Продукція > GE0
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GE002A | Essentra Components | Description: GROMMET EDGE SOLID PE NATURAL Packaging: Bag Color: Natural For Use With/Related Products: Straight Panels Material: Polyethylene (PE) Panel Thickness: 0.039" ~ 0.047" (0.99mm ~ 1.20mm) Panel Cutout Dimensions: Edging - 32.81' L (10.00m) Bushing, Grommet Type: Grommet - Edging, Solid | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE003A | Essentra Components | Description: GROMMET STRIP, ROLL, PE, UNSERRA Color: Natural Packaging: Bag Bushing, Grommet Type: Grommet - Edging, Solid Panel Cutout Dimensions: Edging - 32.81' L (10.00m) Panel Thickness: 0.047" ~ 0.063" (1.19mm ~ 1.60mm) Material: Polyethylene (PE) For Use With/Related Products: Straight Panels | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE004A | Essentra Components | Description: GROMMET EDGE SOLID PE NATURAL Bushing, Grommet Type: Grommet - Edging, Solid Panel Cutout Dimensions: Edging - 32.81' L (10.00m) Panel Thickness: 0.063" ~ 0.079" (1.60mm ~ 2.01mm) Material: Polyethylene (PE) For Use With/Related Products: Straight Panels Color: Natural Packaging: Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE005A | Essentra Components | Description: GROMMET EDGE SOLID PE NATURAL Packaging: Bag Color: Natural For Use With/Related Products: Straight Panels Material: Polyethylene (PE) Panel Thickness: 0.079" ~ 0.094" (2.01mm ~ 2.39mm) Panel Cutout Dimensions: Edging - 32.81' L (10.00m) Bushing, Grommet Type: Grommet - Edging, Solid | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE005S-5.0-24P-13-00A(H) Штирі на плату до клемника GE005(24 конт.) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| GE04MPS06A | GeneSiC Semiconductor | Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP | на замовлення 7188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE04MPS06A | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 7A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 7A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. load current: 11A Max. forward impulse current: 22A Kind of package: tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE04MPS06A | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS | на замовлення 2075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE04MPS06E | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO252-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. load current: 11A Max. forward impulse current: 22A Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE04MPS06E | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS | на замовлення 201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE04MPS06E | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252-2 Current - Average Rectified (Io): 11A Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE04MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE04MPS06Q | GeneSiC Semiconductor | Description: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 4 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE04MPS06Q | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE04MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS | на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE06MPS06A | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE06MPS06A | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Max. forward impulse current: 27A Case: TO220-2 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.25V Mounting: THT Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE06MPS06A | GeneSiC Semiconductor | Description: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP | на замовлення 3294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE06MPS06A | GENESIC SEMICONDUCTOR | Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE06MPS06E | GENESIC SEMICONDUCTOR | Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE06MPS06E | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE06MPS06E | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO252-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 27A Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE06MPS06E | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252-2 Current - Average Rectified (Io): 17A Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE06MPS06E | GENESIC SEMICONDUCTOR | Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE06MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor | Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE06MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor | Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE06MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS | на замовлення 2359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE06MPS06Q | GeneSiC Semiconductor | Description: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 6 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE06MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS | на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE08MPS06A | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE08MPS06A | GENESIC | Description: GENESIC - GE08MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 15 A, 20 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 20nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE08MPS06A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220-2 Current - Average Rectified (Io): 15A Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE08MPS06A | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 36A Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE08MPS06E | GENESIC | Description: GENESIC - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 20nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE08MPS06E | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252-2 Current - Average Rectified (Io): 21A Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE08MPS06E | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO252-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 36A Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE08MPS06E | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS | на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE08MPS06E | GENESIC | Description: GENESIC - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 20nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| GE08MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE08MPS06Q | GeneSiC Semiconductor | Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 8 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE08MPS06Q | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GE08MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

