Продукція > FQN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FQN1N50Consemi / FairchildMOSFET QFC 500V 6.0OHM TO92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CBUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
704+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 704
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CBUonsemi / FairchildMOSFET N-CH/400V/5 A/.75OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTAONSEMIDescription: ONSEMI - FQN1N50CTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 380 mA, 4.6 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 890mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.81 грн
21+38.79 грн
100+29.79 грн
500+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 0.38A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTAonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.36 грн
10+40.90 грн
100+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTAonsemi / FairchildMOSFET N-CH/500V 0.38A/6OHM
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.27 грн
10+38.08 грн
100+22.94 грн
500+19.19 грн
1000+16.32 грн
2000+14.47 грн
4000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 0.38A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTAonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N60CBUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N60CTAonsemi / FairchildMOSFET 600V NCH MOSFET
на замовлення 17559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.98 грн
10+41.61 грн
100+26.49 грн
500+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N60CTAonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.06 грн
4000+14.16 грн
6000+13.49 грн
10000+11.96 грн
14000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N60CTAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N60CTAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N60CTAonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.75 грн
10+37.87 грн
100+24.61 грн
500+17.71 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N60CTAFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 37002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1461+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 1461
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N60CTAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL1N50Bonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL1N50BBUonsemi / FairchildMOSFET 500V Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL1N50BBUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 135mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL1N50BBU_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL1N50BTAonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL1N50BTAonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 135mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50Bonsemi / FairchildMOSFETs QF 500V 5.3OHM TO92L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BBUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 175mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BBUonsemi / FairchildMOSFET 500V Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BBU_Qonsemi / FairchildMOSFET 500V Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BTAFairchild
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BTAonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 175mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BTAONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 220mA; Idm: 1.4A; 1.5W; TO92L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: TO92L
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 5.3Ω
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.4A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BTAFAIRCHILD2003 TO-92L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BTAonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 175mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BTAonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BTA_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/500V/0.64A/5.3OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.