Продукція > DZT

Обрати Сторінку: 1 2 [ Наступна Сторінка >> ]

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

DZT2222A-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 2758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.19 грн
26+	11.82 грн
100+	7.40 грн
500+	5.13 грн
1000+	4.54 грн

Мінімальне замовлення: 16 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT2222A-13

Description: DIODES INC. - DZT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	5.04 грн
1000+	4.11 грн

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT2222A-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT2222A-13

DIODES INCORPORATED

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 830mW; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Current gain: 35...300
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT2222A-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT 1W 40V

на замовлення 25597 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	20.78 грн
26+	12.62 грн
100+	6.90 грн
500+	5.11 грн
1000+	4.35 грн
2500+	3.80 грн
5000+	3.11 грн

Мінімальне замовлення: 16 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT2222A-13

Description: DIODES INC. - DZT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	28.43 грн
52+	15.62 грн
133+	6.07 грн
500+	5.04 грн
1000+	4.11 грн

Мінімальне замовлення: 29 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 830mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	6.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT2907A-13

Description: DIODES INC. - DZT2907A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	18.04 грн
67+	12.16 грн
129+	6.28 грн
500+	5.53 грн
1000+	4.90 грн

Мінімальне замовлення: 45 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 830mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT2907A-13

DIODES INCORPORATED

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.2A; 1W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT2907A-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT 1W -60V

на замовлення 6591 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	23.52 грн
23+	14.13 грн
100+	7.73 грн
500+	5.73 грн
1000+	5.32 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT2907A-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	22.52 грн
23+	13.09 грн
100+	8.18 грн
500+	5.68 грн
1000+	5.04 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT2907A-13

Description: DIODES INC. - DZT2907A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	5.53 грн
1000+	4.90 грн

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 830mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	6.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT2907A-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT3150-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT3150-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223

на замовлення 3931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DZT3150-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223

на замовлення 3931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DZT3150-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT 1W 25V 5A

на замовлення 2756 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DZT491-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT491-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT 1W 60V

на замовлення 1193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DZT491-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT491-13

09+ BGA

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DZT5401

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT5401

onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT5401-13

Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.65 грн
500+	13.84 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5401-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT 1000mW -150Vceo

на замовлення 8575 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.02 грн
12+	27.71 грн
100+	15.46 грн
500+	11.80 грн
1000+	10.56 грн
2500+	9.25 грн
5000+	8.01 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 110000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5401-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 100765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.37 грн
11+	28.19 грн
100+	18.09 грн
500+	12.87 грн
1000+	11.54 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5401-13

Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.95 грн
32+	25.85 грн
100+	19.65 грн
500+	13.84 грн

Мінімальне замовлення: 21 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	15.89 грн

Мінімальне замовлення: 48 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 64 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5401-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-223-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP

на замовлення 100530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.18 грн
5000+	9.82 грн
7500+	9.34 грн
12500+	8.26 грн
17500+	7.96 грн
25000+	7.66 грн
62500+	7.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551

Description: DIODES INC. - DZT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.97 грн
500+	14.28 грн
1000+	11.87 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551

onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT5551

Description: DIODES INC. - DZT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	52.35 грн
50+	32.30 грн
100+	19.97 грн
500+	14.28 грн
1000+	11.87 грн

Мінімальне замовлення: 16 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13
Код товару: 131145

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.50 грн
50+	31.17 грн
100+	19.25 грн
500+	13.76 грн
1000+	11.46 грн

Мінімальне замовлення: 16 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo

на замовлення 11072 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.75 грн
12+	27.79 грн
100+	14.77 грн
500+	11.67 грн
1000+	10.42 грн
2500+	9.11 грн
5000+	8.01 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

431+	21.82 грн
500+	18.71 грн
1000+	10.63 грн

Мінімальне замовлення: 431 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.01 грн
5000+	9.67 грн
7500+	9.20 грн
12500+	8.13 грн
17500+	7.83 грн
25000+	7.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 252500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.27 грн
5000+	11.60 грн
7500+	10.91 грн
12500+	10.41 грн
17500+	9.57 грн
25000+	8.85 грн
62500+	8.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.25 грн
500+	13.76 грн
1000+	11.46 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	21.82 грн

Мінімальне замовлення: 650 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 33840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.60 грн
11+	27.82 грн
100+	17.81 грн
500+	12.67 грн
1000+	11.36 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 252500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.19 грн
5000+	11.54 грн
7500+	10.85 грн
12500+	10.35 грн
17500+	9.52 грн
25000+	8.80 грн
62500+	8.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551-13

DIODES INCORPORATED

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz

на замовлення 2505 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

11+	42.06 грн
18+	24.01 грн
25+	18.61 грн
50+	16.79 грн
100+	13.05 грн
500+	10.72 грн
1000+	10.22 грн
2500+	9.39 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551Q-13

Description: DIODES INC. - DZT5551Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	59.68 грн
22+	36.81 грн
100+	23.76 грн
500+	16.83 грн
1000+	14.01 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551Q-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor

на замовлення 1110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.04 грн
10+	32.87 грн
100+	18.43 грн
500+	14.08 грн
1000+	12.70 грн
2500+	11.11 грн
5000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551Q-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551Q-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551Q-13

Description: DIODES INC. - DZT5551Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.76 грн
500+	16.83 грн
1000+	14.01 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551Q-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.03 грн
10+	30.81 грн
100+	19.91 грн
500+	14.25 грн
1000+	12.82 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT5551Q-13-52

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT591C

onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT591C

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT591C-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT 1W -60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT591C-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT591C-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT651-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223

на замовлення 133877500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DZT651-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT NPN 1W

на замовлення 2670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DZT651-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223

на замовлення 125007500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT651-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223

на замовлення 133877500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DZT658

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT658-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.28 грн
10+	30.74 грн
100+	22.97 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT658-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT658-13

onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT658-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT658-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT658-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT NPN 1W

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT658-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	27.52 грн
35+	22.01 грн
100+	14.89 грн
250+	12.94 грн
500+	10.49 грн
1000+	8.64 грн

Мінімальне замовлення: 28 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT751-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT PNP 1W

на замовлення 3340 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DZT751-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.17 грн
11+	28.42 грн
100+	21.19 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT751-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT851-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT851-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT 1W 60V 6A

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.49 грн
10+	36.52 грн
100+	23.68 грн
500+	18.64 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT851-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT853-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT853-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT 1W 100V 6A

на замовлення 7330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DZT853-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT951-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 60V 5A SOT-223

на замовлення 1848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.37 грн
10+	40.09 грн
100+	30.71 грн
500+	22.78 грн
1000+	18.22 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT951-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT 1W -60V -5A

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.48 грн
10+	41.76 грн
100+	27.89 грн
500+	22.09 грн
1000+	17.67 грн
2500+	15.88 грн
5000+	14.98 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT951-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 60V 5A SOT-223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT953

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT953-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Frequency - Transition: 125MHz

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT953-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT 1W -100V -5A

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT953-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZT955-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 140V 4A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT955-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 140V 4A SOT223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DZT955-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT PNP 1W

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

DZTA14

на замовлення 2957 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DZTA42

Description: DIODES INC. - DZTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.21 грн
500+	8.75 грн
1000+	7.25 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DZTA42

Description: DIODES INC. - DZTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	62.18 грн
18+	45.67 грн
100+	28.11 грн
500+	18.85 грн
1000+	15.12 грн

Мінімальне замовлення: 13 шт

В кошику од. на суму грн.

DZTA42-13

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT 1W 300V

на замовлення 7815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.30 грн
10+	31.76 грн
100+	13.46 грн
500+	11.32 грн
1000+	10.63 грн
2500+	8.56 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

DZTA42-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 10260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.07 грн
17+	18.62 грн
100+	11.82 грн
500+	8.31 грн
1000+	7.41 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

DZTA42-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT-223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	7.12 грн
5000+	6.21 грн
7500+	5.88 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DZTA42Q-13

Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 300V 500MA SOT223

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

Обрати Сторінку: 1 2 [ Наступна Сторінка >> ]