Продукція > FQN
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQN1N50C | onsemi / Fairchild | MOSFET QFC 500V 6.0OHM TO92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQN1N50CBU | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/400V/5 A/.75OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQN1N50CBU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V | на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FQN1N50CTA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V | на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FQN1N50CTA | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/500V 0.38A/6OHM | на замовлення 2181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FQN1N50CTA | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 240mA; Idm: 3.04A; 2.08W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.24A Power dissipation: 2.08W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement Gate charge: 6.4nC Pulsed drain current: 3.04A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQN1N50CTA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 0.38A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQN1N50CTA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 0.38A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQN1N50CTA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQN1N50CTA | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 240mA; Idm: 3.04A; 2.08W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.24A Power dissipation: 2.08W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement Gate charge: 6.4nC Pulsed drain current: 3.04A кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQN1N50CTA | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQN1N50CTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 380 mA, 4.6 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 890mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 890mW Bauform - Transistor: TO-226AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FQN1N50CTA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 0.38A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQN1N60CBU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQN1N60CBU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQN1N60CTA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQN1N60CTA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V | на замовлення 2279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FQN1N60CTA | Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V | на замовлення 37002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FQN1N60CTA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQN1N60CTA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQN1N60CTA | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V NCH MOSFET | на замовлення 17559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FQN1N60CTA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FQN1N60CTA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL1N50B | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL1N50BBU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 135mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL1N50BBU | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V Single | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL1N50BBU_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL1N50BTA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 0.27A 3-Pin TO-92L Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL1N50BTA | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL1N50BTA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 135mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL2N50B | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF 500V 5.3OHM TO92L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL2N50BBU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 175mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL2N50BBU | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V Single | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL2N50BBU_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V Single | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL2N50BTA | Fairchild | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQNL2N50BTA | ONSEMI | FQNL2N50BTA THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL2N50BTA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 175mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL2N50BTA | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL2N50BTA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 0.35A 3-Pin TO-92L Fan-Fold | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL2N50BTA | FAIRCHILD | 2003 TO-92L | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL2N50BTA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 175mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQNL2N50BTA_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/500V/0.64A/5.3OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |