Продукція > B2M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
B2M-E3/45VishayDiode Rectifier Bridge Single 200V 0.5A 4-Pin Case MBM Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2M-E3/45Vishay General SemiconductorBridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
B2M-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 1P 200V 500MA MBM
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120YBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 375W
Gate charge: 40nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
Case: TO247PLUS-4
On-state resistance: 50mΩ
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1223.78 грн
3+1027.35 грн
10+904.06 грн
30+813.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M040120RBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 123A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 123A
Power dissipation: 238W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Gate charge: 60nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+789.36 грн
3+661.69 грн
10+586.22 грн
30+545.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120RBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Gate charge: 60nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 65mΩ
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+928.45 грн
3+784.14 грн
10+693.56 грн
30+620.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120ZBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Gate charge: 60nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+899.55 грн
3+751.43 грн
10+661.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-DPanduitWire Labels & Markers Marker Tie, Metal Barb, 8.0L (203mm), Standard, Nylon, Natural
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-DPanduit CorpDescription: MARKER TIE NATURAL 50LB 8"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg)
Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie
Width: 0.185" (4.70mm)
Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm)
Part Status: Active
Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00")
Length - Approximate: 8"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-D0Panduit CorpDescription: MARKER TIE BLACK 50LB 8"
Features: Weather Resistant
Packaging: Bulk
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg)
Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie
Width: 0.185" (4.70mm)
Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm)
Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00")
Length - Approximate: 8"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M2S-D0PanduitCable Ties MKR Tie Metal Barb 8.0L (203mm) S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M600170HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 75W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M600170HHBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 75W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2MA4.5ZNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.