Продукція > DZT
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DZT2222A-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W | на замовлення 2758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT2222A-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DZT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DZT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT2222A-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT2222A-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 830mW; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.83W Case: SOT223 Mounting: SMD Frequency: 300MHz Current gain: 35...300 Kind of package: reel; tape Manufacturer standard package: 2500pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT2222A-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1W 40V | на замовлення 25597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT2222A-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DZT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DZT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT2907A-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 830mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT2907A-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.2A; 1W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.2A Power dissipation: 1W Case: SOT223 Current gain: 50...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Manufacturer standard package: 2500pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT2907A-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1W -60V | на замовлення 453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT2907A-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | на замовлення 119340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT2907A-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DZT2907A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DZT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT2907A-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 830mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT2907A-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | на замовлення 117500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT2907A-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 830mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT2907A-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DZT2907A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DZT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT3150-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223 | на замовлення 3931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT3150-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223 | на замовлення 3931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT3150-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1W 25V 5A | на замовлення 2756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT3150-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT491-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT491-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1W 60V | на замовлення 1193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT491-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT491-13 | DIODES | 09+ BGA | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5401 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5401 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5401-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DZT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5401-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000mW -150Vceo | на замовлення 19350 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5401-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5401-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT5401-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-223-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 100765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT5401-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DZT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5401-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT5401-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 64 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5401-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-223-3 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP | на замовлення 100530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT5401-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 1W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1W Case: SOT223 Current gain: 50...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz Manufacturer standard package: 2500pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5551 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DZT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5551 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5551 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DZT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5551 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 252500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT5551-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 80...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Manufacturer standard package: 2500pcs. | на замовлення 1041 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT5551-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 600mA Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5551-13 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT5551-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1 W | на замовлення 12069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 252500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT5551-13 Код товару: 131145
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DZT5551-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5551-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo | на замовлення 11072 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT5551-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1 W | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT5551Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DZT5551Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DZT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5551Q-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor | на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5551Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT5551Q-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5551Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DZT5551Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DZT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT5551Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT5551Q-13-52 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT591C | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT591C | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT591C-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT591C-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1W -60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT591C-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT651-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223 | на замовлення 133877500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT651-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 1W | на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT651-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223 | на замовлення 125007500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT651-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223 | на замовлення 133877500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT658 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT658-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT658-13 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT658-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT658-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT658-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 1W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT658-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT658-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3 | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT751-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223 | на замовлення 416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT751-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT751-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 1W | на замовлення 3340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT851-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT851-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1W 60V 6A | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT851-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT853-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1W 100V 6A | на замовлення 7330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT853-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT853-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3 Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT951-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 5A SOT-223 | на замовлення 1848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZT951-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 5A SOT-223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT951-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1W -60V -5A | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT953 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT953-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 125MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT953-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Frequency - Transition: 125MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT953-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1W -100V -5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT955-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 140V 4A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT955-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 140V 4A SOT223-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZT955-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 1W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZTA14 | PHILIPS | на замовлення 2957 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DZTA42 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DZTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZTA42 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DZTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZTA42-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1W 300V | на замовлення 7815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DZTA42-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1 W | на замовлення 13819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DZTA42-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT-223-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]