Продукція > B2M
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B2M-E3/45 | VISHAY | B2M-E3/45 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
| B2M-E3/45 | Vishay | Diode Rectifier Bridge Single 200V 0.5A 4-Pin Case MBM Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| B2M-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Bridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt | на замовлення 8935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| B2M-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1P 200V 500MA MBM | на замовлення 5556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| B2M032120Y | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 60A Pulsed drain current: 190A Power dissipation: 375W Case: TO247PLUS-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
| B2M032120Y | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 60A Pulsed drain current: 190A Power dissipation: 375W Case: TO247PLUS-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| B2M065120H | BASiC SEMICONDUCTOR | B2M065120H THT N channel transistors | на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
| B2M065120R | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 24A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 150W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| B2M065120R | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 24A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 150W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
| B2M065120Z | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 33A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
| B2M065120Z | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 33A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| B2M2S-D | Panduit Corp | Description: MARKER TIE NATURAL 50LB 8" Packaging: Bulk Color: Natural Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg) Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie Width: 0.185" (4.70mm) Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm) Part Status: Active Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00") Length - Approximate: 8" | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| B2M2S-D | Panduit | Wire Labels & Markers Marker Tie, Metal Barb, 8.0L (203mm), Standard, Nylon, Natural | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| B2M2S-D0 | Panduit | Cable Ties MKR Tie Metal Barb 8.0L (203mm) S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| B2M2S-D0 | Panduit Corp | Description: MARKER TIE BLACK 50LB 8" Features: Weather Resistant Packaging: Bulk Color: Black Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg) Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie Width: 0.185" (4.70mm) Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm) Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00") Length - Approximate: 8" | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| B2MA4.5Z | NAIS | 07+ | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |