НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HS8Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers 1/4" RED HANDLE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
HS8.1Crydom Co.Description: HEATSINK SSR 2.0 DEG C/W PNL MT
товар відсутній
HS8.2Crydom Co.Description: HEATSINK SSR 45MM 2.2DEG C/W DIN
товар відсутній
HS8.3Crydom Co.Description: HEATSINK SSR 45MM 3.5DEG C/W DIN
товар відсутній
HS8000800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
товар відсутній
HS80008000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB SP CLA PARALLEL/T
товар відсутній
HS8000810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
товар відсутній
HS80008100J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB SP CL INTERLACE/T
товар відсутній
HS8030800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
товар відсутній
HS80308000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CLA PARALLEL/T
товар відсутній
HS8030810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
товар відсутній
HS80308100J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CL INTERLACE/T
товар відсутній
HS8108HS08+ DIP20
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HS8108B
Код товару: 149723
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
HS8120AEssentraMounting Fixings HOOK - S STYLE:SPRING STEEL
товар відсутній
HS817B
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HS8202
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HS8203
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HS8203BN8HRS
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HS8203BN8HS02+ QFN
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HS8204
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HS8206
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HS8207
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HS8210
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HS8400800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
товар відсутній
HS8400810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
товар відсутній
HS8430800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
товар відсутній
HS84308000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CLA PARALLEL/T
товар відсутній
HS8430810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
товар відсутній
HS84308100J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CL INTERLACE/T
товар відсутній
HS8508-11-15H08GlenairD-Sub Micro-D Connectors
товар відсутній
HS8521NS03+ SOP
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HS8800800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
товар відсутній
HS88008000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB SP CLA PARALLEL/T
товар відсутній
HS8800810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
товар відсутній
HS88008100J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB SP CL INTERLACE/T
товар відсутній
HS8830800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 22POS 45DEG 5.08MM PCB
товар відсутній
HS8830800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T
товар відсутній
HS88308000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CLA PARALLEL/T
товар відсутній
HS8830810000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T
товар відсутній
HS8830810000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 22POS 45DEG 5.08MM PCB
товар відсутній
HS88308100J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SP CL INTERLACE/T
товар відсутній
HS8K11TBROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.79 грн
10+ 44.38 грн
100+ 29.55 грн
500+ 23.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
HS8K11TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7/11A; Idm: 28÷44A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7/11A
Pulsed drain current: 28...44A
Power dissipation: 2W
Case: uDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.1/15.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1/20.2C
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
HS8K11TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HSML3030L10
Part Status: Active
товар відсутній
HS8K11TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HSML3030L10
Part Status: Active
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.96 грн
10+ 33.53 грн
100+ 23.22 грн
500+ 18.2 грн
1000+ 15.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
HS8K11TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7/11A; Idm: 28÷44A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7/11A
Pulsed drain current: 28...44A
Power dissipation: 2W
Case: uDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.1/15.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1/20.2C
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
HS8K1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A/11A HSML
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 348pF @ 15V, 429pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HSML3030L10
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.24 грн
6000+ 19.38 грн
9000+ 17.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
HS8K1TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 10/11A; Idm: 40÷44A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10/11A
Pulsed drain current: 40...44A
Power dissipation: 2W
Case: uDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20/16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6/7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
HS8K1TBROHM SemiconductorMOSFET 30V N-CHANNEL DUAL
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.8 грн
10+ 61.75 грн
100+ 41.16 грн
500+ 32.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
HS8K1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A/11A HSML
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 348pF @ 15V, 429pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HSML3030L10
Part Status: Active
на замовлення 10480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+ 46.65 грн
100+ 32.29 грн
500+ 25.33 грн
1000+ 21.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
HS8K1TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 10/11A; Idm: 40÷44A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10/11A
Pulsed drain current: 40...44A
Power dissipation: 2W
Case: uDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20/16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6/7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
HS8MA2TCR1ROHM SemiconductorMOSFET 30V Dual Common Drain Pch+Nch Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.42 грн
10+ 75.32 грн
100+ 51.12 грн
500+ 42.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
HS8MA2TCR1Rohm SemiconductorDescription: 30V DUAL COMMON DRAIN PCH+NCH PO
товар відсутній
HS8MA2TCR1ROHMDescription: ROHM - HS8MA2TCR1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+82.87 грн
11+ 69.92 грн
100+ 50.69 грн
500+ 38.96 грн
1000+ 28.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
HS8MA2TCR1ROHMDescription: ROHM - HS8MA2TCR1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.69 грн
500+ 38.96 грн
1000+ 28.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
HS8MA2TCR1Rohm SemiconductorDescription: 30V DUAL COMMON DRAIN PCH+NCH PO
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.63 грн
10+ 69.19 грн
100+ 53.96 грн
500+ 41.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
HS8VApex Tool GroupDescription: NUT DRIVER HEX SOCKET 1/4" 7.25"
товар відсутній