грн
10+572.38 грн
30+556.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120RBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+898.40 грн
3+759.53 грн
10+671.41 грн
30+600.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120ZBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+878.52 грн
3+734.36 грн
10+646.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-DPanduitWire Labels & Markers Marker Tie, Metal Barb, 8.0L (203mm), Standard, Nylon, Natural
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.19 грн
10+104.24 грн
100+89.94 грн
500+87.85 грн
1000+85.06 грн
2500+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-DPanduit CorpDescription: MARKER TIE NATURAL 50LB 8"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg)
Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie
Width: 0.185" (4.70mm)
Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm)
Part Status: Active
Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00")
Length - Approximate: 8"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-D0PanduitCable Ties MKR Tie Metal Barb 8.0L (203mm) S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-D0Panduit CorpDescription: MARKER TIE BLACK 50LB 8"
Packaging: Bulk
Features: Weather Resistant
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg)
Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie
Width: 0.185" (4.70mm)
Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm)
Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00")
Length - Approximate: 8"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2MA4.5ZNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.