Продукція > GE0

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
GE002AEssentra ComponentsDescription: GROMMET EDGE SOLID PE NATURAL
Packaging: Bag
Color: Natural
For Use With/Related Products: Straight Panels
Material: Polyethylene (PE)
Panel Thickness: 0.039" ~ 0.047" (0.99mm ~ 1.20mm)
Panel Cutout Dimensions: Edging - 32.81' L (10.00m)
Bushing, Grommet Type: Grommet - Edging, Solid
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2415.14 грн
10+2036.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE003AEssentra ComponentsDescription: GROMMET STRIP, ROLL, PE, UNSERRA
Packaging: Bag
Color: Natural
For Use With/Related Products: Straight Panels
Material: Polyethylene (PE)
Panel Thickness: 0.047" ~ 0.063" (1.19mm ~ 1.60mm)
Panel Cutout Dimensions: Edging - 32.81' L (10.00m)
Bushing, Grommet Type: Grommet - Edging, Solid
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2517.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE004AEssentra ComponentsDescription: GROMMET EDGE SOLID PE NATURAL
Packaging: Bag
Color: Natural
For Use With/Related Products: Straight Panels
Material: Polyethylene (PE)
Panel Thickness: 0.063" ~ 0.079" (1.60mm ~ 2.01mm)
Panel Cutout Dimensions: Edging - 32.81' L (10.00m)
Bushing, Grommet Type: Grommet - Edging, Solid
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE005AEssentra ComponentsDescription: GROMMET EDGE SOLID PE NATURAL
Packaging: Bag
Color: Natural
For Use With/Related Products: Straight Panels
Material: Polyethylene (PE)
Panel Thickness: 0.079" ~ 0.094" (2.01mm ~ 2.39mm)
Panel Cutout Dimensions: Edging - 32.81' L (10.00m)
Bushing, Grommet Type: Grommet - Edging, Solid
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2570.45 грн
10+2167.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE005S-5.0-24P-13-00A(H) Штирі на плату до клемника GE005(24 конт.)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06AGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.15 грн
10+136.49 грн
25+129.13 грн
100+111.50 грн
250+105.48 грн
500+101.21 грн
1000+95.43 грн
2500+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06AGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 7A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 7A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 11A
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06AGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.03 грн
10+115.46 грн
25+95.52 грн
100+87.85 грн
250+82.97 грн
500+79.48 грн
1000+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06EGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 11A
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06EGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.10 грн
10+119.47 грн
25+97.61 грн
100+89.94 грн
250+85.06 грн
500+81.58 грн
1000+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06EGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.42 грн
10+108.16 грн
25+102.27 грн
100+88.11 грн
250+83.29 грн
500+79.82 грн
1000+75.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E-TRGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06QGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 4 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06QGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q-TRGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.16 грн
3000+74.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06AGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.12 грн
10+155.37 грн
25+147.11 грн
100+127.05 грн
250+120.29 грн
500+119.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06AGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06AGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06AGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.77 грн
5+111.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06EGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06EGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.45 грн
10+147.53 грн
25+121.32 грн
50+111.56 грн
100+105.28 грн
250+101.80 грн
500+96.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06EGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06EGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 17A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06EGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TRGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.35 грн
10+122.68 грн
25+100.40 грн
100+92.04 грн
250+87.85 грн
500+83.67 грн
1000+80.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TRGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TRGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.81 грн
10+173.50 грн
25+148.17 грн
100+112.18 грн
250+98.98 грн
500+90.86 грн
1000+82.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06QGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 6 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06Q-TRGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.04 грн
3000+85.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE0800DT4LOVATO ELECTRICCategory: Disconnectors
Description: Switch-disconnector; Poles: 4; screw type; 800A; IP20; GE; 1000VDC
Type of protection: switch-disconnector
Number of poles: 4
Mounting: screw type
Current rating: 800A
IP rating: IP20
Mechanical durability: 20000 cycles
Manufacturer series: GE
Breaker features: without handle
Application: photovoltaics
Rated voltage: 1kV DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06AGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06AGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06AGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06AGENESICDescription: GENESIC - GE08MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 15 A, 20 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.17 грн
10+175.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06EGENESICDescription: GENESIC - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06EGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06EGENESICDescription: GENESIC - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.33 грн
10+152.93 грн
100+132.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06EGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06EGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.73 грн
10+174.80 грн
25+144.33 грн
100+133.17 грн
250+126.20 грн
500+121.32 грн
1000+116.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E-TRGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06QGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 8 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06QGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06Q-TRGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.75 грн
3000+104.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.