Продукція > G1K

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
G1K/1Vishay SemiconductorsRectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HHGoford SemiconductorDescription: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
16+18.85 грн
100+11.30 грн
500+9.82 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HHGoford SemiconductorDescription: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HHGOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -4.5A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HHGOFORD SemiconductorP-60V,-4.5A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,VTH -2V to -4V, SOT-223
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LHGoford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ -3A,- 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
16+19.15 грн
100+12.09 грн
500+8.47 грн
1000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LHGOFORD SemiconductorG1K1P06LH
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.72 грн
15000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LHGoford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ -3A,- 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LLGoford SemiconductorDescription: P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LLGOFORD SemiconductorP-60V,-3A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,RD(max) Less Than 130mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOT-23-6L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LLGoford SemiconductorDescription: P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
17+18.55 грн
100+11.72 грн
500+8.20 грн
1000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06SHGoford SemiconductorDescription: MOSFET,P-CH,-60V,-4A,1.2W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2Goford SemiconductorDescription: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2Goford SemiconductorDescription: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2Goford SemiconductorDescription: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10GGoford SemiconductorDescription: N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 50 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.61 грн
10+89.74 грн
100+71.42 грн
500+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10GGOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 5A; 1.6W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10GGoford SemiconductorDescription: N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
16+19.15 грн
100+9.64 грн
500+8.02 грн
1000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K8P06S2Goford SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
12+25.13 грн
100+15.07 грн
500+13.09 грн
1000+8.90 грн
2000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K8P06S2Goford SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1KQYangjie TechnologyDescription: Diodes - Rectifiers - Single SOD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123FL
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.47 грн
15000+2.24 грн
30000+2.10 грн
60000+1.84 грн
120000+1.64 грн
300000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.